Расчет генератора кадровой развертки
Дипломная работа - Компьютеры, программирование
Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование
ливается рабочая точка на семействе выходных статических характеристик со значениями, позволяющими усиливать сигнал, внося в него минимум искажений. Необходимо позаботиться и о том, чтобы транзистор не выходил за пределы рабой области (не входил в режим насыщения или отсечки). Iко = 0,6А, Uкэ = 15В, Iбо = 0,025А, Uбэ = 0,6В
Резистор R22 в эмиттерной цепи служит для образования ООС, его значение следует принять равным R22 = 2,7 Ом.
Резистор R23 в коллекторной цепи, служащий совместно с диодом VD2 и конденсатором С7 для ограничения импульсов, следует принять равным R23 = 3,3 кОм
Ток делителя, образованного резисторами R20, R21 принимается равным (3 - 5)Iбо = 3*0,025 = 0,075А. Напряжение на резисторе R20 равно сумме напряжений на переходе база-эмиттер транзистора и резисторе R22. Так как номинал R22 очень мал, то напряжение на нём тоже мало. Следовательно, R20 = 0,6/0,075 = 8 Ом.
Напряжение на резисторе R21 примерно равно напряжению питания, следовательно R21 = 36/(0,075 + 0,025) = 360 Ом
Номиналы элементов R18, R19, входящих цепочку коррекции линейности изображения в нижней части следует выбирать в 3 - 5 раз большими элементов делителя. Значит примем R18 = 470 Ом, R19 = 5,4 кОм.
Разделительные конденсаторы следует выбирать как можно большей ёмкости, чтобы обеспечить беспрепятственное прохождение низкочастотного сигнала. Учитывая требования к весогабаритным параметрам устройства примем номиналы элементов C5=C6=C7= 200мкФ.
Предвыходной каскад.
Предвыходной каскад должен обеспечивать управляющий сигнал необходимой величины и формы. При расчете каскада необходимо учитывать нелинейность проходных и входных характеристик транзистора. Современные транзисторы средней мощности (типа КТ502Е) имеют сравнительно линейные характеристики iк = f(iб) и резко нелинейные входные характеристики iб = f(Uб). Это означает, что при известной форме коллекторного тока базовый ток должен иметь практически ту же форму, в то время как форма управляющего напряжения вследствие нелинейной зависимости iб = f(iб) оказывается более сложной. Поэтому при расчёте проще оперировать с током базы, чем с напряжением на базе.
Чтобы получить полный размах коллекторного тока Iкр выходного каскада импульс тока базы должен быть равен:
Зная необходимую величину импульса базового тока, по входным вольтамперным характеристикам выбранного транзистора определим импульс входного напряжения и вычислим входное сопротивление:
Величина коллекторного сопротивления Rк предвыходного каскада, выполненного по схеме с общим эмиттером, выбирается из условия возможно меньшего шунтирования входного сопротивления:
По полученным выше значениям амплитуды тока, которую необходимо получить на выходе промежуточного каскада устанавливается рабочая точка на семействе выходных статических характеристик со значениями, позволяющими усиливать сигнал, внося в него минимум искажений и управлять выходным каскадом. Необходимо позаботиться и о том, чтобы транзистор не выходил за пределы рабой области (не входил в режим насыщения или отсечки). Iко = 0,03А, Uкэ = 15В, Iбо = 0,06мА, Uбэ = 0,6В
Резисторы в эмиттерной цепи, служащие для образования ООС следует выбрать малых номиналов. Примем R15 = 2,7 Ом, R16 = 4,7 Ом.
Напряжение на резисторе R17 = Eп - Uкэ - UR15 - UR16 = 36 - 15 - 2,5 = 18,5В. Ток через него равен сумме токов Iко + Iбо + Iд. По закону Ома получим: R17 = 18,5/(0,03 + 0,00006 + 0,0003) = 610 Ом.
Напряжение на R12 равно Uбэ + 2,5 = 0,6 + 2,5 = 3,1 В. Следовательно R12 = 3,1/0,0003 = 11 кОм
Сумма сопротивлений R13, R14 равна: R13 + R14 = 15/0,00036 = 42 кОм. Обычно принимают значение R14 = 1/3R13. Получаем: R13 = 30 кОм, R14 = 12 кОм
Блокинг-генератор.
При известных величинах эквивалентного нагрузочного сопротивления (обычно берётся 500 - 1000 Ом) и собственного сопротивления базы Rб транзистора, устойчивый режим генерации имеет место, когда коэффициент трансформации блокинг-трансформатора, равный отношению числа витков базовой обмотки к виткам коллекторной обмотки равен:
Величину Rб можно определить по импульсным характеристикам. Рассчитанный коэффициент трансформации из условия наименьшей длительности импульсов должен удовлетворять условию самовозбуждения:
где Кв - коэффициент положительной ОС.
По известной формуле для длительности импульсов
которая является заданной (обычно tи = 0,3 - 0,5Т0), определяется величина произведения LбCб (Lб - индуктивность базовой обмотки, Cб - частотно-задающая емкость). На основании сказанного:
Задаваясь приемлемой величиной ёмкости Сб = 20мкФ, определяем величину индуктивности базовой обмотки:
Величина индуктивности коллекторной обмотки рассчитывается по формуле:
Емкость зарядного конденсатора Сз в цепи формирования пилообразного напряжения находиться из условия наименьшего напряжения на зарядном конденсаторе, что необходимо для получения минимального тока через транзистор во время обратного хода. Это условие выполняется при
Так как схема блокинг-генератора использовалась с уже рассчитанными элементами нецелесообразно производить повторный расчёт. Номиналы элементов перечислены ниже.
R1 = 10кОм, R2 = 10кОм, R3 = 270 Ом, R4 = 3,9кОм, R5 = 200кОм, R6 = 9,1кОм, R7 = 10кОм, R8 = 430 Ом, С1 = 15мкФ, С2 = 5мкФ, С3 = 50мкФ.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Первые транзисторные генераторы кадровой развертки для цветных телевизоров, имеющих кинескоп с углом отклонения лучей 90, строились по той же структурной схе