Електроніка та мікропроцесорна техніка
Методическое пособие - Компьютеры, программирование
Другие методички по предмету Компьютеры, программирование
µревищують розрахункові, в розряднику встановлюється режим тихого розряду. Опір розрядника в таких випадках настільки великий, що вмикання його в лінію або схему практично не впливає на їх роботу. Коли напруга перевищить допустиму, в розряднику утворюється іскровий розряд, опір його різко спадає, розрядник ніби замикає лінію накоротко, запобігаючи від перевантажень увімкнену в цю лінію апаратуру. Через розрядник при цьому проходить великий струм, а напруга на його електродах знижується.
Коли потужність джерела перенапруження велика, то іскровий розряд перетворюється на дуговий. Коли ж ця потужність мала, то із зменшенням розрядного струму прилад перейде в режим тихого розряду, оскільки при тиску, що в ньому існує, ні іскровий, ні тліючий розряди при нормальній напрузі на електродах не зберігаються.
Контрольні запитання:
- Що таке газотрон?
- Призначення та будова газотрону?
- Будова та призначення іскрового розрядника?
Інструкційна картка №11 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни Основи електроніки та мікропроцесорної техніки
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.4 Електровакуумні та іонні прилади
Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.
ІІ. Студент повинен знати:
- Правила маркування електровакуумних та іонних приладів;
- Область застосування приладів.
ІІІ. Студент повинен уміти:
- Розшифровувати умовні позначення ламп.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.
V. Література: [4, с. 22-23].
VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
- Маркування електровакуумних та іонних приладів.
VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.
VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:
- Що позначає кожен елемент в маркуванні електровакуумних та іонних приладів?
ІХ. Підсумки опрацювання:
Підготував викладач: Бондаренко І.В.
Теоретична частина: Електровакуумні та іонні прилади
План:
- Маркування електровакуумних та іонних приладів.
Література
1. Маркування електровакуумних та іонних приладів
Позначення приймально-підсилювальних ламп складаються з декількох цифрових і буквених елементів.
Перший елемент - число, вказує напругу напруження у вольтах (закруглено).
Другий елемент - буква, що характеризує тип лампи: Д - діоди, Ц - кенотрони, X - подвійні діоди, С - тріоди, Н - подвійні тріоди, П - вихідні пентоди і променеві тетроди, Ж - пентоди з короткою характеристикою, К - пентоди з подовженою характеристикою, Г - діод - тріод, Б - діод - пентоди, А - багатосіткові лампи.
Третій елемент - порядковий номер даного типу лампи.
Четвертий елемент - буква, що характеризує конструктивне оформлення лампи: С - в скляному балоні діаметром більше 22,5 мм; П - мініатюрні (пальчикові) в скляному балоні діаметром 19 і 22,5 мм; Б - надмініатюрні в скляному балоні діаметром від 6 до 10,5 мм; А - надмініатюрні в скляному балоні діаметром від 4 до 6 мм.
Наприклад: 6Д6А - напруга напруження 6,3 В; діод надмініатюрний в скляному балоні діаметром 6 мм; шостий номер розробки; 1Ц21П - напруга напруження 1,4 В; кенотрон пальчикової серії з діаметром балона 22,5 мм; двадцять перший номер розробки.
Контрольні запитання:
- Що позначає кожен елемент в маркуванні електровакуумних та іонних приладів?
Інструкційна картка №12 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни Основи електроніки та мікропроцесорної техніки
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.
ІІ. Студент повинен знати:
- Конструкції гібридних ІМС;
- Методи створення;
- Галузь застосування гібридних ІМС.
ІІІ. Студент повинен уміти:
- Розрізняти різні типи гібридних ІМС.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.
V. Література: [1, с. 60-62].
VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
- Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем. маркування гібридних мікросхем.
VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.
VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:
- Які основні конструктивні елементи гібридних ІМС?
- Які переваги та недоліки гібридних ІМС на відміну від напівпровідникових ІМС?
ІХ. Підсумки опрацювання:
Підготував викладач: Бондаренко І.В.
Теоретична частина: Гібридні інтегральні мікросхеми
План:
- Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем, маркування гібридних мікросхем.
Література
1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем, маркування гібридних мікросхем
Гібридні ІМС складаються з таких конструктивних вузлів:
1) ізоляційна основа із склопластику або керамічна, на поверхню якої у вигляді плівок нанесені резистори, конденсатори невеликої ємності, котушки невеликої індуктивності, електричні зєднання;
2) дискретні безкорпусні НП прилади;
3) дис