Электронная техника
Контрольная работа - Компьютеры, программирование
Другие контрольные работы по предмету Компьютеры, программирование
ьно зависит от точности поддержания температуры, толщины полупроводниковой пластины, времени вплавления и количества примесей. Ничтожные отклонения любого показателя от номинального значения приводит к большому разбросу номинального значения электрических параметров полупроводниковых приборов. Диффузионный процесс более медленный и лучше управляемый, поэтому с помощью диффузии удается выдержать размеры различных областей наиболее точно.
Описанные выше технологические процессы являются самыми распространенными, но не единственно возможными. Находят применение интегральные схемы с изоляцией элементов не запертыми р - n-переходами, интегральные схемы на сапфировой подложке и т. д.
Классификация и маркировка транзисторов
Транзисторы - приборы универсального назначения. Они могут использоваться не только в классе схем, для которых они разработаны, но и во многих других.
Классификация транзисторов по типу структуры:
Биполярные транзисторы - полупроводниковые приборы с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которых обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Обозначение:
Рис.2. р - n - р-тип n - р - n-тип.
Б - база.
К - коллектор.
Э - эмиттер.
В свою очередь, биполярные транзисторы классифицируются по:
-материалу, из которого они сделаны - германий (Gе), кремний (Si), арсенид галлия (GаАs) и др.,;
-способу движения неосновных носителей заряда в базовой области (дрейфовые и бездрейфовые);
-способу изготовления;
-мощности и частоте:
Класс транзистора.Рмах , Вт.Fгр , МГц.I, А1.Транзисторы малой мощности низкой частоты. 0,3 32.Транзисторы малой мощности средней частоты. 0,33 - 303.Транзисторы малой мощности высокой частоты. 0,330 - 3004.Транзисторы средней и большой мощности низкой частоты0,3 - 1,5. 1,5. 35.Транзисторы средней и большой мощности средней частоты.0,3 - 1,5. 1,5.3 - 306.Транзисторы средней и большой мощности высокой частоты.0,3 - 1,5. 1,5.30 - 3007.Транзисторы сверхвысокой частоты.0,3 - 1,5 3008.Транзисторы силовые. 1,53 - 300 10
Полевые транзисторы - это полупроводниковые униполярные приборы - протекание рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака.
В свою очередь полевые транзисторы подразделяются на две разновидности:
-транзистор с управляющим р - n-переходом;
Обозначение:
Рис. 3. Канал р - типа. Канал n - типа.
З -затвор; С - сток; И - исток.
-транзисторы с изолированным затвором - МДП (МОП):
с встроенным каналом;
с индуцированным каналом.
Обозначение:
Канал n - типа: Канал р - типа.
Рис. 4. З - затвор; С - сток; П - подложка; И - исток.
Полевые транзисторы также классифицируются по:
-материалу, из которого они сделаны;
-способу изготовления;
-мощности и частоте.
Обозначение транзисторов
Обозначение транзисторов состоит из шести элементов:
Первый элемент - буква или цифра, определяющая исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор: Г или 1 - германий; К или 2 - кркмний; А или 3 - арсенид галлия.
Второй элемент - буква, указывающая класс прибора: Т - биполярные транзисторы; П - полевые транзисторы.
Третий, четвертый и пятый элемент - трехзначное число:
Частота, МГц.Мощность рассеяния, Вт.Малая Рк. мах 0,3Средняя Рк. мах 1,5 Большая Рк. мах 1,5Низкая, f 3 Средняя, 3 f 30. Высокая, 30 f 300101 - 199 201 - 299 301 - 399401 -499 501 - 599 601 - 699701 - 799 801 - 899 901 - 999
первая цифра обозначает классификационный номер, характеризующий назначение прибора (диапазон рабочих частот и мощность);
вторая и третья цифры от 01 до 99 - порядковый номер разработки технологического типа прибора.
Шестой элемент - буквы от А до Я - определяет деление технологического типа на параметрические группы (разновидности одного типа).
Примеры обозначений:
КТ324А - кремниевый биполярный транзистор, высокочастотный, малой мощности, номер разработки 24, группа А;
1Т806Б - германиевый биполярный транзистор, среднечастотный, большой мощности, номер разработки 06, группа Б;
КП102Е - кремниевый полевой транзистор, низкочастотный, малой мощности, номер разработки 02, группа Е.
Полупроводниковые интегральные гибридные микросхемы
Гибридная интегральная микросхема - это интегральная микросхема, в которой наряду с выполненными на поверхности подложки пленочными элементами используются и навесные микроминиатюрные элементы - транзисторы, конденсаторы, дроссели, пленочное исполнение которых затруднено.
Основу гибридной ИМС составляет пленочная схема: пластина диэлектрика, на поверхности которого нанесены в виде пленок толщиной порядка 1 мкм компоненты схемы и межсоединения. Этим способом легко выполнимы пленочные проводниковые соединения, резисторы, конденсаторы. Резисторы больших номиналов выполняют в виде меандра (рис. 5, а). что обеспечивает минимальную площадь, занимаемую элементом. Сопротивление таких таких резисторов может достигать 105 Ом.
рис.5. Гибридные ИМС.
Пленочные конденсаторы имеют структуру, разрез которой представлен на рис. 5, б. Конденсатор состоит из трех пленочных слоев: металл - диэлектрик - металл. За счет малой толщины диэлектрика емкость пленочных конденсаторов достигает 10 000 пФ и более.
Дроссели могут быть выполнены в виде спирали (рис. 4,