Авторефераты по всем темам >>
Авторефераты по техническим специальностям
На правах рукописи
Черников Виталий Дмитриевич
ПОВЫШЕНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ЭЛЕКТРОННОЭМИССИОННОГО ДАТЧИКА СКОРОСТИ ОСАЖДЕНИЯ ВЕЩЕСТВ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫМ ИСПАРЕНИЕМ НА ОСНОВЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ МАГНЕТРОННОГО ЭФФЕКТА
Специальность 05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
Рыбинск - 2012
Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Рыбинский государственный авиационный технический университет имени П. А. Соловьева Научный руководитель доктор технических наук, профессор Семенов Эрнст Иванович Официальные оппоненты доктор технических наук, профессор Юдин Виктор Васильевич кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Бочкарев Владимир Федорович Ведущая организация МГТУ имени Н. Э. Баумана, кафедра МТ-11 "Электронные технологии в машиностроении".
Защита состоится л14 марта 2012 г. в 14 часов на заседании диссертационного совета Д 212.210.04 при Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Рыбинский государственный авиационный технический университет имени П. А. Соловьева по адресу: 152934, Рыбинск, ул. Пушкина, 53, ауд. 237.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Рыбинский государственный авиационный технический университет имени П. А. Соловьева
Автореферат разослан л____ _____________ 2012 г.
Ученый секретарь диссертационного совета Конюхов Б. М.
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность темы. Продолжающееся в настоящее время совершенствование средств и методов контроля скорости осаждения и толщины покрытий, наносимых в вакууме методом электронно-лучевого испарения, объясняется тем, что ученые обнаруживают новые полезные свойства тонких многокомпонентных пленок в диапазоне толщин порядка 10 - 100 нм, а сам метод электронно-лучевого нанесения позволяет получать чистые пленки и отличается прецизионностью и практически неограниченными возможностями управления структурой и свойствами покрытий. Для нанесения тонких покрытий и слоев на современном этапе используются скорости осаждения порядка 1 - 10 нм/с, а количество одновременно контролируемых при этом компонент в среднем составляет 4. Так, например, в микроэлектронике существует потребность качественного получения солнечных элементов на основе структур CIGS (CuInGaSe) толщиной 1,5 - 2 мкм, обладающих эффективностью фотопреобразования 19 %, тонких пленок состава Bi2Te3, Sb2Te3, используемых при производстве элементов Пельтье. Одновременное осаждение компонентов в одном технологическом цикле позволяет производить получение покрытий без разгерметизации вакуумных камер. При этом возникает потребность одновременного контроля скорости осаждения отдельных компонентов паровой фазы.
В процессах электронно-лучевого нанесения многокомпонентных коррозионностойких покрытий на лопатки газотурбинных установок (ГТУ) из жаростойких сплавов состава MCrAlY (M = Ni, Co, Fe) наблюдается значительное влияние малых долей элементов, добавляемых в паровую фазу, (например, Cr, Y 0,1Ц3 %) на такие параметры покрытия, как микротвердость, предел упругости, что также создает необходимость контроля состава паровой фазы и посторонних примесей.
Применяемые в отечественном производстве кварцево-резонаторный, ионизационный и вибрационный датчики не позволяют измерять скорость осаждения покрытия по компонентам. Существующие зарубежные электронноэмиссионные датчики дают возможность измерять скорости осаждения отдельных компонент, однако слабый эмиссионный сигнал данных датчиков не позволяет применять современные системы регистрации спектров на приборах с зарядовой связью и получать произвольный диапазон спектра. Каждый канал измерения эмиссионного излучения данных датчиков содержит фотоэлектронный умножитель и систему полосовых фильтров. Добавление каждого нового канала требует усложнения системы измерения, что ограничивает возможность контроля посторонних элементов, присутствие которых в технологическом процессе не было предусмотрено заранее. В свою очередь, сам электронно эмиссионный датчик имеет значительный потенциал для усовершенствования и использования его вместе с современными системами регистрации спектров.
Объектом исследования настоящей диссертационной работы является электронно-эмиссионный датчик скорости осаждения и состава покрытий, а также средства построения систем автоматического управления скоростью осаждения материалов в технологическом процессе электронно-лучевого нанесения.
Цель диссертационной работы - совершенствование электронноэмиссионного способа контроля скорости осаждения покрытий, наносимых из паровой фазы при электронно-лучевом испарении, путем применения магнетронного эффекта в электронно-эмиссионном датчике и использования прибора с зарядовой связью в качестве многоканального элемента регистрации спектров.
При выполнении работы использованы следующие методы исследования и теории: экспериментальная идентификация; численное дифференцирование; регрессионный анализ; статистический анализ; математическое моделирование; теория магнетронного разряда; теория систем автоматического управления; теория термического вакуумного испарения.
Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:
- предложен способ повышения чувствительности электронноэмиссионного датчика скорости осаждения веществ, наносимых электроннолучевым испарением, заключающийся в применении магнетронного эффекта и отличающийся введением магнитного поля с определенным оптимальным значением индукции;
- получена теоретическая зависимость чувствительности электронноэмиссионного датчика G от индукции B магнитного поля;
- разработана компьютерная модель системы управления процессом электронно-лучевого испарения веществ в вакууме с использованием электронноэмиссионного датчика;
- предложен способ адаптивного регулирования скорости осаждения при электронно-лучевом нанесении.
Достоверность и обоснованность результатов диссертационной работы подтверждена согласованностью полученных данных теоретических расчетов и данных экспериментальных исследований электронно-эмиссионного датчика и системы автоматического регулирования скорости осаждения веществ.
Практическая ценность работы:
Разработан электронно-эмиссионный датчик, использующий магнетронный эффект в своей работе и взаимодействующий с системой регистрации спектров на основе матрицы приборов с зарядовой связью (ПЗС).
Создана компьютерная модель процесса электронно-лучевого осаждения веществ с применением электронно-эмиссионного датчика, позволяющая подобрать оптимальный закон регулирования скорости осаждения на основе типа вещества.
Построена система многокомпонентного контроля скорости осаждения веществ, включающая электронно-эмиссионный датчик, систему регистрации спектров на основе ПЗС, персональный компьютер и устройство сопряжения на основе микроконтроллера. С помощью созданной системы удалось осуществить контроль состава и наблюдение за посторонними примесями при осаждении эластичных электропроводящих тензочувствительных пленок, применяемых при производстве микроджойстиков в ООО НТЦ Интрофизика.
Апробация. Материалы диссертационной работы прошли апробацию на конференциях и семинарах: Высокие технологии в промышленности России (Москва: 2008, 2009, 2010, 2011 гг.); Климовские чтения (С.-Петербург, 2009 г.); л52-я научная конференция Московского физико-технического института (Москва, 2009 г.); I научно-техническая школа-семинар Компьютерный инжиниринг в промышленности и вузах (Москва, 2009 г.); Материалы и технологии XXI века (Пенза, 2010 г.).
Публикации. По материалам диссертации опубликовано 13 печатных работ, из которых 3 статьи в рецензируемых изданиях, рекомендованных ВАК, статей и 1 тезис доклада в сборниках статей. Получены два патента на изобретения в области контроля скорости осаждения веществ.
На защиту выносятся:
- электронно-эмиссионной датчик скорости осаждения веществ и его математическое описание;
- модель системы регулирования скорости осаждения веществ на основе электронно-эмиссионного датчика;
- адаптивный способ регулирования скорости осаждения при электроннолучевом нанесении.
Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 173 страницах, состоит из введения, четырех глав, заключения. Содержит 85 рисунков, список источников из 92 наименований.
ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ
Во введении обоснована актуальность темы исследования, определены цели исследования, описано краткое содержание глав работы, теоретическая и практическая ценность работы.
В первой главе приводится обзор и анализ современных датчиков, методов и систем контроля скорости осаждения и толщины покрытий, наносимых в вакууме методом электронно-лучевого испарения и испарением из эффузион ных ячеек. Отмечены диапазоны контроля датчиков, их преимущества и недостатки. Работы, посвященные совершенствованию электронно-эмиссионного способа контроля скорости осаждения веществ в процессе электронно-лучевого испарения, проводились как зарубежными авторами: Chih-shun Lu, C. A. Gogol (США), Junro Sakai (Япония), так и отечественными: Никифоренко Н. Н., Бондаренок В. П., Смирнов Ю. М. и не утрачивают актуальности и на сегодняшний день (2008 г. - статья об усовершенствованном двухкамерном датчике EIES, 2010 г. - патент на двухкамерный датчик, автор Chih-shun Lu, 2008 г. - датчик распределения плотности парового потока, диссертационная работа Ивашина А. Д.). На рис. 1 приводится классификация зарубежных и отечественных методов измерения по способности распознавания состава паровой фазы. Сформулированы цели и задачи диссертационного исследования.
Рис. 1. Классификация методов оперативного контроля скорости осаждения покрытий, наносимых в вакууме Сделан вывод о преимуществе электронно-эмиссионных способов контроля состава паровой фазы, обладающих линейной зависимостью эмиссионного сигнала от скорости осаждения.
Метод электронно-эмиссионной спектроскопии основан на спонтанном излучении атомами парового потока фотонов при их возбуждении пучком электронов низкой энергии (100 - 200 эВ) и дальнейшей регистрации эмиссионных спектров возбужденных атомов веществ. По величине интенсивности спектральных линий определяется плотность вещества в паровом потоке и рассчитывается скорость его осаждения. Интенсивность регистрируемой эмиссионной линии Jij, образованной световыми квантами при энергетическом переходе электрона между i и j уровнями в атоме парового потока, определяется следующим выражением:
Jij=KNijIэ/e, (1) где K - калибровочная константа; N - плотность атомов в паровом потоке, мЦ3;
ij - вероятность возбуждения, смЦ1мм рт. ст.Ц1; Iэ - ток электронного луча (ток эмиссии катода), мА; e - заряд электрона, Кл.
Поскольку скорость пролета атомов v (~ 103 м/с) и ток электронного луча Iэ остаются постоянными, скорость осаждения определяется как Vк=kJij, (2) где - калибровочная константа, определяемая как k - Vк k = K ij Iэ / e (3) m v и зависящая от массы атомов наносимого материала, чувствительности фотодетектора, тока электронного луча и сечения возбуждения.
Во второй главе автором с целью усиления слабого оптического сигнала электронно-эмиссионного датчика и возможности применения систем регистрации спектров на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС) предложено применить магнетронный эффект, который бы позволил более эффективно производить генерацию светового сигнала в датчике, повысить его чувствительность и соотношение полезного сигнала к уровню шумов.
На рис. 2 приведена конструкция усовершенствованного электронноэмиссионного датчика.
Рис. 2. Конструкция электронно-эмиссионного датчика:
1 - окно для прохождения парового потока; 2 - анод; 3 - постоянный магнит;
4 - ускоряющая сетка; 5 - вольфрамовый катод; 6 - корпус датчика;
7 - телескопическая труба; 8 - окно для прохождения эмиссионного излучения Движение электронов в усовершенствованном датчике происходит в направлении, параллельном градиенту магнитного поля постоянного магнита. За счет присутствующей кривизны силовых линий магнитного поля и наличия угла между вектором скорости ve электронов и вектором магнитной индукции B воз никает сила Лоренца, приводящая электроны в движение по спиралевидным траекториям. За счет удлинения пути электронов они совершают большее количество столкновений с атомами парового потока, и, соответственно, генерируют большее количество фотонов. Помимо удлинения траекторий электронов, магнитное поле, обладающее градиентом, производит фокусирующее действие на поток электронов. Таким образом, эффект от введения магнитного поля в электронно-эмиссионном датчике выражается в удлинении траекторий электронов и в фокусировке объемного потока электронов.
На рис. 3 представлено движение электронов в эмиссионном промежутке датчика при направлении вектора ve движения электронов, параллельном градиенту магнитного поля - ve || gradB.
r r grad B ve Рис. 3. Движение электронов в электронно-эмиссионном датчике для случая ve || grad B: 1 - поток фотонов; 2 - траектории электронов;
3 - силовые линии магнитного поля; 4 - постоянный магнит;
5 - анод (коллектор электронов); 6 - катод; 7 - ускоряющая сетка Скорость электронов зависит от ускоряющего напряжения Uускор (200 В), принятого в данной работе постоянным и соответствующим максимуму сечения возбуждения для большинства металлов.
Автором было выдвинуто предположение, что чувствительность датчика и максимальное генерируемое число фотонов зависят от длины траекторий всех электронов и имеет максимальное значение при определенной величине индукции магнитного поля B. Критерием оптимальности магнетронного эффекта служит максимум общей длины траекторий L = l max, (4) ei где lei - длина траектории одного i-го электрона из всего количества электронов, L - общая длина траекторий всех электронов, эмитируемых по всей длине катода. С целью теоретической оценки оптимальной величины индукции магнитно го поля был произведен расчет длины траектории одного электрона, совершающего движение от катода к аноду.
Для случая движения электрона под углом к силовой линии магнитного поля при ускорении его электрическим полем из состояния покоя получена система дифференциальных уравнений первого порядка:
eB (y) eB (y) y z dx = - y(t)+ z(t) m m dt dy eB (y) z = Vuskor(t) + x(t), (5) m dt eB (y) y dz = - x(t) m dt где Bz и By - составляющие вектора B, Ey - напряженность электрического поля, e - заряд электрона, m - масса электрона, x(t), y(t), z(t) координаты электрона в моменты времени t.
Компонента скорости, зависящая от напряженности поля Ey, была задана в дифференциальном уравнении в виде кусочной функции e - E t,если t t0,0y m V (t) =, (6) uskor e - E t0,003,если t > t0,0y m где t0,003 Ч момент времени, в который электрон пересекает ускоряющую сетr ку. Cоставляющие вектора B определяются как B (y) = B sin(y), z B (y) = B cos(y), где - угол между вектором B и осью 0y; B - величина y модуля в каждой точке эмиссионного промежутка координаты y.
Решение данной системы дифференциальных уравнений было произведено численными методами в системе MathCAD и проводилось для постоянного значения Ey и для нескольких значений By(y), Bz(y). На рис. 4 (а) приведена расчетная траектория электрона, полученная путем решения (6). На рис. 4 (б) приведено сопоставление экспериментальной зависимости чувствительности датчика, выраженной коэффициентом Kэсвэу, отн. ед./(нм/с), (Kэсвэу = J/Vк), а также зависимости удлинения траектории Lm/Ld (Lm - длина искривленной траектории, Ld - длина прямолинейного пути) от величины индукции магнитного поля B (у поверхности магнита). На обоих графиках (рис. 4, б) наблюдается максимум при определенном значении магнитного поля и спад при росте индукции. Здесь подтверждается предположение, что чувствительность датчика зависит от длины траектории электронов. Видно также, что дальнейшее повышение силы магнитного поля не увеличивает длины траектории и чувствительности датчика. Несовпадение максимума графиков может быть объяснено тем, что при уменьшении индуктивности растет ларморовский радиус, и при определенном значении он превышает ширину зоны видимости приемника излучения.
Количество фотонов, принимаемое приемником излучения, резко падает, несмотря на то, что длина траектории не достигла максимума.
отн.ед.
x нм/с Kэсвэу E Kэсвэу Lm/Ld Lm/Ld z y мТ B а) б) Рис. 4. (а) Траектория движения электрона в разрядном промежутке (Bmax = 470 мТ): (а) 1 - граница катода; 2 - граница ускоряющей сетки;
(б) 1 - кривая удлинения траектории электронов; 2 - экспериментальная кривая чувствительности датчика В главе также приведена модель линейного массива ПЗС. Каждый пиксель или группа пикселей ПЗС могут быть описаны в виде интегрирующего элемента с обнулением в моменты времени, кратные Tпзс:
kTпзс K()пзс J[kTпзс] = h U[kTпзс] = h АЦП АЦП Tпзс j(t)dt, (7) (k-1)Tпзс где J[kTпзс] - выходной оцифрованный сигнал (0Е4000 отн. ед.), Tпзс - время экспозиции пикселей ПЗС, k - номер дискретного момента, K()пзс - квантовая эффективность ПЗС, hАЦП, ВЦ1 - передаточный коэффициент АЦП, связывающий оцифрованный выходной сигнал J[kTпзс] и аналоговый сигнал ПЗС U[kTпзс];
j(t) - число фотонов потока, упавших на пиксель ПЗС за время Tпзс. Квантовая эффективность K()пзс определяет преобразование числа фотонов в выходной полезный сигнал (напряжение) и зависит от длины волны фотонов. Микросхема ПЗС задает такт дискретизации сигнала и представляет собой элемент задержки.
В третьей главе описано создание модели системы электронно-лучевого регулирования скорости осаждения веществ в пакете Matlab/Simulink. В модель включен электронно-эмиссионный датчик. Модель представлена на рис. 5.
Рис. 5. Модель системы регулирования скорости осаждения в пакете Matlab/Simulink Проведена экспериментальная идентификация звеньев модели на установке вакуумного нанесения УВН-75Р-1.
В связи с невозможностью откалибровать электронно-эмиссионный датчик на больших скоростях осаждения, где система ведет себя крайне неустойчиво, автором было предложено ввести адаптивный блок и комбинированный ПИД-регулятор, предусматривающий вынесение интегрирующего звена ПИДрегулятора из замкнутого контура во внешний контур и динамическую коррекцию звеньев ПД-регулятора в зависимости от задания скорости осаждения.
В четвертой главе описаны техническая реализация системы регулирования и экспериментальное исследование электронно-эмиссионного датчика:
отдельно и в составе системы регулирования.
На рис. 6 приведена структурная схема разработанной системы управления. Система управления построена на внешнем микроконтроллере, через который с персонального компьютера производится управление тиристорным регулятором блока накала катода электронной пушки установки УВН75-Р-1.
В главе описано экспериментальное исследование магнетронного эффекта. Получена зависимость чувствительности датчика G от индукции магнитного поля B, подтверждающая теоретическую зависимость, полученную в главе 2, и показывающая максимум чувствительности при 163Е180 мТ соответственно для свинца и меди. Чувствительность системы измерения увеличилась в 27 раз для свинца и 26 раз для меди.
На рис. 7 показаны регрессионные прямые чувствительности для электронно-эмиссионного датчика при различных Тпзс.
Телескопическая Вакуумная камера трубка Датчик скорости Оптоволоконный световод осаждения Подложка Миниспектрометр на линейном ПЗС Паровой Электронный поток луч RS2Электронная пушка Задание B Тигель Блок питания скорости Персональный датчика компьютер Блок анодного RS26 кВ напряжения Переменное Тиристорный напряжение 1Е5 В Микроконтроллер регулятор тока ATmegaнакала Импульс включения Рис. 6. Структурная схема системы многокомпонентного контроля скорости осаждения веществ и состав паровой фазы J(Vк), отн. ед.
Tпзс= 0,4 с Tпзс= 0,8 с Tпзс= 0,1 с Tпзс= 0,2 с Vк, нм/с Рис. 7. Зависимости интенсивности J спектральной линии свинца ( = 405,78 нм) от скорости осаждения Vк при различных Тпзс Положение регрессионных прямых на рис. 7 подтверждает уравнение (7).
Увеличение времени Тпзс увеличивает чувствительность датчика, однако вносит существенную задержку в контур регулирования и создает интегральную ошибку. Малые значения Тпзс позволяют увеличить максимальный регистрируемый диапазон, однако снижают точность системы измерения. В работе было использовано оптимальное время Тпзс = 0,2 с.
Полученные в главе 3 на модели параметры адаптивного регулятора были использованы в процессе регулирования скорости осаждения на установке УВН75-Р-1. Проведенные эксперименты показали, что точность регулирования составила от 0,1 до 0,8 нм/с в диапазоне скоростей осаждения 1Е18 нм/с для меди и 5Е50 нм/с для свинца. Максимальный регистрируемый диапазон скорости осаждения для меди составил 18 нм/с для свинца 50 нм/с при Тпзс = 0,2 с.
Экспериментальные графики адаптивного регулирования скорости осаждения пленки меди и свинца приведены на рис. 8, 9. В третьей главе диссертации представлены также и графики регулирования, полученные на модели.
Vк=480,8 нм/с отн.
ед.
J Vк=340,8 нм/с 40 80 120 160 200 c t Рис. 8. График адаптивного регулирования скорости осаждения свинца отн.
ед.
Vк=30,1 нм/с Vк=1,50,1 нм/с J 0 100 200 300 с t Рис. 9. График адаптивного регулирования скорости осаждения меди В заключении приведены следующие основные результаты работы:
1. Проведено теоретическое обоснование влияния магнетронного эффекта на чувствительность электронно-эмиссионного датчика скорости осаждения веществ. Построена математическая и компьютерная модель движения электронов в магнитном поле датчика. На основе модели движения электронов и анализе длины их траекторий получена теоретическая зависимости чувствительности электронно-эмиссионного датчика G от индукции B магнитного поля. Теоретическое значение максимума чувствительности датчика G наблюдается при индукции поля B 100 мТ. Проведен анализ влияния формы градиента продольного магнитного поля на чувствительность электронноэмиссионного датчика.
2. Получено экспериментальное подтверждение значительного влияния магнетронного эффекта на чувствительность электронно-эмиссионного датчика, подкрепляющее полученные теоретические результаты. Экспериментальное значение максимума чувствительности датчика наблюдается при индукции поля B 163Е180 мТ. При данном значении индукции чувствительность исследуемого датчика скорости осаждения увеличилась в 27 раз (для свинца) и 26 раз (для меди) по сравнению с чувствительностью электронно-эмиссионного датчика без магнитного поля.
3. Была построена и исследована система управления процессом электронно-лучевого осаждения на основе усовершенствованного электронноэмиссионного датчика. Сделаны выводы о возможности использования электронно-эмиссионного датчика и матрицы приборов с зарядовой связью (ПЗС) в качестве системы регистрации спектров. Точность стабилизации разработанной системы при периоде дискретизации ПЗС Тпзс = 0,2 с составила 0,1Е0,8 нм/с в диапазоне скоростей 1Е18 нм/с для меди и 5Е50 нм/с для свинца. Проведен статистический анализ шумов канала измерения эмиссионного излучения датчика; получена зависимость уровня шумов и диапазона измерения скорости осаждения от времени экспозиции ПЗС.
4. Разработана компьютерная модель системы регулирования процессом электронно-лучевого испарения, учитывающая тип вещества и включающая модель разработанного электронно-эмиссионного датчика и миниспектрометра на базе ПЗС. На основе созданной модели системы регулирования скорости осаждения показано отрицательное влияние задержки в канале измерения интенсивности эмиссионного спектра на процесс стабилизации скорости осаждения. Предложен способ адаптивного регулирования скорости осаждения, позволяющий компенсировать задержку в схеме измерения и нелинейности канала испарения.
Список публикаций по теме диссертации в изданиях, рекомендованных ВАК:
1. Семенов, Э. И. Модель системы регулирования скорости осаждения материалов в электронно-лучевой установке [Текст] / Э. И. Семенов, С. Э. Седлецкая, А. Т. Кизимов, В. Д. Черников // Приборы. - 2011. - № 2 (128).
Ц С. 48Ц56.
2. Семенов, Э. И. Электронно-эмиссионные датчики скорости осаждения веществ при электронно-лучевом испарении [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. - 2010. - № 6. - С. 126Ц131.
3. Семенов, Э. И. Система контроля процесса осаждения защитных покрытий на лопатки турбин [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников // Вестник РГАТА. - 2010. Ц№1(16). - С. 190Ц196.
Прочие публикации:
4. Семенов, Э. И. Усовершенствованный электронно-эмиссионный метод контроля скорости осаждения сплавов в вакууме [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников // Высокие технологии в промышленности России: мат. XVI Международной научно-технической конференции ; под ред. А. Ф. Белянина, В. Д. Житковского, М. И. Самойловича. - М. : ОАО ЦНИТИ ТЕХНОМАШ, 2010. - С. 433Ц438.
5. Семенов, Э. И. Система регулирования скорости осаждения покрытий в электронно-лучевой установке [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников // Материалы и технологии XXI века: сборник статей VIII Международной научно-технической конференции. - Пенза : Приволжский дом знаний, 2010. - С. 136 - 139.
6. Черников, В. Д. Разработка системы контроля скорости осаждения сплавов в вакууме на основе усовершенствованного ЭСВЭУ датчика [Текст] / В. Д. Черников // Материалы I научно-технической школы-семинара Компьютерный инжиниринг в промышленности и вузах. - М. : 2009, С. 99 - 100.
7. Семенов, Э. И. Система автоматического управления скоростью осаждения и составом покрытий в процессе электронно-лучевого нанесения [Текст] / Э. И.
Семенов, В. Д. Черников // Труды 52-й научной конференции МФТИ Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук: Часть III. Аэрофизика и космические исследования. Том 1. - М. : МФТИ, 2009, - С. 101 - 104.
8. Семенов, Э. И. Система автоматического контроля скорости осаждения и состава защитных покрытий на лопатки турбин [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников // Перспективные разработки в авиадвигателестроении. Сборник статей Заочной научно-технической конференции Климовские чтения 20 октября 2009 г. - СПб. : Изд-во Политехн. ун-та, 2009. - С. 135Ц19. Семенов, Э. И. Система контроля скорости осаждения сплавов при электроннолучевом нанесении [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников, А. Н. Ломанов // Вы сокие технологии в промышленности России: мат. XV Международной научнотехнической конференции; под ред. А. Ф. Белянина, В. Д. Житковского, М. И. Самойловича. ЦМ. : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2009. - С. 456Ц459.
10. Семенов, Э. И. Установка УВН-75Р-1 с магнетронной распылительной системой [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников, А. Н. Ломанов, Пащенко П. В. // Высокие технологии в промышленности России: мат. XXI Международной научно-технической конференции ; под ред. А. Ф. Белянина, В. Д. Житковского, М. И. Самойловича. - М. : ОАО ЦНИТИ ТЕХНОМАШ, 2008. - С. 308Ц311.
11. Пат. 2427667 Российская федерация, МПК С23С 14/54 G01J 3/28. Способ определения скорости термического вакуумного осаждения сплавов методом эмиссионной спектроскопии [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников; заявл.
26.06.2009; опубл. 27.08.2011, Бюл. № 24.
12. Пат. 2431812 Российская федерация, МПК С1 G01J3/00 G01N22/00.
Эмиссионный способ контроля скорости осаждения и состава покрытий, наносимых в вакууме [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников; заявл. 08.04.2010;
опубл. 20.10.2011, Бюл. № 29.
13. Семенов, Э. И. Использование электронно-эмиссионного датчика и системы регистрации спектров в процессе стабилизации скорости осаждения металлов в вакууме [Текст] / Э. И. Семенов, В. Д. Черников // Высокие технологии в промышленности России: мат. XXIV Международной научно-технической конференции; под ред. А. Ф. Белянина, В. Д. Житковского, М. И. Самойловича. - М. : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - С. 199Ц2
Авторефераты по всем темам >>
Авторефераты по техническим специальностям