Аналогові електронні пристрої

Контрольная работа - Компьютеры, программирование

Другие контрольные работы по предмету Компьютеры, программирование

4. Потрібна напруга живлення

 

(2.4)

 

= 64 В.

де Uк min - напруга на колекторі, що відповідає початку лінійної частки характеристик колекторного струму. Приймаємо Uк min = 1,0 В.

5. Вибираємо потужні транзистори протилежного типу провідності (так звану комплементарну пару) VT4 і VT5 за потужністю Р~ і . За довідковими даними позначаємо середнє значення bо. Транзистори, які можуть бути використані в даній схемі - це КТ 816В та КТ 817В, їхні параметри: КТ 818АКТ 819А

Pк max = 25 Вт,Pк max = 25 Вт,

Uкбо = 60 B,Uкбо = 60 B,

h21е 25,h21е 25,ІКМ = 3А, ІКМ = 3А,

fa 3 МГц, fa 3 МГц,

тир p-n-pтир n-p-n

Приймаємо середнє значення bо рівним 25 для VT4 і VT5.

6. Підсилювач класу АВ повинен мати достатньо великий струм спокою у момент переходу сигналу через нуль, тобто тоді протягом деякого інтервалу часу обидва транзистори находитимуться у стані провідності, що забезпечується за допомогою діодів VD1…VD3 зміщених у прямому напрямку. Вони повинні забезпечити потрібну напругу зміщення DU. Яка створюється сумою напруг база-емітер Uбе обох транзисторів VT4 і VТ5 і Іо (R7 + R8), тобто DU = 2Uбе + Іо (R7 + R8). Звичайно приймають для потужних транзисторів Uбе = 0,6В (кожному транзистору потрібні 0,6 В на переході база-емітер для того, щоб через нього протікав помітний струм).

Струм спокою Іо слід вибрати з мінімуму перехідних нелінійних спотворень. Якщо потужність на гучномовці обмежена 1 Вт, то Іо = 5…10 мА. Для потужності 10…30 Вт - Іо = 40…60 мА. Тому обираємо струм спокою рівний Іо = 60 мА. Опір резисторів R7,R8 вибирають не більш як декілька ом або менше, а падіння напруги на них дорівнює не більш декількох частин вольта. Разом з тим вони ввімкнути послідовно з Rн і тому зменшують потужність, яка віддається в навантаження. Виходячи з цього доцільніше прийняти Іо (R7 + R8) = Uбе= 0,6В і визначаємо R7 = R8, тобто

 

R7 = R8 = Uбе / Іо 2 (2.5)

 

R7 = R8 = 0,6/ (100 10-3 2) = 3 Ом.

Із ряду номіналів Е24 приймаємо резистори рівні 3 Ом.

Приймаємо потужність резисторів рівною 0,125 Вт.

Для роботи транзисторів VT4 і VТ5 потрібні 0,6 В на переході база-емітер, для цього потрібні три діоди, кожен з котрих дає Uд = 0,6 В.

7. Вибираємо діоди 2Д 106А. Находимо з ВАХ (додаток Б)

струм Ід = 20 мА, який потрібен для отримання Uд.

8. Вхідний сигнал до двотактного каскаду знімається з колектора проміжного каскаду на VT3, у якому R6 є колекторним резистором і формує струм Ід для зміщення діодів, тому струм спокою VT3 І03 = Ід = 20 мА, а на резисторі R6 падає приблизно -Еж". Визначаємо опір резистора

 

R6 = Еж / Іоз. (2.6)

 

R6 = 64/0,02 = 3,2 кОм.

Із ряду номіналів Е24 приймаємо резистор рівний 3,24 кОм.

9. За номінальним вихідним струмом і середнім коефіцієнтом підсилення за струмом b0 вибраних транзисторів VT4, VT5 струм колектора VT3.

(2.7)

 

0,156 А.

10. Потужність, яка розсіюється транзистором VT3 у режимі спокою,

 

Р3 = Еж І03. (2.8)

 

Р3 = 64 0,02= 6,4 Вт.

Вибираємо транзистор VT3 за критерієм надійності. ГТ 406В

Pк max = 10 Вт,

Uкбо = 80 B,

h21е 30,ІКМ = 5А,

fa 3 МГц,

тир p-n-p

Позначаємо b3 = 25

11. База транзистора VT3 приєднана до колектору VT1, тому резистор R2 треба вибрати таким, щоб струм спокою VT1 створював падіння напруги UR2 = UД, тоді струми ІК1 і ІК2 диференційної пари будуть рівні між собою. Виходячи з цього UR2 = Uд = 0,6 В. Вибираємо значення струмів ІК1 = ІК2 (диференціальний каскад працює з малими струмами, наприклад 1 мА), тоді визначаємо:

 

R2 = UR2/ІК1. (2.9)

 

R2 = 0,6/1 10-3 = 600 Ом.

Із ряду номіналів Е24 приймаємо резистор рівний 620 Ом.

Приймаємо потужність резистора рівною 0,125 Вт.

12. Потенціал емітерів VT1,VT2 в режимі спокою можна прийняти рівним нулю, тоді струм

 

Іе = Іе1 + Іе2 = (-Еж) / R3. (2.10)

 

Звичайно:

 

Іе @ ІК1 + ІК2 (2.11)

 

Іе = 1 • 10-3 + 1 • 10-3 = 2 мА

Визначаємо R3 за формулою:

 

R3 = (-Еж) / Іе. (2.11), R3 = 64/2 • 10-3 = 32 кОм.

 

Із ряду номіналів Е24 приймаємо резистор рівний 32,4 кОм. Приймаємо потужність резистора рівною 0,125 Вт.

13. Для забезпечення міцності на пробій VT1 і VT2 слід вибрати транзистори, які мають:

 

Uке 2 Еж, (2.12)

 

Uке 2 64 128 В.,

малий тепловий струм і достатнє високий коефіцієнт. За даними параметрами вибираємо транзистори КТ 630В.

Uке max = 150 B,

h21е = 40...120,ІКМ = 1 А,

fa 3 МГц,

Визначаємо середній коефіцієнт підсилення транзисторів:

b1 = b2 = (40 + 120) / 2 = 80.

14. Коефіцієнт підсилення підсилювача по напрузі:

(2.13)

 

= 11,1.

15. Для сигналу коефіцієнт зворотного звязку bзз = R5/ (R4+R5). Треба вибрати опір R4. Звичайно для симетричної роботи диференціального підсилювача опори баз VT1 і VT2 повинні бути рівними, тобто R4 = R1. Паралельне зєднання R1 та опір з боку бази VT1 визначає вхідний опір підсилювача. З цих умов вибираємо R4 = R1 = 50…100 кОм.

Із ряду номіналів Е24 приймаємо резистори номіналом 50 кОм.

Приймаємо потужність резисторів рівною 0,125 Вт, тому, що через них протікають малі струми.

Тоді:

 

R5 = R4/ (Кu - 1). (2.14)

 

R5 = 50 103/ (11,1 - 1) = 5 кОм.

Струми через резистор протікають не значні, тому приймаємо його потужність рівною 0,125 Вт.

16. Ємність конденсатора кола зворотного звязку С2 розраховується виходячи з нижніх граничних частот fН

 

(2.15)

 

= 1,59 мкФ.

Із ряду номіналів приймаємо конденсатор рівний 2 мкФ.

17. Ємність розділювального конденсатора визначається з умови:

1/wC1 = Rвх / 10, (2.16)

 

де Rвх @ R1, звідси:

 

(2.17)

 

= 0,16 мкФ.

Із ряду номіналів приймаємо конден