Расчёт параметров и характеристик полупроводникового диода и транзистора МДП – типа
Реферат - Радиоэлектроника
Другие рефераты по предмету Радиоэлектроника
рядов;
hист=4*10-4 см толщина истока;
Lист=7*10-4 см длина истока;
hcток=4*10-4 см толщина стока;
Lсток=7*10-4 см длина стока;
Rt=40 К/Вт тепловое сопротивление корпуса.
Напряжение смыкания, В:
(4.1)
где q заряд электрона;
f = 0,38 В потенциал уровня Ферми.
Удельная емкость затвор-канал, Ф:
(4.2)
где = 4 диэлектрическая проницаемость диоксида кремния.
Ширина обедненного слоя в канале при Uзи =0, м:
(4.3)
Плотность заряда нескомпенсированных ионизированных атомов примеси в подложке, Кл/см2:
(4.4)
Плотность заряда на границе диэлектрик-полупроводник, Кл/см2:
(4.5)
Крутизна, А/В:
(4.6)
где =0,15 м2•В-1•с-1 подвижность электронов в канале.
Пороговое напряжение транзистора, В:
(4.7)
Коэффициент К:
(4.8)
Паразитные емкости затвора, Ф:
(4.9)
где Sз=Zk*Lk площадь затвора.
Сопротивление стока и истока, Ом:
(4.10)
где удельное сопротивление канала.
Таблица 4.1 Передаточная характеристика полевого транзистора
На рисунке 4.1 построено семейство передаточных характеристик транзистора для значений напряжения между стоком и истоком 1, 2, 4В.
Рисунок 4.1 Стоко-затворная характеристика полевого транзистора
Семейство стоковых (выходных) характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом строим путём совмещения двух областей его ВАХ: триодной и области насыщения.
U си , ВI с , АI с , АI с , А00.000.000.00200.750.520.22401.090.860.50601.200.970.61801.200.970.611001.200.970.611201.200.970.611401.200.970.611601.200.970.611801.200.970.612001.200.970.61U зи =6 В4 В0 В
Таблица 4.2 Семействo стоковых характеристик МДП-транзистора
Рисунок 4.2 Семействo выходных вольт-амперных характеристик полевого транзистора
ВЫВОДЫ
В результате расчетов параметров и характеристик полупроводниковых приборов были получены результаты, не противоречащие справочным данным.
При расчете параметров и характеристик полупроводникового выпрямительного диода обратный ток , напряжение лавинного пробоя =. В результате построений характеристик диода были получена типичная вольтамперные характеристики кремниевого диода при 300К. Также была рассчитана зависимость генерационного тока p-n перехода от обратного напряжения.
В ходе расчетов параметров и характеристик МДП-транзистора были получены значения основных параметров: пороговое напряжение , напряжение смыкания , сопротивление стока и истока rи=rс=42,07 Ом. В результате построений характеристик МДП-транзистора были получены типичные вольтамперные характеристики транзистора МДП-типа с индуцированным каналом n-типа.
Из полученных результатов можно сделать вывод, что полупроводниковый выпрямительный диод можно использовать в качестве вентиля, так как обратный ток через диод при расчете оказался равным .
Список ссылок
- Исаков Ю.А., Руденко В.С. Промышленная электроника на базе полупроводниковой техники М.: Высшая школа, 1975г. 328с.
- Тугов Н.М., Глебов Б.А. Полупроводниковые приборы М.:Энергоатомиздат,1990г. 576с.
- Батушев В.А. Электронные приборы М.: Высшая школа,1980г. 383с.
- Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника М.: Высшая школа,1991г. 617с.
- Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы М.: Высшая школа,1987г. 479с.
- Методические указания к курсовому проектированию по курсу “ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА” / Сост.: А.В. Переверзев,
О.Н. Переверзева Запорожье: ЗГИА, 2000. 36 с.