Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного ан...
Дипломная работа - Радиоэлектроника
Другие дипломы по предмету Радиоэлектроника
?N докум.Подп.ДатаРазраб.Лит.ЛистЛистовПров.Сигнатурный анализатор13N контр.Перечень элементовУтв.
Поз. обоз-начение
Наименование
Кол
Примечание
Микросхемы цифровые ГОСТ 17021-75DD1 К555ИД71DD2..DD8К555ИР277DD9, DD10 К555ИД72DD11К155ЛП41DD12К561ТМ21DD13..
DD16К555КП114ПереключателиSA1ПКН-411ПредохранителиFU10.5А1РазъемыX3Панель SLC-32, 32pin1LPT-портDB25-M, 25pin1
РезисторыR1..R32МЛТ-0.125 - 100К 10R33..R64МЛТ-0.125 - 27К 10R65..R96МЛТ-0.125 - 4.3К 10R97..R128МЛТ-0.125 - 100К 10R129..R160МЛТ-0.125 - 10К 10R161МЛТ-0.125 - 390 10%1R162МЛТ-0.125 - 270 10%1R163, R164МЛТ-0.125 - 1К 10% 2R165, R166МЛТ-0.125 - 360К 10%2R167МЛТ-0.125 - 10К 10%1ЛистППИ СПГТУ 2201.97.01 ПЭ12ИзмЛистN докум.Подп.Дата
Поз. обоз-начение
Наименование
Кол
ПримечаниеR168МЛТ-0.125 - 100К 10%1R169, R170МЛТ-0.125 - 10К 10%2R171C5-16-0.125 - 0.1 1%1R172..R180МЛТ-0.125 - 430 10%9R181..R194МЛТ-0.125 - 10К 10R195МЛТ-0.125 - 100К 10%1R196МЛТ-0.125 - 910 10%1R197МЛТ-0.125 - 1К 10%1R198СП5-3ВА-0.5 - 4.7К 10%1R199МЛТ-0.125 - 390 10%1R200МЛТ-0.125 - 10К 10%1
ТранзисторыVT1..
VT32КП30332VT33..
VT64КП30132VT65..
VT97 КТ315Б33VT98КТ815Б1VT99..
VT104КТ814Б6VT105..
VT107КТ815Б3VT108..
VT111КТ361Б4VT112КТ315Б1VT113КТ361Б1VT114КТ815Б1ТрансформаторыT1ТПП207-127/220-501ЛистППИ СПГТУ 2201.97.01 ПЭ13ИзмЛистN докум.Подп.Дата
- Основные параметры тестируемых микросхем.
а) ТТЛ микросхемы [3,4] (при Uпит.=5в):
ПараметрК155К555К531КР1531U1вх. мин., В2222U0вх. макс., В0.80.80.80.8U0вых. макс., В0.40.50.50.5I0вых. макс., мА16820U1вых. мин., В2.42.72.72.7I1вых., макс., мА-0.8-0.4-1I1вых. макс. с ОК, мкА250100250I1вых. макс. сост. Z, мкА402050I0вых. макс. сост. Z, мкА-40-20-50I1вх. макс., мкА40205020I0вх. макс., мА-1.6-0.4-2.0-0.6Iк.з. макс., мА (U0вых=0)-(1855)-100-100-(60150)tзд. Р., нс99.533Rн, кОм0.420.280.28Pпот., мВт102194
б) КМОП микросхемы [3,4] (при Uпит.=10в):
ПараметрК176К561КР1561U1вх. мин., В777U0вх. макс., В333Iвх. макс., мкА0.10.20.3U0вых. макс., В0.32.91I0вых. макс., мА0.31.1U1вых. мин., В8.27.29I1вых. макс., мА0.3-1.1tзд. Р., нс600620190
- Описание и распайка LPT-порта (нормальный режим) [7].
ПортБитКонтакт разъемаОписание378H0
1
2
3
4
5
6
72
3
4
5
6
7
8
9используется для записи
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-379H0-2
3
4
5
6
7-
15
13
12
10
11не используются
используется для чтения
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-37AH0
1
2
3
4-71
14
16
17
-используется для записи
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-
-тАЬтАЭ-
не используются
- Подпрограмма инициализации устройства.
INITPROC NEAR; начало подпрограммы инициализации
pushax; Запоминаем значения регистров ax и dx
pushdx
movdx, 378h
moval, 7Fh
outdx, al; 7FH378H
movdx, 37AH
moval, 7
outdx, al; 07H37AH
moval, 0Fh
outdx, al; 0FH37AH
movdx, 378h
moval, 0
outdx, al; 00H378H
movdx, 37AH
moval, 5
outdx, al; 05H37AH
moval, 0Dh
outdx, al; 0DH37AH
moval, 6
outdx, al; 06H37AH
moval, 0Eh
outdx, al; 0EH37AH
pop dx; Восстанавливаем значения регистров
popax; dx и ax
INITENDP; конец подпрограммы инициализации
- Подпрограмма тестирования микросхемы.
b_data db 02h ; Данные по коммутации
db 05h ; Макс. ток
dw 4 ; Число циклов тестирования
; Далее идут 32 байта данных:
dd 00000000000000000000000000000000b ; запись
dd 00000000010010010100100000000000b ; сверка
dd 00000000001001000001001000000000b ; запись
dd 00000000010010010100100000000000b ; сверка
dd 00000000000100100010010000000000b ; запись
dd 00000000010010010100100000000000b ; сверка
dd 00000000001101100011011000000000b ; запись
dd 00000000010000000000000000000000b ; сверка
TESTING PROC NEAR; начало подпрограммы
; тестирования
push bx; сохраняем регистры в стеке
push cx
push dx
mov bx, offset cs:b_data ; регистр BX - указатель
; на данные
mov al, cs:[bx]; загрузка в AL данных по
; коммутации
mov ah, 7; выбор регистра коммутации (DD6)
call write_r; запись AL в регистр коммутации
and al, 01000000B; выделяем 6-й бит
; (тип микросхемы)
jnz kmop
mov al, 142; напряжение питания - +5в,
; если ТТЛ
jmp end_u
kmop: mov al, 255; напряжение питания - +9в,
; если КМОП
end_u: mov ah, 5; выбор регистра управления
; напряжением (DD7)
call write_r; запись AL в регистр управления
; напряжением
inc bx; ставим указатель на макс. ток
mov al, cs:[bx]; загрузка в AL данных по току
add al, 7; коррекция данных по току на 7мА
mov al, 6; выбор регистра управления током
; (DD8)
call write_r; запись AL в регистр управления
; током
inc bx; ставим указатель на число
; циклов
mov cx, cs:[bx]; загружаем число циклов в
; регистр CX
inc bx
cycle: mov dl,0; внешний цикл записи (по CX)
wr1: mov al, cs:[bx]; внутренний цикл записи
; в 4 регистра (DD2-DD5)
call write_r; по регистру DL
inc bx
inc dl
cmp dl, 4
jnz wr1
mov dl,0
rd1: mov ah, dl; внутренний цикл чтения и
; сравнения данных, считанных из
call read_r; 4-х мультиплексоров (DD13-DD16)
mov ah, cs:[bx]; и указателя [BX];по регистру DL
cmp al, ah
jnz error
inc bx
inc dl
cmp dl, 4
jnz rd1
loop cycle
good: mov al, 0; выход из п/п с AX=0 в случае,
; если все OK
jmp exit
error: mov al, 0FFH; выход из п/п с AX=0FFH в случае
; ошибки
exit: pop dx; восстанавливаем регистры при
; выходе
pop cx
pop bx
TESTING ENDP
WRITE_R PROC NEAR
; процедура записи значения в регистры DD2-DD8
; Входные параметры: AL - записываемое значение
; AH - номер регистра
; (0-DD2, 1-DD3, 2-DD4, 3-DD5, 5-DD7, 6-DD8, 7-DD6)
push ax ; сохраняем используемые регистры
; в стеке