Параметры полевого транзистора
Информация - Компьютеры, программирование
Другие материалы по предмету Компьютеры, программирование
ок расчёта
.Определяем основные электрические параметры.
2.Сопротивление полностью открытого канала при UЗИ = 0 и UСИ = 0 Находим, используя выражение удельное сопротивление исходного материала находим по заданной концентрации донорной примеси в канале с помощью графика Рис.6
Рис.6
Напряжение отсечки определяем по формуле
, где
- собственная концентрация носителей заряда. В кремния собственная концентрация носителей заряда равна . - постоянная Больцмана1,38 • 10-23 Дж •К-1 = 300 К - заряд електрона, = 1,6•10-19 Кл. Тогда будет равно
Диэлектрическая проницаемость кремния =12
Ёмкость затвора рассчитаем как барьерную ёмкость р-п перехода при напряжении на затворе Uзи = 0 для резкого перехода, что справедливо в случае неглубокой диффузии, когда градиент концентрации примеси в р-п переходе велик, или в случае сплавной технологии образования затвора, получаем
Максимальную (рабочую) частоту можно найти по формуле
3.Расчёт передаточной характеристики начинают с определения начального тока стока с помощью соотношения
Передаточная характеристика на участке насыщения рассчитывается согласно выражению
Задавая значения UЗИ найдём значения IC
UЗИ, В1,51,41,31,21,110,90,8IC, мА0,0000000,0000030,0000120,0000260,0000460,0000720,0001040,000142UЗИ, В0,70,60,50,40,30,20,1IC, мА0,0001850,0002340,0002890,0003500,0004160,0004880,000566
Крутизну передаточной характеристики находим, подставив в выражение формулу
На участке насыщения в зависимости от тока стока получаем
IC, мА00,020,050,10,150,20,250,3S, мА/В00,1520190,2403620,3399240,416320,4807250,5374670,588765IC, мА0,350,40,450,50,550,60,650,7S, мА/В0,6359390,6798480,7210870,7600930,7971920,832640,8666390,899354
Задаваясь напряжением на затворе, находим напряжение насыщения между стоком и стоком с помощью выражения
UЗИ, В1,51,41,31,21,110,90,8UСИ нас В00,10,20,30,40,50,60,7UЗИ, В0,70,60,50,40,30,20,10,7UСИ нас В0,80,911,11,21,31,40,8
Вывод
В результате проведённых расчетов основных электрических параметров полевого транзистора были получены следующие результаты:
Сопротивление полностью открытого канала RСИ отк, Напряжение отсечки UЗИ отс, емкость затвора СЗИ, максимальную частоту работы полевого транзистора , определена передаточная характеристика и связанные с нею параметры: начальный ток стока IC нач, напряжение насыщения UCИ нас, крутизна характеристики передачи, нарисованы диаграммы.
Список литературы
1.Денискин Ю.Д., Жигарев А.А., Смирнов Л.П. Электронные приборы. М.: Энергия, 1980.
2.Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1987.
.Морозова И. Г.
.Физика электронных приборов. М.: Атомиздат, 1980.
.Пасынков В.В., Чиркин Л. К.
.Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987
.Справочник по элементам радиоэлектронных устройств / Под общей редакцией А.А. Куликовского. М.: Энергия, 1977.