Доклад по предмету Радиоэлектроника

• 1. Акустоэлектроника
  Доклады Радиоэлектроника

  Одним из основных приборов акустоэлектроники является электроакустический усилитель (ЭАУ). На рис. 2 показана схема такого усилителя на объемных волнах. На торцах полупроводникового звукопровода (З) расположены пьезоэлектрические преобразователи (П), которые с помощью омических контактов (К) присоединены с одной стороны к звукопроводу, а с другой к входным и выходным клеммам. При подаче на вход переменного напряжения во входном пьезопреобразователе возбуждается акустическая волна, которая распространяется по звукопроводу. Взаимодействие волны с движущимися в том же направлении по полупроводниковому звукопроводу электронами обеспечивает ее усиление. Рассмотрим это явление. Предположим, что в звукопровод вводится гармоническая продольная акустическая волна, движущаяся со скоростью Vв. Давление в кристалле при этом от точки к точке меняется. В тех местах, где кристалл сжимается, пьезо-э. д. с. замедляет движение электронов, а в тех местах, где растягивается, ускоряет. В результате этого в начале каждого периода волны образуются сгустки электронов. При Vэ > Vв сгустки движутся в тормозящих участках волны и передают ей свою энергию, чем и обеспечивается усиление. Подобные акустоэлектронные усилители могут давать выходную мощность сигнала порядка нескольких ватт, имея полосу пропускания до 300 МГц. Их объем (в микроэлектронном исполнении) не превышает 1 см3.

• 2. Биологически Активные Добавки в производстве косметики
  Доклады Радиоэлектроника

• 3. Гипс и гипсовые изделия
  Доклады Радиоэлектроника

• 4. Классификации опасных грузов на железнодорожном транспорте
  Доклады Радиоэлектроника

• 5. Методы распознавания в СТЗ
  Доклады Радиоэлектроника

• 6. Никель. Никелевые сплавы
  Доклады Радиоэлектроника

  Силикатные никелевые руды представляют собой рыхлые и глиноподобные породы коры выветривания ультрабазитов, содержащие никель (обычно не менее 1%). С корами выветривания серпентинитов площадного типа связаны руды, в которых никельсодержащими минералами являются: нотронит, керолит, серпентин, гётит, асболаны. Эти никелевые руды характеризуются обычно невысоким содержанием Ni, но значительными запасами. С корами выветривания трещинного, контактово-карстового и линейно-площадного типов, формирующимися в сложных геологотектонических и гидрогеологических условиях, связаны более богатые руды. Главными минералами в них являются гарниерит, непуит, никелевый керолит, ферригаллуазит. Среди силикатных руд выделяются железистые, магнезиальные, кремнистые, глинозёмистые разности, обычно смешивающиеся для металлургической переработки в определённых соотношениях. Механическому обогащению никелевые руды не поддаются. В силикатных никелевых рудах содержится кобальт при соотношении Со: Ni порядка 1: 20 - 1: 30. В некоторых месторождениях совместно с силикатными никелевыми рудами залегают железо-никелевые руды с высоким содержанием Fe (50-60%) и Ni (1-1,5%). Никелевые месторождения выветривания известны в СССР на Среднем и Южном Урале, на Украине, Среди стран капиталистического мира по размерам добычи никелевой руды выделяются Канада и Новая Каледония (в 1972 произведено соответственно 232,6 тыс. т и 115,3 тыс. т Ni).

  
  

• 7. Особенности измерений расхода и объема энергетических и сырьевых ресурсов
  Доклады Радиоэлектроника

• 8. Примеры задач оптимизации, связанных с фундаментальными понятиями теории связи
  Доклады Радиоэлектроника

  В заключение разъясним, в чем трудность исследования функционала (3.37), в котором y(t) рассматривается на всем отрезке [0, Т ]. Разумеется, уравнения Эйлера и Якоби, а также их решения имели бы тот же самый вид, который описан выше. Но добиться успеха с помощью пункта «б» достаточных условий, которыми мы воспользовались, по-видимому, оказалось бы невозможным. Действительно, условие Якоби не выполняется, так как решение уравнения Якоби (3.45) в точке t=T равно 0 в случае k = 0: ио = 0 при k = 0. Значит, не существует ни одного целого числа k, при котором пункт «б» был бы выполнен. И хотя при этом не нарушается необходимое условие Якоби (см. замечание 3.3 в конце § 3.3), вопрос о том, реализуется ли минимум функционала (3.37) на какой-либо из кривых (3.44), остается открытым.

• 9. Современное телевидение - HDTV
  Доклады Радиоэлектроника

  Как известно, изображение на экране ЭЛТ телевизора формируется тонким лучом света, то ли это происходит в обычном кинескопе, то ли это осуществляется с помощью прожекторной технологии (в так называемых Big Screen TVs с размером экрана от 42"). На экране же телевизора LCD (Liquid Crystal Display Жидко кристаллический Дисплей) изображение формируется путём разогревания отдельных точек (отдельных жидких кристаллов), а они в свою очередь меняют цвет. Но кристаллы сами по себе не светятся, поэтому такому дисплею нужна независимая белая подсветка. Неприятной особенностью этих дисплеев является их недолговечность. Дело в том, что кристаллы часто сгорают, и восстановить их никак нельзя, после чего в том месте образуется маленькая цветастая точка, которая висит на экране не зависимо от показываемой картинки. Так же существуют плазменные дисплеи, которые продолжают завоёвывать популярность на рынке, дисплеи STN (упрощённый вариант дисплея LCD, часто используемые в мобильных телефонах с цветными экранами, но как следствие упрощения такой дисплей имеет очень большое время отклика, т. е. время между получением сигнала экраном и временем его отображения), имеются также проекционные телевизоры, изображение в которых строится с помощью особо расположенных зеркал. Также в недалёком будущем дисплеи LED (работающие на светодиодах) и дисплеи, состоящие из углеродных нанотрубок. В результате изображение на экране «строится» из точек, которые видны невооружённым глазом. Обычный телевизор «выдает» разрешение, (т. е. плотность точек) 720х480, или 345 600 пикселей (pixels). Естественно, что чем большей плотности точек удается достичь, тем выше качество изображения. Так вот, разработчики формата HDTV достигли разрешения 1920x1080, т.е. больше 2-х миллионов пикселей, тем более что при этом получено не просто 1080 точек, а так называемое 1080 interlaced (чересстрочная развёртка кадра), когда, упрощённо говоря, изображение не просто передается покадрово, а кадры как бы частично накладываются друг на друга, что ещё более усиливает эффект четкости изображения.

• 10. Схемы управления тиристорами
  Доклады Радиоэлектроника

  На рис. 7 изображена двухполупериодная схема с управлением по фазе, которая предназначена для питания нагрузки переменным напряжением. В этой схеме применены основной тиристор СТ и вспомогательный диодный тиристор СД. С помощью тиристора СД осуществляется управление тиристором СТ импульсами различной полярности. Кроме того, тиристор СД позволяет уменьшить мощность рассеивания на управляющем электроде СТ в промежутках между импульсами. Полярность заряда конденсатора С1 меняется каждый полупериод. Обладая двухсторонней проводимостью, тиристор СД позволяет конденсатору С1 поочередно разряжаться. При положительной полуволне питающего напряжения на управляющий электрод тиристора СТ поступает положительный импульс и прибор переключается в первом квадранте вольтамперной характерней (UС>0).

• 11. Технология соединения деталей радиоэлектронной аппаратуры
  Доклады Радиоэлектроника

• 12. Травление п/п ИМС
  Доклады Радиоэлектроника

  Рис. 7 схема типичной конструкции ICP реактораСильное влияние на скорость травления оказывает правильный выбор реактивного газа или смеси газов. Однако подбор оптимальной газовой среды определяется не только производительностью процесса, но и достижением высокой селективности травления. В зависимости от конструкции микроструктуры и следовательно комбинации ее материалов скорости травления могут изменяться от 600 до 2000 A/мин.
  Селективность. Селективность определяется через отношение скоростей травления различных пар материалов, входящих в состав микроструктуры. При проведении процесса травления ключевым моментом является оптимальная остановка процесса и отсутствие такого нежелательного явления как перетрав (overeth), заключающийся в травлении нижележащего слоя.. В идеале время травления можно рассчитать, зная толщину удаляемого слоя и скорость травления материала в заданных условиях. Однако на практике всегда присутствую такие негативные явления как неоднородность толщины и состава обрабатываемых слоев. Кроме того, при травлении сложных многоплановых структур проявляются эффекты различия скоростей травления для малых и больших площадей (microloading). Этот эффект присутствует, например при вскрытии контактных окон в сложных структурах. Кроме того, обрабатываемые слои на различных участках схемы могут иметь различные толщины, что так-же приводит к перетраву.
  Вторым важным моментом при рассмотрении проблемы селективности есть оптимальное соотношение скорости травления удаляемого слоя и фоторезиста. Сухие плазменные процессы имеют достаточно высокие скорости травления резистов. Особенно сильно эта проблема проявляется при травлении с высоким разрешением, так как в этом случае толщина резиста не может превышать толщины линии, или при получении структур с высоким отношением высоты линии к ее ширине.
  Для выбора оптимальной селективности процесса используют следующие приемы и методы
  1. Выбор оптимального реактивного газа.
  2. Выбор оптимальной скорости травления
  3. Снижение концентрации реактивного газа при завершении процесса травления.
  4. Введение в систему различных устройств определения окончания процесса (endpoint detector).
  Возможность травления структур с высоким отношением высоты линии к ее ширине. Новые конфигурации транзисторных структур с вертикальным расположением активных областей (полевой транзистор с вертикальным каналом, туннельный резонансный транзистор и т.д.) предъявляют новые требования к технологии травления. В частности она должна обеспечивать травление линий, в которых высота в несколько раз превышает ширину линии (lines with high-aspect-ratio features). При этом возникает целый ряд специфичных проблем, главная из которых заключается в неоднородном заряжении микроструктур (aspect ra-tio charging or electron shadowing). Суть этого явления заключается в следующем: плазма обычно заряжена положительно по отношению к стенкам реактора и обрабатываемой по-верхности. Положительные ионы движутся из поля плазмы перпендикулярно к поверхности. Электроны в общем случае не попадают на поверхность пластин.

• 13. Ультразвук и измерения дальности
  Доклады Радиоэлектроника

• 14. Цифровая обработка сигнала (Digital Signal processing)
  Доклады Радиоэлектроника

   

  1. Достоинства методов цифровой обработки сигналов.
  2. Линейные и дискретные системы и их свойства.
  3. Цифровые фильтры и способы их описания.
  4. Фильтры с конечно импульсными характеристиками.
  5. Фильтры с бесконечно импульсными характеристиками.
  6. Передаточные характеристики фильтров.
  7. Нули и полюса фильтров.
  8. Фильтры первого порядка с одним нулем и с одним полюсом.
  9. Фильтры второго порядка с нулями и плюсами.
  10. Топология фильтров.

• 15. Что такое октановое число?
  Доклады Радиоэлектроника

• 16. Энергоаудит систем теплоснабжения. О некоторых аспектах
  Доклады Радиоэлектроника