Проектирование участка по изготовлению широкодиапазонного генератора импульсов
Реферат - Радиоэлектроника
Другие рефераты по предмету Радиоэлектроника
41. Абсолютные показатели.
Годовой выпуск продукции:
в натуральном выражении
в денежном выражении
шт.
руб.
01
02
677
171325,7 Общая стоимость основных производственных фондов:
а) зданий
б) оборудования руб.
руб.
руб.03657240,24
617190
40050,24 Общая внутренняя площадь:
а) производственная
б) вспомогательнаям
-
-04101,2
46
55,2 Количество рабочих мест всего:
а) производственного
оборудования
б) верстачно- рабочих местединиц
-
-054
3
1Численность промышлено-производственного персонала
В том числе: производственных
рабочих
из них основных
производственных рабочих
чел.
чел.
чел.06
8
5
4
- Относительные показатели.
производственного рабочего:
а) в натуральном выражении
б) в денежном выражении
шт./чел.
руб./чел.07
169
42768,158 Выпуск продукции на одного
работающего:
а) в натуральном выражении
б) в денежном выражении
шт./чел.
руб./чел08
85
21510,611 Фондоотдачаруб./руб.094,3 Выпуск продукции на 1 м2
производственной площади.
руб.
10
14 Общая площадь на единицу
производственного оборудования
м2
11
11,5 Трудоемкость изготовления
единицы продукции.
нормо-ч
12
5,39 Средняя загрузка оборудования.47,8 Коэффициент сменности работы
оборудования.
114
1 Себестоимость единицы
продукции.
руб.15
253,07
Заключение.
В данном курсовом проекте был произведен расчет по проектированию участка по изготовлению широкодиапазонного генератора импульсов. Данные расчеты применены к ручной сборке, для повышения эффективности производства и снижения трудоемкости можно применять автоматизированную сборку такую как пайка волной что увеличит выпуск изделий и повысит их качество.
Список литературы.
- Экономика и организация производства А. М. Геворкян. 1982 г. 136стр.
- Проектирование технологических процессов изготовления РЭА В.В. Павловский 1982. 160стр.
- Дипломное проектирование в машиностроительных техникумах Нефедов 1982. 240 стр.
Фор матЗо на Поз.ОбозначениеНаименованиеКол- воПриме чаниеКонденсаторыC1,С5500 МкФ * 5 В2C210 МкФ * 15 В1C3,С650 МкФ * 6 В2C42000 МкФ * 15 В1МикросхемыDD1К 131ЛА31DD2К 155ЛА31DD3- DD5К155ИЕ13DD6К155ТВ11DD7К155ТМ21ДиодыVD1,VD3КД-503А2VD2КД-2121ТранзисторыVT1,VT2КТ-6032VT3, VT5КТ-9042VT4КТ-9081резисторыR1,R4,R7 МЛТ 0,25 150 Ом 5%3R2,R9МЛТ 0,25 1,5 kОм 5%2R3МЛТ 0,25 4,7 kОм 5%1R6,R8,R10МЛТ 0,25 470 Ом 5%3R12.R15МЛТ 0,25 1 kОм 5%2R16.R17МЛТ 0,25 2,2 kОм 5%2R13МЛТ 0,25 680 Ом 5%1R5,R11,R14ВП 1 32 ОЖО 468 ТУ3РазъемХ12УМО-141ЛистХТКЭ.КП.4117.000.ПЗИзм.Лист№ДокумПодписьДата