Разработка интегральных микросхем
Курсовой проект - Разное
Другие курсовые по предмету Разное
p> мкм;
(9)
Максимальные напряжения переходов (коллектор база, эмиттер база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:
(10)
В
(11)
В
(12)
В
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(13)
Емкость перехода коллектор-база и эмиттер база определим как:
(14)
Ф;
(15)
Ф;
Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
(16)
А;
Обратный ток коллектора определяется по формуле:
(17)
А;
3.2.2 Расчет параметров диода Д303
Ширина эмиттера Rэ=3?, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2
Длина эмиттера:
; (18)
мкм
Длина базы:
(19)
Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :
(20)
Ом
(21)
Ом
где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/?; (100 300) Ом/?; (1 10) кОм/?; hк толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб глубина залегания p-n перехода база коллектор, см, (1 - 3) мкм; ?к удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 1)
Ширина базы составляет :
(22)
где =(0,5 2,5) мкм
Wb= 5E-7 мкм
Коэффициент переноса вычисляется по формуле:
(23)
где - диффузионная длина базы, =(2 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,
=(0,11) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 1)*1017 ;
Коэффициенты , и высчитываются по формулам :
(24)
мкм;
(25)
мкм;
(26)
Максимальные напряжения переходов (коллектор база, эмиттер база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:
(27)
В
(28)
В
(29)
В
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(13)
Емкость перехода коллектор-база и эмиттер база определим как:
(30)
(31)
Ф;
Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
(32)
Обратный ток коллектора определяется по формуле:
(33)
А;
3.3 Расчет параметров резисторов
Резисторы формируют в любом из диффузионных слоев транзисторной структуры (эмиттерная и базовая области), в эпитаксиальном слое (коллекторная область) и с помощью ионного легирования. Вид резистора выбирают, исходя из заданного номинального значения и точности изготовления.
Основным конструктивным параметром диффузионного резистора является величина ?s, которая зависит от режима диффузии. Параметры диффузионного резистора улучшают подбором конфигурации и геометрических размеров.
Рассчитаем промежуточные и конечные параметры для резисторов, соответствующих данному курсовому проекту: 4.7кОм, 2.2 кОм, 2.2 кОм, 470 кОм.
Исходными данными для расчетов резисторов являются: R сопротивление резистора; ?R допуск; - поверхностное сопротивление легированного слоя; P0 максимально допустимая удельная мощность рассеяния; P среднее значение мощности.
Коэффициент формы резистора:
; (1)
где R сопротивление резистора, - поверхностное сопротивление легированного слоя;
Полная относительная погрешность сопротивления:
(2)
где - относительная погрешность воспроизведения; относительная погрешность коэффициента формы резистора; температурный коэффициент сопротивления; - температурная погрешность сопротивления, - рабочий диапазон температур, допуск (разброс параметров).
Минимальная ширина резистора, при которой обеспечивается заданная погрешность геометрических размеров:
(3)
где - абсолютная погрешность ширины резистивной полоски; - абсолютная погрешность длины резистивной полоски; - коэффициент формы резистора.
Минимальная ширина резистора, определяем