Расчет компенсационных стабилизаторов напряжения

Реферат - Радиоэлектроника

Другие рефераты по предмету Радиоэлектроника

>-3 = 7.210-3 А.(4.8)

 

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора VT2, равняется

Р2 = Iк2 Uк2 max = 7.210-3 6.3 = 45.210-3 Вт.(4.9)

 

По полученным значениям Uк2 max , Iк2 , Р2 выбираем тип транзистора и выписываем его параметры:

 

Марка транзистора2Т603БТип транзистораNPNДопустимый ток коллектора, Iк доп300 мАДоп. напряжение коллектор-эмиттер, Uк доп 30 ВРассеиваемая мощность коллектора, Pпред 0.5 ВтМинимальный коэф. передачи тока базы, h21Э2 min 60

По статическим ВАХ выбранного транзистора находим:

h11Э2 = 36.36 Ом ,

3 = 1 / h12Э2 = 1 / 0.022 = 45.45 .

 

Рассчитываем ток базы VT2

 

IБ2 = Iк2 / h21Э2 min = 7.210-3 / 60 = 1.210-4 А. (4.10)

 

Находим сопротивление резистора R3

 

R3 = (Uн + Uбэ3) / IR3 = (15 + 0.7) / 510-4 =31400 Ом. (4.11)

 

Выбираем ближайший по стандарту номинал с учетом рассеиваемой на резисторе мощности

 

РR3 = (Uн + Uбэ3) IR3 = (15 + 0.7) 510-4 = 7.8510-3 Вт. (4.12)

 

 

В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор типа МЛТ- 0.125 33 кОм 5%.

Источником эталонного напряжения берем параметрический стабилизатор напряжения на кремневом стабилитроне VD2 из расчета

 

UVD2 = 0.7 Uн = 0.7 15 = 13.5 В. (4.13)

 

Выбираем тип стабилитрона и выписываем его основные параметры:

стабилитрон 2С213Б;

I VD2 = 510-3 А средний ток стабилизации;

r VD2 = 25 Ом дифференциальное сопротивление стабилитрона.

Вычисляем сопротивление резистора R4, задавши средний ток стабилитрона (I R4 = I VD2)

 

R4 = 0.3 Uн / I R4 = 0.3 15 / 510-3 = 900 Ом. (4.14)

 

Мощность, рассеиваемая на резисторе R4, равняется

 

РR4 =0.3Uн I R4 = 0.315 510-3 = 22.510-3 Вт. (4.15)

 

В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор типа МЛТ- 0.125 910 Ом 5%.

Определяем начальные данные для выбора транзистора VT4. Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер транзистора

 

Uк4max = Uн + Uбэ3 + Uбэ2 - UVD2 = 2.90 В (4.16)

 

Задаем ток коллектора VT4 меньшим нежили средний стабилитронаVD2

I К4 = 410-3 А .

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора VT4

 

Р2 = Iк4 Uк4 max = 410-3 2.90 = 11.610-3 Вт (4.17)

 

 

По полученным значениям Uк4 max , Iк4 , Р4 выбираем тип транзистора и выписываем его параметры:

 

Марка транзистораКТ312ВТип транзистораNPNДопустимый ток коллектора, Iк доп30 мАДоп. напряжение коллектор-эмиттер, Uк доп 15 ВРассеиваемая мощность коллектора, Pпред 0.22 ВтМинимальный коэф. передачи тока базы, h21Э4 min 50

По статическим ВАХ выбранного транзистора находим:

h11Э4 = 208,3 Ом ,

3 = 1 / h12Э4 = 1 / 0.034 = 29.41

 

Рассчитываем ток базы VT4

 

IБ4 = Iк4 / h21Э4 min = 410-3 / 50 = 810-5 А. (4.18)

 

Ток последовательно соединенных резисторов R5, R6, R7 берем равным 5Iб4 и определяем суммарное сопротивление делителя

 

Rдел = Uн / Iдел = 15 / (5 810-5) = 37500 Ом. (4.19)

 

 

Находим сопротивления резисторов:

 

R5 = 0.3 Rдел = 0.3 37500 = 11250 Ом;

R6 = 0.1 Rдел = 0.1 37500 = 3750 Ом;

R7 = 0.6 Rдел = 0.6 37500 = 22500 Ом. (4.20)

 

В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор R5 типа МЛТ- 0.125 11 кОм 5%, резистор R7 типа МЛТ- 0.125 22кОм 5% . Резистор R6 выбираем СП3-44 0.25Вт 3.3кОм.

 

 

 

Рабочее напряжение стабилитрона VD1 определяем из соотношения

UVD1 = 0.1 Uвх max = 0.1 22 = 2.2 В. (4.21)

 

Выбираем тип стабилитрона и выписываем его основные параметры:

стабилитрон 2С119А;

I VD1 = 510-3 А средний ток стабилизации;

r VD1 = 15 Ом дифференциальное сопротивление стабилитрона.

Вычисляем сопротивление резистора R1, задавши средний ток стабилитрона (I R1 = I VD1)

 

R1 = 0.9 Uвх max / I R1 = 0.9 22 / 510-3 = 3960 Ом. (4.22)

 

Мощность, рассеиваемая на резисторе R1, равняется

 

R1 = 0.9Uвх max I R1 = 0.9 22 510-3 = 9910-3Вт (4.23)

 

В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор типа МЛТ- 0.125 3.9 кОм 5%.

 

Определяем начальные данные для выбора транзистора VT1. Рассчитываем ток коллектора транзистора VT1

 

Iк1 = Iк4 + Iб2 = 410-3 + 1210-5 =41210-5 (4.24)

 

Находим напряжение коллектор-эмиттер VT1

 

Uк1max = Uвх max - UR2 + Uк4max - UVD2 = 4.1 В, (4.25)

 

где UR2 = UVD1 - Uбэ1 падение напряжения на резисторе R2.

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзисторa VT1

 

Р1 = Uк1max Iк1 = 4.1 41210-5 = 1610-3 Вт. (4.26)

 

 

По полученным значениям Uк1 max , Iк1 , Р1 выбираем тип транзистора и выписываем его параметры:

 

Марка транз?/p>