Фотоэлектрические свойства тонких пленок сульфида свинца
Дипломная работа - Физика
Другие дипломы по предмету Физика
олимерные материалы могут также служить оптическими клеями для приклейки иммерсионных линз или других оптических элементов к поверхности фоточувствительных пленок. сГруппы полисилоксануретановых компаундов (УК-1, УК-2 и др.), сочетающих оптическую прозрачность в диапазоне работы фоторезисторов из сернистого свинца с высокими адгезионными характеристиками в широком интервале рабочих температур и нейтральностью по отношению к характеристикам пленок, нашли широкое применение в технологических процессах изготовления фотоприемников (и не только на основе PbS). Их применение, в частности, позволило обеспечить длительную сохраняемость параметров фоторезисторов (не менее 15 лет) [5].
Благодаря сохранившемся в нашей лаборатории образцам тонких пленок сульфида свинца прошлых лет, нами была сделана попытка сравнения свежих образцов с полученными несколько ранее. Так как образцы после их получения не были подвергнуты никакой дополнительной обработке и хранились при комнатной температуре в закрытой темной коробке, то практические изменение характеристик подтвердили ожидаемые. Ниже на полученных вольтамперных и люксамперных характеристиках мы можем заметить, что пленки, полученные в апреле месяце 2006 года значительно уступают по своих характеристикам более свежим образцам.
При напряжении в 30 В (Рис.3.7) мы видим ухудшение характеристик фототока условно в 6 раз, а при напряжении 50 В - в 8 раз. Подобное мы наблюдаем и на люксамперных характеристиках (Рис.3.8), когда при самом ярком освящении образца при напряжении 10В мы видим ухудшение параметров фототока примерно в 8 раз для старых образцов.
Рис. 3.7. ВАХ фототока при интенсивности света 2*I
Рис. 3.8. Люксамперные характеристики образцов при напряжении в 10 В
Выводы
1.Для формирования на поверхности стеклянной подложки фоточувствительного слоя сульфида свинца использованы методы химического осаждения, вакуумного испарения и пульверизации. Каждый из методов получения тонких пленок сульфида свинца имеет свои преимущества и недостатки. Метода пульверизации позволяет варьировать состав растворов в едином технологическом процессе.
2.Показано, что участок гашения фототока и сверхлинейная зависимость ВАХ темнового тока в тонких пленках сульфида сульфида свинца связаны с выделением Ленц-Джоулева тепла.
.Толщина оксидной фазы на границах кристаллитов и концентрация акцепторных центров в ней, определяющих образование инверсного канала проводимости р-типа, зависят от технологии получения образцов.
.Рекомбинация в пленках, полученных физическим методом, является бимолекулярной (квадратичной). В образцах, полученных методами химического осаждения из раствора и пульверизационного пиролиза рекомбинация мономолекулярна (линейна).
.Определены энергии активации для образцов, полученных разными методами.
.При длительном хранении тонких пленок сульфида свинца на воздухе при комнатной температуре, заметны ухудшения основных характеристик образцов в несколько раз.
Литература
1..Н., Осипов В.В. "О природе аномальных свойств фоточувствительных пленок типа РЬ8" // 1987 г., ФТП, Т.21, №12.
2.Неустроев Л.Н., Осипов В.В., Онаркулов К.Э. "Исследование внутренней структуры поликристаллических пленок РЬ8 с помощью вакуумного прогрева" // ФТП, 1987 г., т.21, №6. с.989-994.
.Мотт Н., Дэвис Э. "Электронные процессы в некристаллических веществах", Т. 1,2, М., Мир, 1982, С.369.
.Гудаев О.А., Пауль Э.Э, Седельников А.П. "Локальная неоднородность фоточувствительности химически осажденных слоев РЬ8" // Автометрия, 1989 г, №5, С. 118-119.
.Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Пархоменко Ю.Н., Меньшиков О.Д. "Профиль распределения компонентов в приповерхностном слое поликристаллических пленок сульфида свинца". // М.: Наука, Поверхность, №.11, 1987.
.Ковалев А.Н., Остробородова В.В., Парамонов В.И., Фоломин П.И. "Проявление неоднородностей в нелегированных халькогенидах свинца по гальваномагнитным свойствам", ФТП, 1989, Т.23, в.11, С.2039-2048.
.Алешин А.Н., Бурлак А.В., Мандель В.Е., Пастернак В.А., Тюрин А.В., Цукерман В.Г. Фоточувствительные слои сульфида свинца, полученные методом пульверизации //Неорганические материалы.-1999.-Т.35. -№4. -С.1-4.
.Иконникова О.Г., Неустроев Л.Н., Осипов В.В. "Теория фоторезисторов на основе узкозонных полупроводников с инверсионным изгибом зон у поверхности", Микроэлектроника, 1983, Т. 12, в.5, С.412-420.
.Алешин А.Н., Бурлак А.В., Кучерюк О.Д., Пастернак В.А., Тюрин А.В. Механизм полевого гашения фототока в поликристаллических пленках сульфида свинца // Материалы У-й Международной конференции "Физика и технология тонких пленок". - II часть. - Ивано-Франковск. - 1995. - С.203.
.Агарев В.Н., Стафеев В.И. "О механизме проводимости и фотопроводимости в поликристаллических пленках", ФТП, 1977, Т. 11, Вып.9, С. 1684-1690.
.Гольдман Е.И., Ждан А.Г. Электропроводность полупроводников с межгарнульными барьерами. - Физ. и техн. Полупроводников., 1976, т.10,№1-. -С. 1839-1845.