Флеш-пам'ять
Информация - Компьютеры, программирование
Другие материалы по предмету Компьютеры, программирование
?ий тип памятi, працюючий на двох рiзних напругах.
РЖдеально пiдходить для зберiгання коду програм (PC BIOS, стiльниковi телефони), iдеальна замiна звичному EEPROM.Основнi виробники: AMD, Intel, Sharp, Micron, Ti, Toshiba, Fujitsu, Mitsubishi, SGS-Thomson, STMicroelectronics, SST, Samsung, Winbond, Macronix, NEC, UMC.Програмування: методом iнжекцii "гарячих" електронiв Стирання: тунелюваннСФм FNNAND (NOT AND, И-НЕ)NAND (NOT AND, И-НЕ)Доступ довiльний, але невеликими блоками (на зразок кластерiв жорсткого диска). Послiдовний iнтерфейс. Не так добре, як AND память пiдходить для задач, що вимагають довiльного доступу.
Переваги: швидкий запис i стирання, невеликий розмiр блоку.
Недолiки: вiдносно повiльний довiльний доступ, неможливiсть побайтного запису.
Найбiльш вiдповiдний тип памятi для додаткiв, орiСФнтованих на блоковий обмiн: MP3 плеСФрiв, цифрових камер i як замiнник жорстких дискiв.Основнi виробники: Toshiba, AMD/Fujitsu, Samsung, NationalПрограмування: туннеллiрованiСФм FN Стирання: туннелюванням FNAND (И)AND (И)Доступ до елементiв памятi послiдовний, архiтектурно нагадуСФ NOR i NAND, комбiнуСФ iх кращi властивостi. Невеликий розмiр блоку, можливо швидке мультиблочне стирання. Пiдходить для потреб масового рiнку.Основнi виробники: Hitachi i Mitsubishi Electric.Програмування: туннелюванням FN Стирання: туннелюванням FNDiNOR (Divided bit-line NOR, ИЛИ-НЕ з роздiленими розрядними лiнiями)DiNOR (Divided bit-line NOR, ИЛИ-НЕ с раздiленими розрядними лiнiями)Тип памятi, який комбiнуСФ властивостi NOR i NAND. Доступ до комiрок довiльний. ВикористовуСФ особливий метод стирання даних, який оберiгаСФ комiрки вiд перепалу (що сприяСФ бiльшiй довговiчностi памятi). Розмiр блоку в DiNOR всього лише 256 байт.Основнi виробники: Mitsubishi Electric, Hitachi, Motorola.Програмування: туннелюванням FN Стирання: : туннелюванням FNПримiтки: В даний час найчастiше використовуються память з архiтектурою NOR i NAND. Hitachi випускаСФ багаторiвневу AND-память з NAND-итерфейсом (SuperAnd або AG-AND [Assist Gate-AND])
Доступ до флеш - памятi
РЖснуСФ три основнi типи доступу:
- звичний (Conventional): довiльний асинхронний доступ до елементiв памятi.
- пакетний (Burst): синхронний, данi читаються паралельно, блоками по 16 або 32 слова. Лiченi данi передаються послiдовно, передача синхронiзуСФться. Перевага перед звичним типом доступу - швидке послiдовне читання даних. Недолiк - повiльний довiльний доступ.
- сторiнковий (Page): асинхронний, блоками по 4 або 8 слiв. Переваги: дуже швидкий довiльний доступ в межах поточноi сторiнки. Недолiк: вiдносне повiльне перемикання мiж сторiнками.
Останнiм часом зявилися мiкросхеми флеш - памятi , що дозволяють одночасний запис i стирання (RWW - Read While Write або Simultaneous R/W) в рiзнi банки памятi.