Geum.ru

Интегральная микросхема КР1533ТВ6

Реферат - Радиоэлектроника

Другие рефераты по предмету Радиоэлектроника

?таксиальный процесс продолжается с образованием слоя требуемой толщины.

Эпитаксиальный слой (ЭС) это монокристаллический слой новой фазы, выросший в результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подложки строго определенным образом, который имеет прочную кристаллохимическую связь с подложкой и не может быть отделен от нее без разрушения слоя или поверхности подложки. ЭС практически продолжает кристаллическую решетку подложки и ориентирован строго определенным образом относительно кристаллографической плоскости, выходящей на ее поверхность.

Основное физическое явление, которое имеет место в процессе эпитаксии,- это кристаллизация вещества. Под кристаллизацией вещества понимают появление зародышей твердой фазы и их рост. В зависимости от того, из каких составов получают ЭС, различают следующие механизмы кристаллизации:

 

Механизм пар кристалл (П - К), когда образование твердой фазы происходит из парообразного или газообразного состояния вещества;

Механизм пар жидкость кристалл (П Ж - К), когда образование твердой фазы из парообразного состояния проходит стадию жидкого состояния. Примером может служить кристаллизация Ge на подложке Si, если последнюю нагреть до температуры, превышающей температуру плавления Ge;

Механизм твердое тело кристалл (Т - К), когда выращивание эпитаксиального слоя производится из электролитов или расплавов.

Эпитаксию применяют для выращивания на поверхности кремниевой пластины полупроводникового слоя с п- или р-проводимостью. Такой слой толщиной несколько микрон образуется при пропускании над нагретой до 1250 С подложкой потока газа, содержащего несколько соединений, которые, вступая в химическую реакцию, разлагаются на части и приводят к образованию эпитаксиального слоя с n- или р-проводимостью на поверхности пластины.

Напыление и нанесение пленок. Элементы полупроводни

ковых ИМС соединяются между собой с помощью проводящего рисунка, полученного путем напыления металлической пленки. Для этого после вытравления с помощью фотолитографии окон под контакты в вакууме напыляется алюминиевая пленка на всю поверхность пластины. Путем напыления формируют также металлизированные площадки, к которым путем термокомпрессионной сварки привариваются выводы микросхемы и тонкие проволочки, соединяющие бескорпусные транзисторы в гибридных ИМС. В последнее время вместо проволочных перемычек применяют балочные выводы, представляющие собой золотые удлиненные выступы. Во время сборки гибридной ИМС балочные выводы совмещают с контактными площадками на подложке и припаивают к ним, нагревая до температуры, при которой образуется эвтектический спай. Наконец путем напыления и нанесения пленок изготавливают пассивные элементы в совмещенных и гибридных ИМС в виде толстых и тонких пленок.

 

 

 

 

 

Используемая литература

 

 

  1. Справочник Логические ИС. КР1533, КР1554. Часть 2.. - БИНОМ, 1993г.
  2. В.Л. Шило. Популярные цифровые микросхемы. - Металлургия, 1988г.
  3. Интегральные микросхемы и основы их проектирования.

Н.М. Николаев, Н.А. Филинюк.

  1. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы. Справочник.
  2. Логические интегральные схемы КР1533, КР1554. Справочник.
  3. Конструирование и технология микросхем.
  4. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах. Справочник. Г.И. Пухальский, Т.Я. Новосельцева.