Проектирование быстродействующего устройства ЭВМ с интеграцией
Курсовой проект - Компьютеры, программирование
Другие курсовые по предмету Компьютеры, программирование
°ния, материалов контактной пары и их покрытий, точности изготовления и частоты обработки, величины контактного усилия.
Помимо параметров надежности контактная пара характеризуется переходным сопротивлением (0,01-0,02 Ом), максимальным рабочим током, нестабильности переходного сопротивления (20-30%), максимальной частотой тока, усилием соединения и разъединения контактов, износоустойчивостью и допустимым условиям эксплуатации.
НУС соединитель имеет число контактов, равное числу выводов МКМ, и включает в себя так же ключ, необходимый для правильного соединения с МКМ, а также нумерацию контактов для правильной установки на МПП.
10. Технологическая часть
Технология производства МКМ представляет собой результат развития технологии изготовления БИС, однако, в связи с увеличением степени интеграции и уменьшением размеров рисунка, необходимо обеспечить более высокую точность обработки.
В общем случае технологический процесс изготовления МКМ можно разделить на две составные части:
- Технологический процесс изготовления коммутационного элемента конструкции (кристалла)
- Технологический процесс сборки МКМ (безкорпусирование)
Технологический процесс изготовления кристалла МКМ включает в себя:
- экспонирование
- формирование рисунка
- изготовление шаблонов
- травление
- диффузии
- имплантации ионов
- химическое осаждение из газовой фазы
- термическое окисление.
Достижение высокой точности обработки сопряжено с решением сложных технических проблем. Точность горизонтальной структуры МКМ определяется точностью формирования рисунка на слое резиста в процессе экспонирования, совмещения слоев, а также точностью диффузии и травления. Точность вертикальной структуры определяется точностью изготовления пленок методом химического осаждения из газовой фазы, а также точностью определения глубины травления и процесса диффузии.
Технологический процесс сборки МКМ включает в себя:
- крепление коммутационного элемента на керамическое основание корпуса
- распайка микропроволокой соответствующих контактов кристалла на контактные площадки керамической подложки
- очистка паяных соединений и внутренних частей МКМ
- герметизация корпуса МКМ с откачкой воздуха из внутренних частей корпуса
- маркировка МКМ
- окончательный контроль
Заключение
В данной курсовой работе была выполнена разработка МКМ с интеграцией 125000 ЭЛЭ. Полученная на этапе проектирования МКМ удовлетворяет всем условиям заданным в ТЗ, что делает ее актуальной для использования в настоящие время.
Литература
1.Микитин В.М., Смирнов Н.А., Тювин Ю.Д. Электронное конструирование ЭВМ. Основы компоновки и расчета параметров конструкций: Учебное пособие / Моск. гос. ин-т радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). - М.: 2000.
2.Основы построения технических средств ЕС ЭВМ на интегральных микросхемах / В.В. Саморуков, В.М. Микитин, В.А. Павлычев и др. под общей редакцией Б.Н. Файзулаева. - М.: Радио и связь, 1981.
.Преснухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование электронных вычислительных машин и систем. Учеб. для втузов по спец. "ЭВМ" и "Конструирование и производство ЭВА". - М.: Высш. шк., 1986.
.Савельев А.Я., Овчинников В.А. Конструирование ЭВМ и систем: Учеб. для вузов по спец. "Выч. маш., компл., сист. и сети".2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1989.
.Применение интегральных микросхем в электронной вычислительной технике: Справочник / Р.В. Данилов, С.А. Ельцова, Ю.П. Иванов, В.М. Микитин и др.; Под ред. Б.Н. Файзулаева, Б.В. Тарабрина. - М.: Радио и связь, 1987.
.Таруи Я. Основы технологии СБИС: пер. с япон. - М.: Радио и связь, 1985.