Твердые кристаллы
Информация - Геодезия и Геология
Другие материалы по предмету Геодезия и Геология
асплавов и из слабо пересыщенных растворов: рост облегчается тем, что в кристалле есть винтовые дислокации и кристалл растет вдоль дислокации, образуя единую винтовую лестницу из атомных плоскостей.
Атомы блуждают по кристаллу.
Сам факт, что некоторые из атомов в кристаллах блуждают, а не находятся в устойчивом состоянии вызывает долю скептицизма. Ведь всем известно, что в кристаллах атомы расположены в узлах кристаллических решеток и они лишь совершают колебательные движения в пределах не больше междуатомного расстояния. Однако из каждого правила есть исключения. То что некоторые атомы не находятся в узлах кристаллической решетки доказал один из основоположников физики твердого тела, советский физик-теоретик Яков Ильич Френкель.
Сам механизм перемещений атомов в кристаллах похож на диффузионные процессы или скорее на испарение, только не во внешнюю среду, а во внутреннюю[6].
“Диффузия - это перенос вещества приводящий к самопроизвольному выравниванию концентрации различных веществ”. Атомы или молекулы сорта А перемещаются туда, где их меньше всего или нет совсем и где больше атомов сорта В, и наоборот. В результате происходит диффузионное перемешивание в газах, жидкостях и твердых телах. При испарении происходит произвольный отрыв единичных атомов вещества от привычных им позиций. Освободившиеся атомы уходят во внешнюю среду. Надо заметить, что скорости как диффузии, так и испарения зависят от температуры, то есть эти процессы термодинамические, чем выше температура, тем больше скорость.
Френкель, в своей статье “О тепловом движении в твердых и жидких телах” проводит аналогию между “внешним” и “внутренним” испарением, т. е. переходом атома (в кристалле) из узла в пространство между узлами. Согласно Френкелю, принципиального отличия между характером теплового движения атомов на поверхности тела и внутри него не существует. Если возможен отрыв атомов вещества от его поверхности, то мыслим так же и срыв атома из положения равновесия внутри тела. Однако мы должны считаться с тем, что в нормальных условиях атомы образуют в основном правильную кристаллическую решетку, и что внутреннее испарени6е может сопровождаться нарушением в правильности расположения атомов.
Предположим, что какой-нибудь атом набравший случайно избыточную энергию, вырывается из клетки, образованной его соседями, как бы “раздвигая” прутья этой клетки, и вылетает из исходного положения равновесия в исходную плоскость. Атомы не занимают всего объема тела, между ними остаются еще свободные промежутки (междоузлия), благодаря которым они оказываются способными совершать колебания. Конечно, если атом внедряется в одно из междоузлий, то он должен несколько потеснить своих новых соседей. Узлы решетки вблизи такого “дислоцированного” атома окажутся смещенными; однако на небольшом расстоянии от этого места восстанавливается правильная структура.
Таким образом, в результате внутреннего испарения один из узлов, именно тот, где ранее находился рассматриваемый атом, окажется вакантным, зато одно из междоузлий занятым. Такой процесс может многократно повторятся с тем же самым атомом. Переходя из одного междоузлия в другое, дислоцированный атом может странствовать по всему внутреннему пространству кристалла.
В результате теплового движения некоторые узлы обнажаются, оставаясь вакантными, а некоторые междоузлия заполняются сорвавшимися атомами. Реальный кристалл представляет собой как бы двойной раствор, в котором наряду с “основными” атомами, находящимися в узлах, имеются два типа растворенных частиц: дислоцированные атомы и свободные узлы “вакансии”. Дислоцированные атомы расположены так же, как располагаются посторонние атомы в случае их внедрения в междоузлие. Что же касается вакансий, то они занимают место реальных атомов, т.е. располагаются подобно чужеродным атомам по принципу замещения.
Не только дислоцированные атомы перемещаются по кристаллу, но и вакансии. Освободился один узел, образовалась вакансия, тут же в нее перескочил атом, например из нижнего ряда, на его месте образовался пустой узел, следовательно, вакансия сместилась на один ряд вниз.
Это наиболее общее описание механизма перемещение атома по кристаллу. В настоящее время, существует множество формул и условий, помогающих определить частоту перемещения, направление и другие параметры.
О прочности кристаллов.
Ранее было описано, что кристалл заполнен дефектами. Как же влияют дефекты на прочность кристаллов. О одном, о прочности, мы уже говорили: дефекты понижают прочность, в сотни, тысячи раз. Если к кристаллу приложить внешнюю силу, то атомная постройка начнет разрушаться именно в месте слабины, там, где есть дефект. Дефект - дислокация - начинает двигаться по кристаллу.
Но не так все просто, по мере того, как растет деформация кристалла, растет и число дефектов в нем. А так как дефекты взаимодействуют друг с другом, то, чем их больше, тем труднее им двигаться в кристалле. Получается парадокс: если есть дефект кристалл - кристалл деформируется и разрушается легче, чем если дефекта нет. А если дефектов слишком много, то кристалл опять становится прочным , и чем больше дефектов, тем он более упорядочивается. Значит, если мы научимся управлять числом и расположением дефектов, мы сможем управлять прочностью материалов.
Еще сильнее удалось бы изменить свойства кристаллов, если бы удалось вырастить кристалл совсем без дефектов. Как в