Приемники непрерывных сигналов
Курсовой проект - Компьютеры, программирование
Другие курсовые по предмету Компьютеры, программирование
напряжение на входе детектора, равное (0.5…1)В для АД, СД, ЧД (с настроенными или расстроенными контурами ) и (30…50)мВ для дробного ЧД;
=5…10 коэффициент запаса.
Берем транзистор КТ 342 В
= (45)
Найдём прямую и обратную проводимости транзистора:
== (46)
= (47)
коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется:
(48)
N=4
4.Определить усиление в тракте низкой частоты.
Коэффициент усиления в тракте низкой частоты равняется:
(49)
где =2…5 коэффициент запаса,
=(0,8…0,9)
= (50)
Определяем напряжение в нагрузке:
=В (51)
В тракте низкой частоты для обеспечения необходимого усиления целесообразно использование микросхем, некоторые из которых приведены в Приложении 4.
Параметры и схемы включения микросхем серии К226, предназначенные для усиления низкой частоты.
Таблица 4.
Серии МС(кГц)К 226 УН1А,Б,С250…3500, 2…100+12,-6
Входная емкость микросхемы не 226 превышает 20пФ.
9. Определение числа каскадов приемника, охватываемых АРУ
В ТЗ приведен коэффициент регулирования АРУ, показывающий динамический диапазон изменения входного и выходного сигнала. Для проведения дальнейших расчетов эти динамические диапазоны надо перевести дБ по напряжению и вычислить динамический диапазон АРУ:
(52)
Число охватываемых каскадов N равняется:
(53)
где - динамический диапазон регулировки одного каскада
(54)
- число охватываемых каскадов АРУ
10.Составление структурной схемы проектируемого приемника
Обобщенная структурная схема приемника приведена на рис.4
Рис.4
Особенности построения структурной схемы приемника следующие:
в диапазонном приемнике необходимо показать сопряженную перестройку каскадов ВЦ, УСЧ и Г приемника;
около каждого вида устройства показать их количество N=? и тип фильтров (ОКК; ДПФ, ФСС), а также тип микросхемы;
ввести АРУ и показать какое количество усилительных каскадов охватывает система АРУ;
показать ЧАП или ФАП промежуточной частоты, уменьшающий запас по полосе приемника, если расчеты показали, что он необходим;
вместо Д, показанного на рис.4, необходимо ввести конкретный вид этого детектора:
для АТ сигналов АД,
для ЧТ сигналов ЧД ( перед обычным ЧД необходим ограничитель),
для сигналов с ОМ СД (синхронный детектор). Обычно СД это ФД, который формирует выходной сигнал с учетом не только разности фаз входных колебаний, но и их амплитуд. Для работы любого ФД необходимо опорное колебание. Для ОМ колебаний с остатком несущей опорное колебание выделяется в ФОН (фильтр остатка несущей) и поддерживается системой ФАП (рис.5). Для ОМ колебаний с полностью подавленной несущей опорное колебание формируется в высокостабильном генераторе (рис.6). Как следует из рисунков, перед СД ставится ФБП (фильтр боковой полосы), выделяющий спектр полезного сигнала, содержащийся в боковой полосе.
Рис. 5
Рис.6
Приложение 1
Параметры биполярных транзисторов
Тип транзистора (МГц) (Ом) (пФ) (пС)Шт (дБ) (Ом) (Ом)КТ 342 В300200400470075 50КТ 306 А500303055001530 100КТ 306 Б650306055001530 100КТ 3126 А50071002,51585 6КТ 3127 А600615011055 10КТ 316 А60017603501015 16,7КТ 316 Б,В800171203501015 16,7КТ 316 Г6001710031501015 50КТ 316 Д8001730031501015 50КТ 3128 А80071501556 5КТ 397 А800253001,340620 30,8КТ 3109 А80081511067 10ГТ 311 А7708701,85088 27,8ГТ 311 Б15008801,51005,18 66,7ГТ 311 Г15008601,5755,18 50ГТ 311 Д150071101,5755,18 50ГТ 329 А120022100215410 7,5Т 341 А195060601104,530 10КТ 382 А225033302633 3КТ 382 Б225033300,75,54,53 2,8КТ 372 А24002010193,58 9КТ 372 Б30002010193,58 9КТ 371 А3600102001,21058 8,3Т 3624800520011048 10ГТ 362 Б480052000,53048 6КТ 391 А700081500,73,74,57 5,3КТ 391 Б7000815013,74,57 5,3КТ 368 А700063001,7153,35 2,8КТ 368 Б700063001,7152,85 2,8КТ 3115 А-275009200,6957 15КТ 3124 А-2800062000,62,555 4,2КТ 610 А10000123004,155610 13,4КТ 610 Б7000123004,12265,4
Приложение 2
Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц.
При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где:
- прямая проводимость (крутизна) транзистора,
- обратная проводимость транзистора,
- выходная проводимость транзистора,
- входная проводимость транзистора.
Таблица 1
Параметры транзистораРасчетные формулы
где
,
При включении транзисторов в усилительный каскад по каскадной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2.
Таблица 2
Параметры транзистора в схеме с ОЭПараметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ
Приложение 3
Таблица отношений напряжений и мощностей
N (дБ)N (дБ)N (дБ)01,01,02,11,271,627,02,25,020,11,0121,0242,21,291,668,02,56,310,21,0241,0482,31,311,79,02,88,00,31,0351,072,41,321,7410,03,210,00,41,0471,092,51,341,811,03,5813,00,51,061,122,61,351,8212,04,016,00,61,071,142,71,3651,8613,04,520,00,71,0851,172,81,381,914,05,0225,10,81,0971,22,91,41,9515,05,6731,00,91,111,233,01,422,016,06,3140,01,01,121,263,11,4372,04817,07,151,01,11,1351,293,21,452,09618,08,064,01,21,1481,33,31,472,1419,08,9680,01,31,1611,33,41,4862,1820,0101001,41,171,33,51,52,2430,0321,51,191,43,61,522,2840,01001,61,21,43,71,542,3450,03201,71,221,483,81,5572,460,01,81,231,523,91,572,4670,01,91,2451,554,01,62,580,02,01,261,65,01,83,290,06,02,04,0100.0
Приложение 4
Параметры и схемы включения микросхем серии К 226, предназначенные для усиления низкой частоты
Серии МС(кГц)К 226 УН1А,Б,С250…3500,2…100+12,-6К 226 УН2А,Б,С25…350,02…100+12,-6К 226 УН3А,Б,С270…3300,02…100+6,-9К 226 УН4А,Б,С9…110,02…100+6,-9К 226 УН5А,Б,С90…1000,02…100+12,-6
Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают 20пФ.