Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[8401-8500]

Pages:     | 1 |   ...   | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Эволюция вольт-амперных характеристик фотолюминесцирующего пористого кремния при химическом травлении й Т.Я. Горбач, С.В. Свечников, П.С. Смертенко, П.Г. Тульчинский, А.В. Бондаренко, С.А. Волчек,
  2. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 12 Hg1-x-y-zCdxMnyZnzTe: новая альтернатива Hg1-xCdxTe й И.Н. Горбатюк, А.В. Марков, С.Э. Остапов , И.М. Раренко Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина
  3. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 12 Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькогенидах свинца в результате ядерных превращений й С.А. Немов, П.П. Серегин, Ю.В. Кожанова, Н.П. Серегин Санкт-Петербургский государственный
  4. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 12 Взаимодействие водорода с радиационными дефектами в кремнии p-типа проводимости й О.В. Феклисова, Н.А. Ярыкин, Е.Б. Якимов, Й. Вебер Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых
  5. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 О механизмах рассеяния дырок в кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te при низких температурах й В.В. Богобоящий Кременчугский государственный политехнический университет, 39614 Кременчуг, Украина (Получена
  6. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Энергетический спектр теллурида свинца, имплантированного кислородом, по данным оптического поглощения й А.Н. Вейс Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251
  7. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 12 Индуцированное и спонтанное излучение структур CdxHg1-xTe в диапазоне 3.2-3.7 мкм при 77 K й Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков , А.П. Котков , А.Н. Моисеев , Н.Д. Гришнова Институт физики
  8. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 12 Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами германия в PbSe й И.Е. Теруков, Э.С. Хужакулов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  9. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 12 Исследование барьерных структур In/PbTe с промежуточным тонким диэлектрическим слоем й О.А. Александрова, А.Т. Ахмеджанов, Р.Ц. Бондоков, В.А. Мошников, И.В. Саунин, Ю.М. Таиров, В.И. Штанов,
  10. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 12 Особенности электропроводности монокристаллов Cd1-xZnxTe и Cd1-xMnxTe й Л.А. Косяченко, А.В. Марков, Е.Л. Маслянчук, И.М. Раренко, В.М. Склярчук Черновицкий национальный университет, 58012
  11. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Спектральные, энергетические и временные характеристики двухфотонно-возбуждаемой флуоресценции монокристалла ZnSe в голубой области спектра й А.М. Агальцов, В.С. Горелик, И.А. Рахматуллаев
  12. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 12 Электронные свойства полуизолирующего GaAs Cr , облученного протонами й В.Н. Брудный, А.И. Потапов Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия (Получена 13
  13. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 12 Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опаЦполупроводник по спектрам брэгговского отражения света й Г.М. Гаджиев, В.Г. Голубев, Д.А. Курдюков, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, В.В.
  14. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 12 Аномалия в плотности состояний и туннельная проводимость контактов Au/p-GaAs0.94Sb0.06 вблизи перехода металЦдиэлектрик й Т.Ю. Аллен, Х.Г. Нажмудинов, Т.А. Полянская Физико-технический институт
  15. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 12 Кинетика формирования сильнопоглощающего состояния в бистабильной экситонной безрезонаторной системе й Ю.В. Гудыма Черновицкий государственный университет им. Юрия Федьковича, 58012 Черновцы,
  16. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 Исследование глубоких электронных состояний в текстурированных поликристаллах p-CdTe стехиометрического состава методом DLTS й Е.А. Боброва , Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, А.Ф. Плотников
  17. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 12 Фотолюминесценция в области 1.5 мкм механически обработанных слоев монокристаллического кремния + й Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов , Б.А. Андреев , Д.И. Крыжков , Е.И. Теруков , В.Х. Кудоярова+
  18. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений й Р.В. Лёвин, А.С. Власов, Н.В. Зотова, Б.А. Матвеев, Б.В. Пушный,
  19. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 12 Исследование динамики неравновесных решеток, индуцированных фемтосекундными лазерными импульсами в пленках кремния й С.Ф. Галяутдинов, В.С. Лобков, С.А. Моисеев, И.В. Неграшов
  20. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Влияние различных видов обработки поверхности на фотоэлектрические и оптические свойства CdTe й А. Байдуллаева, А.И. Власенко, П.Е. Мозоль Институт физики полупроводников Национальной академии
  21. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Спектральные функции модели Хаббарда в случае половинного заполнения й С.Г. Овчинников, Е.И. Шнейдер Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск,
  22. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Эффекты решетки в спектре объемных магнонов ограниченного низкотемпературного антиферромагнетика й С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 83114 Донецк, Украина (Поступила
  23. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 12 Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0 x 0.16) й М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н.
  24. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Структурная асимметрия крамерсовых кластеров как следствие симметрии относительно инверсии времени й И.И. Жеру Государственный университет Молдавии, MD 2009 Кишинев, Молдавия E-mail: geru@usm.md Обсуждается
  25. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии й А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, С.Ю. Давыдов, А.Е. Черенков, А.Н. Кузнецов, А.С. Трегубова, Л.М.
  26. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Корреляционные свойства стохастической магнитной структуры ультрадисперсных ферромагнетиков й А.А. Иванов, В.А. Орлов, Г.О. Патрушев Красноярский государственный педагогический университет, 660049
  27. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 Электронный парамагнитный резонанс соединений Cd1-xMnxTe и Zn1-xMnxTe й Я. Партыка, П.В. Жуковский, П. Венгерэк, А. Родзик, Ю.В. Сидоренко , Ю.А. Шостак Люблинский технический университет,
  28. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 12 Фотолюминесценция твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (0.08 < x < 0.22), изопериодных с InAs й К.Д. Моисеев, А.А. Торопов, Я.В. Терентьев, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев Физико-технический
  29. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 12 Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотемпературная проводимость поверхностных каналов в высокоомном n-Si й Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков
  30. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 12 Влияние степени структурного совершенства на спектр глубоких центров в 6H-SiC й А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, А.С. Трегубова, Е.В. Богданова, М.П. Щеглов, М.В. Павленко Физико-технический
  31. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Индуцированная резонансная прозрачность гамма-излучения в магнетиках. Динамика распространения й А.В. Митин, Д.А. Роганов Казанский государственный технологический университет, 420015 Казань, Россия E-mail:
  32. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Аннигиляция центров безызлучательной рекомбинации в структурах GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами в результате воздействия плазмы й К.С. Журавлев, В.А. Колосанов, М. Холланд, И.И. Мараховка Институт
  33. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование й П.С. Алексеев+, В.М. Чистяков+, И.Н. Яссиевич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  34. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 8 О зависимости импульсных свойств монокристаллов бората железа от их толщины й А.В. Буквин, О.С. Колотов, В.А. Погожев Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия
  35. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 8 Спиновые флуктуации и электронные переходы полупроводникЦметалл в моносилициде железа й А.А. Повзнер, А.Г. Волков, П.В. Баянкин Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург, Россия
  36. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 12 Спиновая деполяризация в спонтанно поляризованных низкоразмерных системах й И.А. Шелых, Н.Т. Баграев , Л.Е. Клячкин Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251
  37. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Динамика намагниченности в условиях нелинейного ферромагнитного резонанса в пленке типа (111) й А.М. Шутый, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия E-mail:
  38. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Квантовая интерференция на мессбауэровских гамма-переходах в магнитных материалах й Э.К. Садыков, Л.Л. Закиров, А.А. Юричук, В.В. Аринин Казанский государственный университет, 420008 Казань, Россия E-mail:
  39. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Фотолюминесценция локализованных экситонов в когерентно-напряженных квантовых ямах ZnSЦZnSe/GaAs(001) й В.В. Тищенко, Н.В. Бондарь, М.С. Бродин, А.В. Коваленко Институт физики Национальной
  40. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 12 Оствальдовское созревание наноструктур с квантовыми точками й Р.Д. Венгренович, Ю.В. Гудыма, С.В. Ярема Черновицкий национальный университет им. Ю.Федьковича, 58012 Черновцы, Украина (Получена
  41. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Особенности эффекта Холла в двухслойных пленках Cr/Co , , й Б.А. Аронзон , А.Б. Грановский , С.Н. Николаев , Д.Ю. Ковалев , Н.С. Перов , В.В. Рыльков, Институт теоретической и прикладной электродинамики,
  42. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 8 Оптические спектры трехзарядных редкоземельных ионов в поликристаллическом корунде й А.А. Каплянский, А.Б. Кулинкин, А.Б. Куценко, С.П. Феофилов, Р.И. Захарченя, Т.Н. Василевская Физико-технический институт
  43. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Влияние водорода на изменение магнитных характеристик нанокристаллического железа й А.А. Новакова, О.В. Агладзе, Т.Ю. Киселева Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 117234 Москва,
  44. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Макроскопические объемные локальные состояния носителей заряда в квазинульмерных структурах й С.И. Покутний Украинский государственный морской университет, 327025 Николаев, Украина (Получена 7
  45. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно легированного гетероперехода й В.И. Кадушкин Рязанский государственный педагогический университет им. С.А.
  46. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки на акустических фононах с учетом дисперсии минизоны й С.И. Борисенко Сибирский физико-технический институт им. В.Д.
  47. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 12 Кинетика экситонной фотолюминесценции в низкоразмерных структурах кремния й А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников Институт физики полупроводников Национальной академии
  48. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Спектры аномальной электронной эмиссии и поляризационные явления в монокристалле магнониобата свинца й А.В. Никольский, А.Т. Козаков Научно-исследовательский институт физики при Ростовском-на-Дону
  49. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 12 Формирование и оптические свойства наночастиц CuInSe2xTe2(1-x) в матрице силикатного стекла й И.В. Боднарь, Н.П. Соловей, В.С. Гурин, А.П. Молочко Белорусский государственный университет
  50. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Структура и магнитная анизотропия пленок Co/Cu/Co й Л.А. Чеботкевич, А.В. Огнев, Б.Н. Грудин Дальневосточный государственный университет, 690950 Владивосток, Россия E-mail: lach@phys.dvgu.ru (Поступила в
  51. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Метастабильность и релаксационные процессы в аморфном гидрогенизированном кремнии й Б.Г. Будагян, А.А. Айвазов, М.Н. Мейтин, А.Ю. Сазонов, А.Е. Бердников, А.А. Попов Московский институт
  52. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 12 Фотонные кристаллы на основе композитов опал-GaP и опал-GaPN:получение и оптические свойства + й Г.М. Гаджиев , В.Г. Голубев, М.В. Заморянская, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, J. Merz , A.
  53. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Индуцированный светом переход металЦдиэлектрик в гетероструктуре n-GaAs/AlGaAs. Акустические методы исследования й И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, И.Ю. Смирнов, А.И. Торопов Физико-технический
  54. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 Затухание блоховских осцилляций в сверхрешетках из квантовых точек. Общий формализм й И.А. Дмитриев, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  55. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 12 Трансформация центров безызлучательной рекомбинации в структурах с GaAs/AlGaAs-квантовыми ямами, обработанными в CF4-плазме, при низкотемпературном отжиге й К.С. Журавлев, А.Л. Соколов, К.П.
  56. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 8 Теория фоторефрактивного резонанса й В.В. Брыксин, М.П. Петров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 5 февраля 1998 г.)
  57. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Разделение фаз и проявление наноскопических неоднородностей в оптических спектрах манганитов й А.С. Москвин, Е.В. Зенков, Ю.Д. Панов, Н.Н. Лошкарёва, Ю.П. Сухоруков, Е.В. Мостовщикова Уральский
  58. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Спин-волновые резонансы в неоднородной двухслойной феррит-гранатовой пленке й Н.К. Даньшин, В.С. Деллалов, А.И. Линник, В.Ф. Шкарь Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк,
  59. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 12 Перенормировка энергетического спектра квантовых точек в условиях колебательного резонанса й А.В. Федоров, А.В. Баранов, A. Itoh, Y. Masumoto Всероссийский научный центр ФГосударственный
  60. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Эффекты взаимодействия ЭПР переходов центров меди и гадолиния в монокристаллах германата свинца й В.А. Важенин, В.Б. Гусева, А.П. Потапов, М.Ю. Артемов Уральский государственный университет им. А.М.
  61. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Наноскопические неоднородности и оптические свойства легированных купратов й А.С. Москвин, Е.В. Зенков, Ю.Д. Панов Уральский государственный университет, 620083 Екатеринбург, Россия E-mail:
  62. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Распределение по размерам и концентрация островков конденсированной фазы экситонов в квантовой яме й В.И. Сугаков Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, 03680 Киев, Украина
  63. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si : H при повышенных температурах й И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт, Д.В. Сенашенко Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
  64. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 12 Межподзонное поглощение света в селективно легированных асимметричных двойных туннельно-связанных квантовых ямах + й В.Л. Зерова , В.В. Капаев , Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, S. Schmidt ,
  65. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 12 Слабая локализация и межподзонные переходы в -легированном GaAs й Г.М. Миньков, С.А. Негашев, О.Э. Рут, А.В. Германенко, В.В. Валяев, В.Л. Гуртовой Уральский университет, 620083 Екатеринбург,
  66. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 12 Фотолюминесценция при комнатной температуре в диапазоне 1.5-1.6 мкм от наногетероструктур InGaAs / GaAs, выращенных при низкой температуре подложки + + Ж Ж + й А.А. Тонких , Г.Э. Цырлин , В.Г.
  67. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 8 Аномальный рост униполярности в легированных кристаллах ниобата лития в области температур 300Ц400 K й М.Н. Палатников, В.А. Сандлер, Н.В. Сидоров, А.В. Гурьянов, В.Т. Калинников Институт химии и технологии
  68. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Атомная и электронная структура кремниевых и кремний-металлических наночастиц Si20, Si-, NaSi20 и KSi20 20 й Н.А. Борщ , Н.С. Переславцева, С.И. Курганский Воронежский государственный
  69. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 12 Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In0.2Ga0.8N/GaN и его влияние на спектр фотолюминесценции при лазерном возбуждении й М.А. Якобсон, Д.К. Нельсон, О.В.
  70. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 8 Оптическая спектроскопия фторида бария с пространственно-временным разрешением й В.Ф. Штанько, Е.П. Чинков Томский политехнический университет, 634004 Томск, Россия (Поступила в Редакцию 3 декабря 1997 г.)
  71. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Зарядовые эффекты в композитной системе металЦполупроводник й А.В. Коропов Институт прикладной физики Национальной академии наук Украины, 40030 Сумы, Украина (Поступила в Редакцию в окончательном виде 4
  72. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Проявление в спектре мелких пограничных состояний эффектов перколяционной проводимости короткоканальных полевых транзисторов й Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, В.В. Рыльков, В.Е. Сизов
  73. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 12 Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs й А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, А.Ю. Егоров, В.А. Одноблюдов,
  74. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 12 Квантовые поправки к проводимости двумерной системы с антиточками й М.М. Махмудиан, М.В. Энтин Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск,
  75. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Влияние квантующего электрического поля на поперечную подвижность электронов в сверхрешетке й Д.В. Завьялов, С.В. Крючков, Н.Е. Мещерякова Волгоградский государственный педагогический
  76. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 12 Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров на квантовых точках спектрального диапазона 1.5 мкм й Л.Я. Карачинский,+,, T. Kettler+, Н.Ю. Гордеев, И.И. Новиков, М.В. Максимов,
  77. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 8 Перекрытие локализованных орбиталей и зоны изоляторов под давлением й В.Г. Барьяхтар, Е.В. Зароченцев, Е.П. Троицкая, Ю.В. Еремейченкова Институт магнетизма Академии наук Украины, 252142 Киев, Украина
  78. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Экситоны в нанокристаллах Si й А.С. Москаленко, И.Н. Яссиевич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: Irina.Yassievich@mail.ioffe.ru
  79. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Оптическое отражение и бесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs й В.В. Чалдышев, А.С. Школьник, В.П. Евтихиев, T. Holden
  80. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 12 Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворовЦрасплавов й А.П. Астахова, Е.А. Гребенщикова, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Е.В. Куницына,
  81. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Магнитоакустическая активность ромбоэдрических антиферромагнетиков й И.Ф. Мирсаев Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия E-mail:
  82. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Кинетика ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейной развертки по напряжению й Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120
  83. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 12 Предельное разрешение по энергии карбид-кремниевых детекторов при спектрометрии ионов й Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, M. Syvjrvi, R. Yakimova Физико-технический институт им. А.Ф.
  84. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb / AlSbAs й В.А. Соловьев, Я.В. Терентьев, А.А. Торопов, Б.Я. Мельцер, А.Н. Семенов, А.А.
  85. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Влияние термического отжига на чувствительность кремниевых МОП диодов к восстановительным газам й В.И. Балюба, В.Ю. Грицык, Т.А. Давыдова, В.М. Калыгина, С.С. Назаров, А.В. Панин , Л.С.
  86. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 12 Люминесцентные свойства ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы й А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, С.В. Дубонос, М.А. Князев, Е.Е. Якимов Институт проблем технологии микроэлектроники Российской
  87. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Характеристики лазера дальнего инфракрасного диапазона на горячих дырках в германии в конфигурациях полей Фогта и Фарадея й Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Ю.В. Кочегаров, В.Н. Тулупенко, Д.А. Фирсов
  88. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 12 Идеальный статический пробой в высоковольтных (1кВ) диодных p-n-структурах с охранными кольцами на основе 4H-SiC й П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова Физико-технический
  89. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 Слабая антилокализация и спин-орбитальное взаимодействие в квантовой яме In0.53Ga0.47As/InP в режиме замороженной фотопроводимости й Д.Д. Быканов, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев
  90. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 12 Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения й С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин , З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич,
  91. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Доменная структура в центроантисимметричных антиферромагнетиках й А.А. Халфина, М.Х. Харрасов, М.А. Шамсутдинов Башкирский государственный университет, 450074 Уфа, Россия (Поступила в Редакцию 30 ноября
  92. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах й Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский,+, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин
  93. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 12 Усиление излучения дальнего инфракрасного диапазона горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях й Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Ю.В. Кочегаров, В.Н. Тулупенко, Д.А.
  94. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Анализ рамановских спектров аморфно-нанокристаллических пленок кремния й С.В. Гайслер, О.И. Семенова , Р.Г. Шарафутдинов , Б.А. Колесов Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
  95. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 8 Вихревые состояния в антиферромагнитных кристаллах й А. Богданов, А. Шестаков Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина (Поступила в Редакцию 3 ноября 1997 г.)
  96. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Об основном состоянии системы сильно коррелированных фермионов в магнитном поле й Ю.Б. Кудасов Всеросcийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, 607180 Саров, Нижегородская обл.,
  97. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Дефектная структура сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на сапфире й Р.Н. Кютт, Г.Н. Мосина , М.П. Щеглов, Л.М. Сорокин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  98. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Полевая десорбция пленки калийЦзолото на вольфраме й Д.П. Бернацкий, В.Г. Павлов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  99. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Фосфоресценция бензальдегида в матрице пористое стеклоЦполиметилметакрилат й С.А. Багнич Институт молекулярной и атомной физики Академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия (Поступила в Редакцию 30
  100. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Кинетика окисления тонких пленок титана, выращенных на поверхности вольфрама й В.Н. Агеев, Е.Ю. Афанасьева, Н.Д. Потехина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021

Pages:     | 1 |   ...   | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам