Реверсная магнитная фокусирующая система мощного многолучевого клистрона
Дипломная работа - Радиоэлектроника
Другие дипломы по предмету Радиоэлектроника
?акой путь не приемлем из-за опасности возникновения насыщения перемычек между соседними пролетными каналами в полюсных наконечниках прибора изготовленных из магнитомягкого материала. Расчет показывает, что если поле в зазоре увеличить до 1200 Гс, то индукция магнитного поля в перемычках полюсных наконечников составит 16200 Гс, что близко к индукции насыщения стали 03 ВД, составляющей примерно 20000 Гс.
Путь увеличения толщины полюсных наконечников iелью снижения индукции в перемычках увеличивает протяженность зоны реверса и требует существенного изменения конструкции прибора. В связи с этим в дипломе улучшение структуры формируемого пучка достигается за счет уменьшения амплитуды используемого магнитного поля. Вернемся к варианту ЭОС представленному на рис.2.5, но магнитное поле во втором реверсе уменьшим на 100 Гс. Результаты расчета такой ЭОС вверху на плакате 5 (рис.2.7). Сравнивая этот рисунок с рис.2.5 находим, что уменьшение амплитуды магнитного поля несколько улучшило фазу влета пучка в область второго реверса и уменьшило радиус пучка в третьей области.
Внизу на плакате 5 (рис.2.8) показаны результаты расчета для случая, когда поле во втором реверсе еще уменьшили на 100 Гс. Сравнивая рис.2.8 и рис.2.5 видим, что уменьшение индукции магнитного поля на 200 Гс существенно улучшило фазу влета пучка во второй реверс и конфигурацию пучка в третьей области.
Вверху на плакате 6 (рис.2.9) показаны результаты расчета пучка, когда индукции магнитного поля в третьей области увеличили на 100 Гс по сравнению с рис.2.8. Это изменение магнитного поля заметно уменьшило радиус пучка в третьей области.
Внизу на плакате 5 (рис.2.10) показаны результаты расчета пучка для случая, когда индукции магнитного поля везде уменьшили на 5 %, по сравнению с результатом расчета, показанным на рис.2.9.
Это и есть оптимизированный вариант ЭОС. Сравнивая рис.2.10 с исходными вариантом ЭОС показанным на рис.2.5, следует сделать вывод о том, что в результате проведенного исследования удалось уменьшить в 1,4 раза радиус формируемого пучка в третьей области и ликвидировать неламинарность электронных траекторий в потоке. Амплитуда магнитного поля в оптимизированной ЭОС составляет в первой области 760 Гс, во второй области 746 Гс и в третьей области 1007 Гс.
Применение новой оптимизированной ЭОС должно существенно улучшить параметры прибора КИУ 147.
Плакат 1.
Устройство исходного варианта электронно-оптической системы и результаты расчета конфигурации электронного луча в нем.
Импульсная мощность, мВт 5;Анодное напряжение 52 кВ;Средняя мощность, кВт 25;Количество электронных лучей 40;Частота, мГц 2450;Расположение электронных лучей:
а) диаметр 84 21 луч,
б) диаметр 64 19 лучей;Количество реверсов 2;Диаметр пролетного канала 6,5 8 мм;КПД, % - 44;Суммарный первеанс 20 10-6 А/В3/2;Коэффициент усиления, дБ 50;Диаметр катода 8,6 мм.
Плакат 2.
Оптимизация электронной пушки.
Р = 0,57 мкА/В3/2
S = 3
b = 0,5
Плакат 3.
Оптимизация электронной пушки.
Анодное напряжение 52 кВ;
Микропервеанс одного луча 0,57 мкА/В3/2;
Ток одного луча 6,7 А.
Плакат 4.
Конфигурация электронного луча при различной амплитуде магнитного поля.
Плакат 5.
Конфигурация электронного луча при различной амплитуде магнитного поля в различных реверсах.
Плакат 6.
Оптимизированная электоронно-оптическая система прибора.