Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Информация - Радиоэлектроника
Другие материалы по предмету Радиоэлектроника
Содержание:
Введение……………………………………………………………………1
1. Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Устройство и особенности работы…………………………………………….2
2. IGBT-модули………………………………………………………….…4
3. Целесообразность применения IGBT в дискретном и модульном исполнениях…......................................................................................................7
4. Основные области применения и промышленное производство IGBT-модулей в России……………………………………………………………..…10
Заключение………………………………………………………….……...12
Список используемой литературы……………………………………......13
Введение
Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано на стремительном развитии последних технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT).
Стремление совместить в одном приборе лучшие свойства полевого и биполярного транзистора привели к созданию комбинированного прибора - биполярного транзистора с изолированным затвором, в технической литературе его называют IGBT (от англ. Insulator Gate Bipolar Transistor). Этот прибор нашел широкое распространение в силовой электронике благодаря тому, что он позволяет с высокой скоростью коммутировать большие токи. Таким образом, IGBT это прибор, управляемый потенциалом.
На данный момент этот транзистор занимает одно из ведущих мест в области электроники как в нашей стране, так и в других странах мира. Именно это и обуславливает актуальность выбранной мной темы.
Целью этого реферата является более подробное рассмотрение данной тематики. Для этого я более подробно остановлюсь на рассмотрении таких вопросов как, силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), устройство и особенности работы, IGBT-модули, целесообразность применения IGBT в дискретном и модульном исполнениях, а так же другие вопросы.