Постановление совета министров республики беларусь
Вид материала | Документы |
- Постановление совета министров республики беларусь, 132.49kb.
- Постановление совета министров республики беларусь, 26.4kb.
- Постановление совета министров республики беларусь, 122.13kb.
- Постановление совета министров республики беларусь, 107.04kb.
- Постановление совета министров республики беларусь, 82.54kb.
- Постановление совета министров республики беларусь, 189.19kb.
- Совета Министров Республики Беларусь от 22 октября 2007 г. №1379 и признании утратившими, 92.04kb.
- О некоторых вопросах организации работы с книгой замечаний и предложений и внесении, 158.77kb.
- 02. 2012 № 126 «О внесении изменения в постановление Совета Министров Республики Беларусь, 40.76kb.
- Постановление совета министров республики беларусь, 531.32kb.
Прогнозные показатели развития НПО "Интеграл", определенные Указом Президента Республики Беларусь от 17 октября 2005 г. N 483, приведены в таблице 4.18.
Таблица 4.18
Прогнозные показатели развития НПО "Интеграл"
Наименование показателя | Значения показателей (по годам), млн. рублей | ||||||
2004, факт | 2005, прогноз | 2006 | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | |
Выручка общая от реализации | 141255 | 142115 | 150715 | 169850 | 190705 | 215000 | 226395 |
В том числе от экспорта | 23875 | 25375 | 27000 | 28875 | 30875 | 56975 | 61275 |
Объем новой продукции | 28625 | 29750 | 28000 | 29625 | 33250 | 64500 | 67080 |
Удельный вес новой продукции | 34,9 | 30,0 | 32,0 | 30,0 | 30,0 | 30,0 | 30,0 |
Существенные изменения произойдут в распределении микроэлектронной продукции по секторам назначения на внутреннем рынке. При сохранении наибольшей доли потребления за интегральными микросхемами и полупроводниковыми приборами для телевизионных приемников и средств отображения информации наибольший прирост потребления ожидается в областях промышленной электроники и микроэлектронной элементной базы для комплексов бортовых электронных систем для всей гаммы мобильных машин, выпускаемых промышленностью республики.
Правильный выбор архитектуры комплексов бортовых электронных систем позволит эффективно использовать существующий и вновь создаваемый промышленный, конструкторский и технологический потенциал предприятий НПО "Интеграл" для создания специализированной элементной базы для автотракторной и промышленной электроники с необходимыми функциональными возможностями. Это приведет к существенному снижению себестоимости, повышению рентабельности даже при низкой серийности отдельных моделей мобильной техники.
В связи с внедрением новой технологии с 0,35 мкм проектными нормами происходит значительное повышение функциональной сложности изделий и стоимости производимых интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Программа реализации микроэлектронной продукции в стоимостном выражении характеризуется увеличением объема реализации в 1,94 раза к 2010 году по сравнению с 2004 годом. При этом увеличение продаж интегральных микросхем на внутреннем рынке в 2,66 раза, на рынках ближнего зарубежья в 2 раза, а на рынках дальнего зарубежья в 1,62 раза.
Основные направления развития микроэлектроники обусловлены общими тенденциями увеличения быстродействия, снижения потребляемой мощности, расширения функциональных возможностей для новых поколений средств вычислительной и телекоммуникационной техники, промышленной электроники и бытовой теле- и радиоаппаратуры.
Прежде всего, это развитие микроэлектронных технологий и базовых библиотек проектирования - субмикронной КМОП-технологии (0,5 мкм, 0,35 мкм), в том числе с повышенной устойчивостью к специальным воздействиям, БиКМОП, БиКДМОП-технологий с предельным напряжением питания до 200, 400, 600 В; БиКМОП-элементной базы на основе кремний - германиевых структур; субмикронной EEPROM и флэш-технологий; КНИ-технологии.
Динамика изменения объемов производства интегральных микросхем в НПО "Интеграл" в зависимости от проектной нормы по результатам выполнения Государственной программы приведена в таблице 4.19.
Таблица 4.19
Динамика изменения объемов производства интегральных
микросхем в НПО "Интеграл"
┌──────────┬───────────────────────────────────────────────────────┐
│Проектная │ Объем производства млн. условных единиц / │
│норма, мкм│ млн. рублей (по годам) │
│ ├────────┬─────────┬────────┬─────────┬────────┬────────┤
│ │ 2005 │ 2006 │ 2007 │ 2008 │ 2009 │ 2010 │
├──────────┼────────┼─────────┼────────┼─────────┼────────┼────────┤
│ 1,0 │ 32,5 │ 31,3 │ 30,4 │ 28,7 │ 26,0 │ 23,5 │
│ │------- │ ----- │ ------ │ ------ │ ----- │ ------ │
│ │ 68875 │ 67295 │ 65360 │ 61705 │ 55900 │ 50525 │
├──────────┼────────┼─────────┼────────┼─────────┼────────┼────────┤
│ 0,8 │ 1,0 │ 4,8 │ 8,1 │ 12,6 │ 17,0 │ 19,5 │
│ │ ----- │ ----- │ ------ │ ------ │ ------ │ ------ │
│ │ 2150 │ 10320 │ 17415 │ 27090 │ 36550 │ 41925 │
├──────────┼────────┼─────────┼────────┼─────────┼────────┼────────┤
│ 0,5 │ - │ 0,1 <*> │ 0,5 │ 3,2 │ 8,8 │ 17,5 │
│ │ │ ------- │ ------ │ ---- │ ----- │ ----- │
│ │ │ 215 │ 1075 │ 6880 │ 18920 │ 37625 │
├──────────┼────────┼─────────┼────────┼─────────┼────────┼────────┤
│ 0,35 │ - │ - │0,1 <*> │ 0,5 │ 3,0 │ 4,5 │
│ │ │ │ ----- │ ---- │ ----- │ ------ │
│ │ │ │ 215 │ 1075 │ 6450 │ 9675 │
└──────────┴────────┴─────────┴────────┴─────────┴────────┴────────┘
--------------------------------
<*> Опытные образцы.
На основе совершенствования базовых и разработки новых технологий планируется разработать широкий спектр новых микросхем и дискретных полупроводниковых приборов:
микросхемы памяти (EEPROM);
микросхемы для устройств отображения информации, промышленной и бытовой электроники;
микросхемы для аудио- и видеотехники;
микросхемы для телекоммуникаций и периферийных систем;
микросхемы для пластиковых карт;
микросхемы для силовой и энергосберегающей аппаратуры;
микросхемы для промышленно-бытовой техники;
микросхемы для устройств автоэлектроники;
дискретные полупроводниковые приборы;
интеллектуальные сенсоры, управляющие и исполнительные модули для мехатронных устройств;
пассивные электронные компоненты.
Кроме перечисленных традиционных направлений развития микроэлектронной элементной базы за счет изменения специализации предприятий НПО "Интеграл" планируется освоить новые направления, необходимые для создания новых поколений отечественных изделий промышленной электроники и автоэлектроники. Это разработка технологических маршрутов и базовых процессов создания изделий электронной техники, изготавливаемых с применением микросистемных технологий (микромеханические акселерометры и гироскопы, датчики вибрации, давления, микроболометры, термо- и тензорезисторы, датчики расхода, вакуумметры), разработка технологических маршрутов и базовых принципов изготовления изделий сенсорной техники на основе гетероструктур сложных полупроводниковых, магнитных, пьезоэлектрических и фоточувствительных материалов на кремниевой подложке, с интеллектуальной периферией и стандартным интерфейсом обмена (магнитометры, магнитные компасы, инфракрасные фотоприемники и матрицы, измерители акустических шумов, датчики линейных и угловых перемещений, сило- и весоизмерительные преобразователи), а также изделия, формируемые методами наноэлектроники.
В обеспечение реализации проектных топологических норм 0,5 - 0,18 мкм концерном "Планар" по основным направлениям в области технологического оптико-механического, контрольно-измерительного и сборочного оборудования для изделий микроэлектроники планируется:
Автоматические установки совмещения и мультипликации (степперы):
в рамках белорусско-российской программы "Победа" завершить изготовление в 2006 году опытного образца мультипликатора ЭМ-5484А с топологической нормой 0,5 мкм;
в рамках белорусско-российской программы "Победа-2" в 2006 году разработать и в 2007 году изготовить экспериментальный образец мультипликатора с топологической нормой 0,25 - 0,18 мкм.
Оборудование для генерирования изображений на фотошаблоне:
реализация опытно-конструкторских работ в рамках ГНТП "Микроэлектроника" по созданию нового поколения оптико-механического и контрольного оборудования для производства фотошаблонов позволит поставить на производство и оснастить предприятия радиоэлектронной промышленности Республики Беларусь оборудованием, предназначенным для промышленного производства фотошаблонов, используемых в производстве СБИС технологического уровня вплоть до 0,18 мкм. Предприятия радиоэлектронных отраслей промышленности Республики Беларусь (НПО "Интеграл") и России ("Ангстрем", "Микрон" и другие) имеют производственную инфраструктуру, которая позволяет организовать производство шаблонов для технологии уровня 0,18 мкм как для собственного потребления, так и успешно работать на рынке индустрии шаблонов. Для этих целей планируется разработать и изготовить:
лазерный многоканальный генератор изображений с минимально формируемым размером 200 нм;
установку автоматического контроля топологии фотошаблонов с размером минимального обнаруживаемого изолированного дефекта 80 нм;
установку ремонта фотошаблонов с минимально ремонтируемым изолированным, прозрачным и непрозрачным дефектом не более 0,2 мкм.
Оборудование для проведения контрольных операций на различных стадиях технологического процесса (контрольно-измерительное оборудование):
в рамках белорусско-российской программы "Победа-2" завершить изготовление в 2006 году опытного образца установки автоматического контроля дефектности топологического рисунка в технологических слоях на полупроводниковых пластинах (ЭМ-6429) с порогами обнаружения 0,5 и 0,25 мкм;
в рамках белорусско-российской программы "Победа-2" завершить изготовление в 2006 году опытного образца установки автоматического контроля макродефектов поверхности полупроводниковых пластин с топологическим рисунком (ЭМ-6529) с размером минимального обнаруживаемого дефекта 50 мкм;
в рамках ГНТП "Микроэлектроника" разработать и изготовить установку автоматического контроля дефектности топологического рисунка в технологических слоях на полупроводниковых пластинах с обнаружительной способностью 0,15 мкм.
Оборудование для сборки и корпусирования изделий микроэлектроники:
продолжить работы по разработке, модернизации, освоению производства и расширению рынков сбыта импортозамещающего технологического оборудования для технического перевооружения сборочных производств Беларуси и России. На этой основе необходимо развить тенденцию устойчивого роста продаж сборочного оборудования, увеличить загрузку производственных мощностей концерна и обеспечить техническое перевооружение сборочных производств отечественным технологическим оборудованием. Например, за счет поставок в НПО "Интеграл" планируется импортозамещение сборочным оборудованием на сумму 6,5 млн. долларов США в 2006 - 2007 годах.
В этом направлении работ будет продолжена линия на поддержание адекватности сборочного оборудования по цене и качеству, экономическим возможностям и технологическим потребностям потребителей. Появилась также основа для активизации работ по расширению поставок на рынки дальнего зарубежья на новой технической базе. В первую очередь, это относится к оборудованию для зондового контроля, разделения пластин, алмазным режущим дискам.
Активизировать работы в области новых сборочных технологий.
К работам в этом направлении следует отнести запланированные в ГНТП "Микроэлектроника":
создание оборудования и освоение перспективной технологии сверхплотного монтажа в изделиях электронной техники на основе технологии "flip-chip". Технология дает уникальные возможности в расширении номенклатуры и сверхминиатюризации изделий электронной техники и позволяет уменьшить негативные последствия сложившегося отставания в области кристального производства;
разработку оборудования и освоение технологии глубокого химико-механического утонения полупроводниковых пластин, что позволит освоить новые виды электронной продукции (пластиковые кредитные карточки, силовая и СВЧ электроника);
разработку нового поколения оборудования для зондового контроля и разделения. Это оборудование позволит не только обеспечить соответствие технологическому уровню отечественного кристального производства на сборочных операциях, но и его опережение, необходимое в связи с развитием тенденции изготовления разработанных в отечественных дизайн-центрах БИС на зарубежных фабриках (фаундри-вариант). В этом случае все сборочные операции после изготовления пластины могут быть проведены без услуг зарубежных предприятий.
Активизировать работы в новых наукоемких направлениях, связанных, в частности, с прогнозами развития области нанотехнологий, MEMS-приборов, специальных методов диагностики и исследований."Белым пятном" на постсоветском пространстве на сегодняшний день остается технологическое оборудование для производства MEMS-изделий и освоения нанотехнологий. Целесообразна постановка таких работ в перспективных программах Союзного государства.
В области специальных методов диагностики планируется создание аппаратуры, исследование и внедрение неразрушающего контроля микросоединений на основе фотоакустического сканирования. Для выполнения этой работы созданы все научно-технические предпосылки. Апробация метода на исследовательской стадии показала его уникальные возможности для контроля изделий специального назначения.
Для разработки нового поколения сборочного оборудования и проведения работ в области новых технологий необходимо в 2006 - 2010 годах выполнение комплекса опытно-конструкторских работ в рамках ГНТП "Микроэлектроника", государственной программы "Импортозамещение" и других с объемом финансирования 6,88 млрд. рублей, а также постановка программ Союзного государства по электронному машиностроению с объемом финансирования по сборочному направлению 2,8 млн. долларов США.
Научно-техническим обеспечением Государственной программы развития радиоэлектронной промышленности на 2006 - 2010 годы в области развития микроэлектроники является государственная научно-техническая программа "Микроэлектроника", предусматривающая разработку и организацию серийного производства новой микроэлектронной и СВЧ-элементной базы, интеллектуальных сенсорных, управляющих и исполнительных микромодулей для промышленной и бытовой техники, экспортные поставки на основе высокоэффективных интегральных технологий и нового поколения оптико-механического, контрольно-измерительного и сборочного оборудования.
Цели программы:
комплексное решение задач создания новых технологий, материалов и элементной базы СВЧ-техники, оптоэлектроники и микросенсорики и построение на их основе законченных функциональных узлов различного назначения, в том числе узлов сбора и обработки первичной информации на интегральном уровне для создания промышленной электроники, а также средств связи и телекоммуникации;
увеличение в 1,9 - 2 раза объема экспорта наукоемкой, конкурентоспособной продукции предприятий микроэлектронной отрасли в ближнее и дальнее зарубежье;
повышение эффективности промышленных производств в стратегических областях народного хозяйства, создание конкурентоспособной импортозамещающей продукции;
обеспечение предприятий радиоэлектронной промышленности современными комплектующими и оборудованием;
обеспечение научно-технической и технологической независимости, а также информационной и военной безопасности Республики Беларусь.
Эти цели будут достигнуты путем решения следующих задач:
создание новых базовых технологических субмикронных процессов и библиотек проектирования;
создание новых классов и типов интегральных микросхем, дискретных полупроводниковых приборов, пассивных компонентов и микросборок;
создание нового поколения оптико-механического, контрольно-измерительного и сборочного оборудования;
развитие СВЧ-элементной базы, создание интеллектуальных сенсорных, управляющих и исполнительных микромодулей;
проведение прикладных научных исследований для решения вопросов создания новой наукоемкой продукции совместно с вузовской и академической наукой.
Государственная научно-техническая программа "Микроэлектроника" состоит из двух подпрограмм:
подпрограмма "Разработать и организовать серийное производство новой микроэлектронной элементной базы для промышленной и бытовой техники, экспортных поставок на основе высокоэффективных интегральных технологий и нового поколения оптико-механического, контрольно-измерительного и сборочного оборудования" на 2006 - 2010 годы, (шифр "Микроэлектронные технологии, компоненты, оборудование");
подпрограмма "Разработать и освоить производство элементной базы и функционально законченных узлов СВЧ-электроники, оптоэлектроники и интеллектуальной сенсорной техники для радиоэлектронных систем различного назначения" (шифр "СВЧ-электроника, оптоэлектроника, интеллектуальная сенсорная техника").
Планируемый объем финансирования 2006 - 2010 годов в ценах на 1 января 2006 г. ориентировочно составит 125,5 млрд. рублей, в том числе 62,75 млрд. рублей из республиканского бюджета.
Прогноз потребности в средствах на разработку новых изделий и технологий микроэлектроники приведен в таблице 4.20.
Таблица 4.20
Прогноз потребности в средствах на разработку новых изделий
и технологий микроэлектроники
| Прогнозируемый объем финансирования НИОКР (по годам), млн. рублей | ||||
2006 | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | |
Общая потребность в финансировании | 58157,2 | 74132,0 | 64564,5 | 48452,4 | 45287,6 |
Госбюджетное финансирование работ в рамках ГНТП "Микроэлектроника" и Государственной программы "Импортозамещение" | 18920,0 | 23435,0 | 19371,5 | 10728,5 | 5805,0 |
Внебюджетное финансирование НИОКР в рамках ГНТП "Микроэлектроника" и Государственной программы "Импортозамещение" (без учета средств, направляемых на подготовку производства) | 24101,5 | 31261,0 | 30358,0 | 29166,9 | 31312,6 |
Финансирование из бюджета Союзного государства в рамках программ "Основа", "Победа-2", "Видеомодуль", "Гетероструктуры-СГ", "Функциональная СВЧ- электроника-2" | 15136,0 | 19436,0 | 14835,0 | 8557,0 | 8170,0 |
Для организации производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в условиях интенсификации развития предприятий радиоэлектронной промышленности, обеспечения адекватного расширения номенклатуры и увеличения объемов выпуска производится глубокое техническое перевооружение предприятий, разрабатывающих и изготавливающих интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы. Комплекс мер, предусмотренный Указом Президента Республики Беларусь от 17 октября 2005 г. N 483 и настоящей Государственной программой, обеспечит увеличение объемов производства в НПО "Интеграл" интегральных микросхем в 2006 году с проектными нормами 0,8 мкм, в 2007 году с проектными нормами 0,5 мкм, в 2008 году - 0,35 мкм. Кроме этого, на предприятиях, разрабатывающих и изготавливающих интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы, будет выполнен ряд инвестиционных проектов, направленных на совершенствование технологии, повышение качества и экономической эффективности производства.
Прогноз потребности в средствах для технического перевооружения производств продукции микроэлектроники приведен в таблице 4.21.
Таблица 4.21
Прогноз потребности в средствах для технического
перевооружения производств продукции микроэлектроники
| Прогнозируемый объем финансирования (по годам), млн. рублей | ||||
2006 | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | |
Общая потребность в финансировании - всего | 93398,6 | 41007,0 | 12811,9 | 12360,4 | 10879,0 |
В том числе: | | | | | |
средства организаций (прибыль, амортизация и другие) | 2171,5 | 5654,5 | 5762,0 | 7525,0 | 7632,5 |
действующие инвестиционные проекты | 76729,6 | 32250,0 | 11631,5 | 3311,0 | 3934,5 |
инвестиционные проекты из централизованных источников | | | | | 1053,5 |
инновационный фонд Министерства промышленности | 4321,5 | 2169,4 | 2160,8 | 2257,5 | 2150,0 |
кредиты, инвестиции и др. | 70495,0 | 30143,0 | 3311,0 | 1333,0 | 21,5 |
другие источники | 16411,0 | 3040,1 | 1578,1 | 1244,9 | 21,5 |
4.2. Научное обеспечение Государственной программы
Научное обеспечение настоящей Государственной программы планируется осуществлять по двум направлениям:
выполнение НИОКР по разработке серийно пригодной продукции, планируемой к освоению в производстве в период 2006 - 2010 годов, и технологий, планируемых к внедрению в этот период. Эти НИОКР планируется выполнять силами отраслевой науки (НИИ и КБ Министерства промышленности и Государственного военно-промышленного комитета, конструкторско-технологические подразделения предприятий-изготовителей продукции) с привлечением при необходимости научных организаций Национальной академии наук Беларуси и Министерства образования;
выполнение НИОКР по созданию научно-технологических заделов для обеспечения интенсивного развития радиоэлектронной промышленности в последующие годы. Эти НИОКР планируется в основном выполнять силами научных организаций Национальной академии наук Беларуси и Министерства образования с привлечением при необходимости отраслевых НИИ и КБ.
Финансирование НИОКР планируется обеспечивать за счет:
собственных средств предприятий и организаций;
средств инновационных фондов министерств;
средств организаций, заинтересованных в создании и освоении производства радиоэлектронной продукции;
кредитов, инвестиций и других источников;
средств государственного бюджета в рамках государственных программ, государственных научно-технических программ, отраслевых, региональных и других;
средств бюджета Союзного государства в рамках программ Союзного государства России и Беларуси.
Общая потребность в финансировании работ по научному обеспечению развития радиоэлектроники для реализации целей и задач настоящей Государственной программы составляет примерно 780 млрд. рублей в ценах на 1 ноября 2005 г. и приведена в таблице 4.22.
Таблица 4.22
Общая потребность в финансировании работ по научному
обеспечению развития радиоэлектроники
| Прогнозируемый объем финансирования НИОКР (по годам), млн. рублей в ценах на 1ноября 2005 г. | ||||
2006 | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | |
Общая потребность в финансировании | 143703,9 | 168252,6 | 161183,4 | 150844,1 | 154793,6 |
В том числе госбюджетное финансирование работ | 68873,2 | 78247,2 | 76675,5 | 70492,1 | 71433,8 |
в том числе: | | | | | |
отраслевая наука | 51157,2 | 60101,2 | 58422,0 | 53098,6 | 54685,3 |
вузы и НАН Беларуси | 17716,0 | 18146,0 | 18253,5 | 17393,5 | 16748,5 |
Направления работ по научно-техническому обеспечению развития радиоэлектроники силами отраслевой науки и потребность в финансировании этих работ приведены в разделе 4.1.
Направления работ по научному обеспечению развития радиоэлектроники силами академической и вузовской науки приведены в разделе 4.3.
Госбюджетную поддержку научного обеспечения развития радиоэлектронной промышленности планируется осуществлять в рамках следующих программ, выполнение которых прогнозируется в период 2006 - 2010 годов:
государственные научно-технические программы "Микроэлектроника", "Радиоэлектроника", "Машиностроение", "Технологии и оборудование машиностроения", "CALS-технологии", "Оптотех-1", "Информационные технологии", "Агрокомплекс", "Электронная Беларусь", "Защита информации" и другие;
программы Союзного государства "Триада", "Победа-2", "Гетероструктуры-СГ", "Функциональная СВЧ электроника-2", "Основа", "Видеомодуль";
отраслевая программа "Средства телекоммуникаций";
государственная программа "Импортозамещение";
государственные комплексные программы научных исследований "Электроника", "Фотоника", "Кристаллические и молекулярные структуры", "Нанотех", "Техническая диагностика", "Механика", "Инфотех".
Основной объем задач по научно-техническому обеспечению развития радиоэлектронной промышленности в части разработки новых изделий и технологий для освоения в 2006 - 2010 годах планируется выполнить в рамках ГНТП "Микроэлектроника" и ГНТП "Радиоэлектроника". Паспортные данные этих программ приведены в приложениях 5 и 6.
Общая потребность в средствах госбюджетной поддержки научного обеспечения развития радиоэлектроники в период 2006 - 2010 годов оценивается суммой порядка 365 млрд. рублей, в том числе по НИОКР, выполняемых в основном силами отраслевой науки, - около 277 млрд. рублей, силами академической и вузовской науки - примерно 88 млрд. рублей.
Состав указанных программ формируется в установленном порядке путем конкурсного отбора заданий, направленных на реализацию целей настоящей Государственной программы.
Настоящей Государственной программой предусматривается развитие ряда перспективных направлений техники, научно-техническое обеспечение которых ранее не планировалось в рамках указанных выше ГНТП, ГКПНИ и союзных программ. В связи с этим предлагается в установленном порядке сформировать, утвердить и начать выполнение специализированных государственных научно-технических программ по научно-техническому обеспечению этих направлений:
ГНТП "Промышленная и автотракторная электроника";
ГНТП "Навигационные системы".
4.3. Научное обеспечение развития радиоэлектронной
промышленности организациями академической и вузовской
науки. Создание научно-технологических заделов для
интенсификации развития радиоэлектронной промышленности
на 2006 - 2010 и последующие годы
В период 2006 - 2010 годов организациями Национальной академии наук Беларуси и Министерства образования будут выполняться НИОКР, направленные как на разработку продукции, предназначенной для освоения в производстве или внедрения в указанный период, так и для создания научно-технологических заделов на последующие годы.
Научная поддержка в области телекоммуникаций и информационных технологий будет осуществляться по следующим направлениям:
разработка методологии и программно-технических средств построения сетей нового поколения в условиях Республики Беларусь;
разработка математического аппарата и прикладного программного обеспечения для решения задач проектирования телекоммуникационных сетей с учетом изменившегося характера и структуры потоков информации;
разработка новых принципов построения и создание современного оборудования для волоконно-оптических сетей;
разработка интегрированных систем навигации и связи как гражданского, так и военного применения;
разработка нового поколения приборов контроля параметров телекоммуникационных систем и средств связи;
разработка эффективных алгоритмов и программных комплексов для проектирования отечественных заказных СБИС;
разработка программного комплекса трехмерного моделирования ВАХ транзисторов и технологического процесса их создания;
разработка программного комплекса для моделирования поведения сложной аналогово-цифровой микросхемы типа видеопроцессора с использованием суперкомпьютера;
создание программных комплексов моделирования техпроцессов и приборов субмикронной и глубокой субмикронной (0,1 мкм) электроники;
разработка и создание программного комплекса для моделирования полевого транзистора на углеродных нанотрубках;
разработка электромагнитных покрытий нового поколения на основе углеродных нанодисперсных композитов для предотвращения несанкционированного доступа к информационным системам и линиям передачи и несанкционированного нарушающего воздействия на электронные системы в критические моменты их функционирования.
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ по указанным направлениям представлена в таблице 4.23.
Таблица 4.23
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ
| Прогнозируемый объем финансирования НИОКР (по годам), млн. рублей | ||||
2006 | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | |
Общая потребность в финансировании | 5590,0 | 5590,0 | 5590,0 | 5370,0 | 5370,0 |
Госбюджетное финансирование работ в рамках программ ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Фотоника", ГКПНИ "Инфотех", ГНТП "CALS-технологии", ГНТП "Оптотех-1", ГНТП "Информационные технологии" | 4090,0 | 4090,0 | 4090,0 | 3870,0 | 3870,0 |
Внебюджетное финансирование НИОКР в рамках программы ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Фотоника", ГКПНИ "Инфотех", ГНТП "CALS-технологии", ГНТП "Оптотех-1", ГНТП "Информационные технологии" | 1500,0 | 1500,0 | 1500,0 | 1500,0 | 1500,0 |
Научная поддержка в области приборостроения, включая измерительную технику, будет осуществляться по следующим направлениям:
разработка принципов создания нового поколения электро- и радиоизмерительных приборов и автоматизированных измерительных систем;
разработка элементной базы компьютерно-ориентированных измерительных систем различных типов (цифровые осциллографы, генераторы сигналов, логические анализаторы, вольтметры, частотомеры, шумомеры, анализаторы спектра и др.);
разработка нового поколения оптико-электронного оборудования, в том числе лазерно-оптических комплексов для применения в промышленности и здравоохранении;
разработка нового поколения приборов и устройств микроволнового и миллиметрового диапазонов и систем радиоволнового мониторинга, включая создание СВЧ-генераторов большой мощности;
разработка и исследования принципиально новых методов и средств количественного неразрушающего контроля и технической диагностики;
разработка приборов для изучения внутреннего строения объектов, в том числе приборов медицинской диагностики;
разработка нового поколения аналитических приборов для определения состава и свойств вещества;
разработки и исследования в области создания специальной элементной базы для контрольно-измерительной техники;
разработки и исследования в области создания элементной базы, приборов и устройств силовой электроники;
разработки и исследования в области создания современного вакуумного оборудования;
разработка датчиков дистанционного определения расстояния, параметров движения и частоты вращения;
разработка радиометрических систем обнаружения скрытых под одеждой предметов;
разработки и исследования в области создания современного оборудования для микроэлектроники.
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ по указанным направлениям представлена в таблице 4.24.
Таблица 4.24
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ
| Прогнозируемый объем финансирования НИОКР (по годам), млн. рублей | ||||
2006 | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | |
Общая потребность в финансировании | 4080,0 | 4080,0 | 4080,0 | 4080,0 | 4080,0 |
Госбюджетное финансирование работ в рамках программ ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Фотоника", ГКПНИ "Кристаллические и молекулярные структуры", ГКПНИ "Нанотех", ГКПНИ "Техническая диагностика" | 3870,0 | 3870,0 | 3870,0 | 3650,0 | 3650,0 |
Внебюджетное финансирование НИОКР в рамках программ ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Фотоника", ГКПНИ "Кристаллические и молекулярные структуры", ГКПНИ "Нанотех", ГКПНИ "Техническая диагностика" | 210,0 | 210,0 | 210,0 | 430,0 | 430,0 |
Научная поддержка в области промышленной и автотракторной электроники будет осуществляться по следующим основным направлениям:
разработка и исследования в области создания элементной базы, приборов и устройств автомобильной и силовой электроники, интеллектуальных и мехатронных устройств многоцелевого назначения;
разработка основ создания программно-аппаратных средств и алгоритмического обеспечения для информационно-управляющих систем мобильной техники, станкостроения и технологического оборудования сельскохозяйственного назначения;
разработка принципов унификации и стандартизации программно-аппаратных средств, электронных и мехатронных устройств;
разработка и исследование методов создания электронных компонентов нового поколения и новых информационных технологий;
разработка и исследования в области систем управления станочным и технологическим оборудованием;
разработка нового поколения специализированного стендового и испытательного оборудования;
разработка систем предупреждения столкновений и управления транспортными средствами;
исследования в области создания современного оборудования для сельского хозяйства.
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ по указанным направлениям представлена в таблице 4.25.
Таблица 4.25
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ
| Прогнозируемый объем финансирования НИОКР (по годам), млн. рублей | ||||
2006 | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | |
Общая потребность в финансировании | 6230,0 | 6660,0 | 6450,0 | 6450,0 | 6020,0 |
Госбюджетное финансирование работ в рамках программ ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Механика", ГКПНИ "Нанотех", ГКПНИ "Техническая диагностика", ГНТП "Машиностроение", ГНТП "Микроэлектроника", ГНТП "Информационные технологии" | 4510,0 | 4940,0 | 4730,0 | 4510,0 | 4080,0 |
Внебюджетное финансирование НИОКР в рамках программ ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Механика", ГКПНИ "Кристаллические и молекулярные структуры", ГКПНИ "Нанотех", ГКПНИ "Техническая диагностика", ГНТП "Машиностроение", ГНТП "Микроэлектроника" (без учета средств, направляемых на подготовку производства) | 1720,0 | 1720,0 | 1720,0 | 1940,0 | 1940,0 |
Научная поддержка в области телевидения и средств отображения информации будет осуществляться по следующим направлениям:
развитие многопрограммного мультимедийного телевещания в стандарте DVB (цифровое телевидение), включая:
разработку научно обоснованных принципов совместного использования цифровых технологий наземного, кабельного и спутникового вещания при развертывании мультимедийного многопрограммного телевещания в Республике Беларусь;
разработку схем организации цифрового многопрограммного вещания по стандартам DVB-T, DVB-S и DVB-C и разным средствам распределения сигналов;
разработку требований к стыкам и интерфейсам, начиная от программного телецентра до телевизионных приемников и персональных компьютеров пользователей;
математическое моделирование для проведения расчетов различных видов сетей цифрового наземного, кабельного и спутникового вещания в зависимости от заданных критериев: объема и качества вещания, диапазона частот, методов помехоустойчивого кодирования, зон обслуживания и других;
разработку и создание телевизионных систем высокой четкости;
разработку и исследования в области создания новых дисплейных технологий (жидкокристаллические экраны, дисплеи на основе органических светоизлучающих диодов и другие), интерактивных систем мультимедиа;
исследования в области развития многофункциональных систем кабельного телевидения и беспроводных технологий для домашних сетей.
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ по указанному направлению представлена в таблице 4.26.
Таблица 4.26
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ
| Прогнозируемый объем финансирования НИОКР (по годам), млн. рублей | ||||
2006 | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | |
Общая потребность в финансировании | 1550,0 | 3400,0 | 3910,0 | 3570,0 | 2800,0 |
Госбюджетное финансирование работ в рамках программ ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Фотоника", ГНТП "Информационные технологии" | 1050,0 | 1050,0 | 1050,0 | 1050,0 | 1050,0 |
Внебюджетное финансирование НИОКР в рамках программ ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Фотоника", ГНТП "Информационные технологии" | 500,0 | 500,0 | 500,0 | 500,0 | 500,0 |
Финансирование из бюджета союзного государства в рамках программы "Видеомодуль" | 0 | 1850,0 | 2360,0 | 2020,0 | 1250,0 |
Научная поддержка в области микроэлектроники будет осуществляться по следующим направлениям:
создание новых технологических процессов субмикронной электроники, включающих формирование внутренних геттерирующих слоев в кремнии, создание структур кремний-на-изоляторе (КНИ) с использованием прецизионного планарного отслоения для субмикронной элементной базы, разработку межуровневого и пассивирующего диэлектрика для планаризации структур, разработку радиационных техпроцессов управления быстродействием ИС;
разработка конструкции и технологии формирования накопителей электрически перепрограммируемой памяти на основе использования сегнетоэлектрических и ферромагнитных тонких пленок;
разработка конструкции и технологии транзисторов с гетеропереходами на основе SiGe-эпитаксиальных структур для применения в микросхемах радиочастотного диапазона;
разработка конструкции и технологии создания ИС, устойчивых к поглощенной дозе излучения до 10 мрад;
разработка процессов формирования МОП-структур с нанокристаллами Ge для энергонезависимых элементов памяти;
исследование и разработка процессов формирования напряженных SiGe на КНИ-подложках для приборов с высоким быстродействием и низким энергопотреблением;
исследование и разработка новых приборов электронной и оптоэлектронной техники, включая одноэлектронный транзистор, одноцветные и многоцветные фотоприемники на квантовых ямах и квантовых точках на диапазон длин волн 1,4 - 10 мкм для ИК-матриц нового поколения;
исследование физических принципов и технологических режимов создания межприборной изоляции фотоприемников и СВЧ-приборов на полупроводниках А3В5, А2В6 и А4В6;
исследование и разработка методов и приборов для контроля техпроцессов, технологических сред, диагностики исходных пластин и рабочих структур;
разработка и исследование характеристик тонких пленок пироэлектрических материалов для применения в качестве элементов неохлаждаемых приемников ИК-изображения, интегрированных с кремниевыми схемами считывания и обработки информации;
разработка принципов формирования передающих и приемных микро- и наноэлектромеханических (МЭМС и НЭМС), а также микро- и нанооптоэлектромеханических (МОЭМС и НОЭМС) систем;
исследование и разработка новых функциональных материалов и методов формирования тонких и сверхтонких слоев для многоуровневой металлизации, затвора и подзатворного диэлектрика с высокой диэлектрической постоянной;
разработка и исследование методов контроля тепловых процессов, протекающих в активных слоях мощных светодиодов, и способов монтажа полупроводниковых излучателей некогерентного типа на теплоотводах с алмазными основаниями, создание ультроярких светодиодов большой оптической мощности;
разработка конструкций и совместимой с КМОП кремниевой технологии изготовления миниатюрных топливных элементов с использованием пористых кремния и оксида алюминия для портативных источников питания мобильных электронных устройств;
разработка методов создания радиочастотных меток (RFID);
разработка методов формирования кремниевых лавинных фотодиодов для высокочувствительных оптоэлектронных систем;
разработка тонкопленочных гелиоэлектрических преобразователей на полупроводниковых материалах;
разработка элементной базы высокоскоростных волоконно-оптических систем передачи и обработки информации;
исследование фотоэлектрических и генерационных процессов в полупроводниковых гетероструктурах A3B5 и кремнии и разработка физико-технологических методов создания функциональных устройств СВЧ-фотоники на их основе.
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ по указанным направлениям представлена в таблице 4.27.
Таблица 4.27
Потребность в финансировании для обеспечения развития работ
| Прогнозируемый объем финансирования НИОКР (по годам), млн. рублей | ||||
2006 | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | |
Общая потребность в финансировании | 4620,0 | 5480,0 | 6340,0 | 6130,0 | 5480,0 |
Госбюджетное финансирование работ в рамках программ ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Инфотех", ГКПНИ "Кристаллические и молекулярные структуры", ГКПНИ "Нанотех", ГКПНИ "Техническая диагностика", ГКПНИ "Фотоника", ГНТП "Машиностроение", ГНТП "Микроэлектроника" | 4190,0 | 4190,0 | 4510,0 | 4300,0 | 4080,0 |
Внебюджетное финансирование НИОКР в рамках ГКПНИ "Электроника", ГКПНИ "Инфотех", ГКПНИ "Кристаллические и молекулярные структуры", ГКПНИ "Нанотех", ГКПНИ "Техническая диагностика", ГКПНИ "Фотоника", ГНТП "Машиностроение", ГНТП "Микроэлектроника" | 430,0 | 430,0 | 540,0 | 540,0 | 540,0 |
Финансирование из бюджета Союзного государства в рамках программы "Гетероструктуры-СГ" | 0 | 860,0 | 1290,0 | 1290,0 | 860,0 |
Научное обеспечение указанных направлений будет осуществляться в рамках государственных комплексных программ научных исследований на 2006 - 2010 годы "Электроника", "Инфотех", "Фотоника", "Кристаллические и молекулярные структуры", "Нанотех", "Техническая диагностика" силами следующих научных коллективов: государственное научное учреждение "Институт электроники НАН Беларуси", государственное научное учреждение "Институт физики НАН Беларуси им. Б.И.Степанова", государственное научное учреждение "Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси", государственное научное учреждение "Институт прикладной физики НАН Беларуси", государственное научное учреждение "Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси", государственное научное учреждение "Объединенный институт проблем информатики НАН Беларуси", исследовательское учреждение "Институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко Белорусского государственного университета Министерства образования Республики Беларусь", учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники" Министерства образования Республики Беларусь.