Проектирование автогенератора с кварцевым резонатором в контуре

Реферат - Экономика

Другие рефераты по предмету Экономика

 

Министерство общего и профессионального образования

 

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет

 

 

Кафедра ИИСТ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пояснительная записка по курсовой работе:

“Разработка и расчет экранированного

автогенератора”

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Студент гр.6561:Виноградов К.Ю.

Преподаватель:Пыко С.М.

 

Санкт-Петербург

16/12/99

 

 

 

Содержание:

1. Задание.

2. Расчет схемы автогенератора.

2.1. Расчет аппроксимированных параметров транзистора.

2.2. Расчет параметров колебательной системы

2.3. Расчет режима работы транзистора.

2.4. Расчет элементов цепей питания.

3.Настройка колебательного контура автогенератора. Выбор катушки индуктивности.

4. Выбор элементов.

5. Размещение элементов на печатной плате.

6. Расчет экрана.

6.1. Расчет толщины экрана t.

6.2. Расчет эффективности реальной составляющей экрана.

6.3. Расчет эффективности идеальной составляющей экрана.

6.4. Расчет конечного значения эффективности экранирования.

6.5. Дополнительные меры для получения требуемой эффективности экранирования.

7. Вывод по проделанной работе.

8.Литература.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1. Задание.

Проектирование автогенератора с кварцевым резонатором в контуре.

 

CН, пкФRН, ОмKЭ, дБfкв, МГцRкв,ОмQкв,тысC0, пкФ4600754,9999227,5915,7

Рассчитать электрическую схему транзисторного автогенератора и разработать его конструкцию.

Предложить методику настройки автогенератора.

Конструкция автогенератора должна учитывать наличие электромагнитного экрана, расчитанного на частоты близкие к частоте автогенератора и обеспечивать заданную эффективность подавления помех.

 

2. Расчет схемы автогенератора.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассчитаем колебательную систему автогенератора, работающего на частоте 4,99992 МГц и выполненного на транзисторе ГТ313.

1.1

ГТ313

NPN-переход

Ge

Основные параметрыFг, МГцSгр, А/В0, , , rб, Ом450-10000.0550-0,252,51,2560 , , Iкд, А tд, CR, С/ВтPкд при t=25C Bт120,50,03705000,09

Таблица 1.2

ЧастотаРекомендуемая PКВ, мВтДопустимая PКВ. д., мВтдля термоста-тируемых резонаторовдля нетермос-татируемых резонаторовдля термоста-тируемых резонаторовдля нетермос-татируемых резонаторовСвыше 800 при колебаниях на основной частоте

0,500

1,00

1,00

2,00

2.1. Расчет аппроксимированных параметров транзистора.

Зададимся мА; =-5В; =700 (1=0,436; 0=0,253) и определяем

МГц

2.2. Расчет параметров колебательной системы

m=0,1.

Амплитуда первой гармоники IК1 коллекторного тока:

R0

2.3. Расчет режима работы транзистора.

Амплитуда напряжения на коллекторе В

Постоянное напряжение на коллекторе В

Проверяем условие недонапряженного режима

В

Эквивалентное сопротивление колебательной системы автогенератора

, , ,

.

&#