Технологические процессы изготовления микросхем
Информация - Компьютеры, программирование
Другие материалы по предмету Компьютеры, программирование
? элементами ИМС и расстояние от края подложки, следует увеличить суммарную площадь подложки в 4-5 раз, то есть площадь должна составить не менее 50 мм2. Из таблицы 5 выбираем подложку с размерами 12х10 мм.
Таблица 5 - Рекомендуемые размеры подложек для гибридных ИМС
Длина, мм3030302420161210Ширина, мм2416122016101010
Составляем топологический чертёж ИМС, размещая расiитанные элементы на поле подложки (рисунок 5).
Заключение
Итак, ни тонко-, ни толстоплёночная технология не обеспечивают выполнение всех требований схемотехники, так как они обеспечивают изготовление только пассивных элементов и проводников без активных элементов. В полупроводниковых ИМ пассивные элементы возникают как побочный продукт, их характеристики хуже, чем у дискретных элементов. Ограниченные линейность, температурная стабильность и большой допуск на значение номиналов резисторов и конденсаторов ограничивают применение полупроводниковых ИМ, однако, отдельные свойство тонко- и толстоплёночных микросхем хорошо дополняют друг друга; комбинация их обеспечивает создание высококачественных микросхем, при описании гибридно-пленочных интегральных микросхем, которые реализуются при монтаже дискретных бескорпусных элементов или полупроводниковых ИМ в интегральные тонко- или толстоплёночные схемы
Достоинства гибридных микросхем:
-возможность предварительного выбора дискретных элементов,
-низкую стоимость подложек и возможность применения значительно больших номиналов тонкоплёночных конденсаторов и мощных резисторов
Недостатком является дополнительные контактные площадки для монтажа дискретных элементов или полупроводниковых ИМ, которые можно выполнить по тонкоплёночной технологии.
Список литературы
1.Бобровский Ю.Л. под редакцией Фёдорова Н.Д. Электронные квантовые приборы и мукроэлектроника. Радио и связь, 1998. 560 стр.
2.Алексеенко А.Г., Шагурнин И.И. Микросхемотехника. Радио и связь, 1990. 496 стр.
.Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная электроника. Высшая школа, 1987. 416 с.
.Степанеко И.П. Основы микроэлектроники. Сов. Радио, 1980, 424 с.