Введение в специальность

Вид материала

Пояснительная записка

Содержание Кафедра интеллектуальных систем Пояснительная записка Содержание дисциплины Тема 2.2. Организация учебного процесса по системе сквозной подготовки специалистов Тема 2.3. МЕТОДИКА ПРИОБРЕТЕНИЯ ЗНАНИЙ Тема 3.2. Полупроводники и полупроводниковые материалы Тема 3.3. Основные технологические операции при изготовлении полупроводниковых приборов и ИС Примерный перечень тем рефератов (по выбору) Расчет и проектирование полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем В.И. Пачинин Кафедра интеллектуальных систем Пояснительная записка Содержание дисциплины Их конструктивно-топологические отличия от дискретных полупроводниковых приборов С оптимальными параметрами Тема 3.2. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В ДИСКРЕТНОМ ИСПОЛНЕНИИ И активной нагрузками Примерный перечень практических занятий Примерный перечень лабораторных работ Примерный перечень тем курсовых работ ... Полное содержание

Подобный материал:

• Е. В. Арляпова введение в специальность «реклама», 1668.44kb.
• А. К. Мазуров введение в специальность, 3019.75kb.
• Рабочая учебная программа дисциплины «введение в специальность» для специальности, 107.59kb.
• Анализ и планирование трудовых показателей Аудит и контроллинг персонала Введение, 12.45kb.
• Рабочая программа дисциплины Введение в специальность специальность 032001 Документоведение, 55.23kb.
• Учебно-методический комплекс дисциплины Введение в литературоведение Специальность, 711.32kb.
• Учебно методический комплекс по дисциплине «Введение в специальность» Специальность, 2682.27kb.
• Курс Комплексный экзамен по циклам опд, сд и дисциплинам специализации: «Введение, 469.08kb.
• В г. Орске Специальность: 021100 «Юриспруденция» Дисциплина: Уголовное право Курсовая, 432.15kb.
• Введение в специальность, 1423.7kb.

Утверждена

УМО вузов Республики Беларусь

по образованию в области информатики

и радиоэлектроники

« 03 » июня 2003 г.

Регистрационный № ТД-41-010/тип.


ВВЕДЕНИЕ В СПЕЦИАЛЬНОСТЬ


Учебная программа для высших учебных заведений

по специальности І-41 01 02 Микро- и наноэлектронные

технологии и системы


Согласована с Учебно-методическим управлением БГУИР

« 28 » мая 2003 г.


Составитель

А.П. Казанцев, доцент кафедры микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», кандидат технических наук


Рецензенты:

Ф.П. Коршунов, заведующий лабораторией радиационных воздействий Института физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси, профессор, доктор технических наук;

Кафедра интеллектуальных систем Учреждения образования «Белорусская государственная политехническая академия» (протокол № 7 от 21.03.2002 г.)


Рекомендована к утверждению в качестве типовой:

Кафедрой микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский
государственный университет информатики и радиоэлектроники» (протокол
№ 7 от 04.03.2002 г.);

Научно-методическим советом по направлениям І-36 Оборудование и І-41 Компоненты оборудования УМО вузов Республики Беларусь по образованию в области информатики и радиоэлектроники (протокол № 1 от 25.10.2002 г.)


Разработана на основании Образовательного стандарта РД РБ 02100.5.030-98.


Ответственный за редакцию: Н.А. Бебель

Ответственный за выпуск: Ц.С. Шикова


ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА


Типовая программа дисциплины «Введение в специальность» разработана в соответствии с Образовательным стандартом РД РБ 02100.5.030-98 по специальности І-41 01 02 Микро- и наноэлектронные технологии и системы для высших учебных заведений.

Целью изучения дисциплины является знакомство студентов со специальностью Микро- и наноэлектронные технологии и системы и методикой приобретения знаний в высшем учебном заведении.

В результате изучения курса студент должен:

знать:

• структуру вуза;
  
• права, обязанности и правила поведения;
  

освоить:

• методику приобретения знаний;
  
• навыки работы с литературой.
  

Программа рассчитана на объем 20 часов аудиторных занятий. Примерное распределение учебных часов: 16 часов - лекции, 4 часа - просмотр учебных кинофильмов по технологии производства интегральных схем. Заканчивается курс зачетом с представлением реферата по избранной теме.


СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ


ВВЕДЕНИЕ

Предмет, цель и задачи курса «Введение в специальность». Микроэлектроника и полупроводниковые приборы в современной электронике. Роль специалистов в научно-техническом прогрессе. Краткая история развития электроники и микроэлектроники. Вклад отечественных специалистов в развитие электроники.


Раздел 1. ОБЩЕОРГАНИЗАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ


Тема 1.1. Устав БГУИР о правах и обязанностях студентов

Правила поведения студентов в университете, общежитии и общественных местах. Правила техники безопасности и ответственность за их соблюдение. Противопожарная безопасность.


Раздел 2. ПРОФИЛЬ СПЕЦИАЛЬНОСТИ И ОРГАНИЗАЦИЯ УЧЕБНОГО ПРОЦЕССА


Тема 2.1. Учебный план специальности 1-41 01 02

Роль фундаментальных дисциплин и уровень общетехнической подготовки по специальности. Специализация. Места будущей работы молодых специалистов. Научно-техническая база кафедры и возможности развития навыков исследовательской работы в процессе обучения.

Тема 2.2. Организация учебного процесса по системе сквозной
подготовки специалистов

Роль ЭВМ в учебном процессе и работе по специальности. История развития и роль профилирующей кафедры в подготовке специалистов.


Тема 2.3. МЕТОДИКА ПРИОБРЕТЕНИЯ ЗНАНИЙ

Лекции и их роль в изучении различных дисциплин, методика ведения конспекта лекций.

Практические и лабораторные работы, методика подготовки к занятиям, самостоятельная работа, защита работ.

Курсовые работы и проекты, методика работы с литературой.

Методика подготовки и сдачи зачетов и экзаменов, взаимодействие с деканатом.

Условия приобретения прочных знаний.


Раздел 3. ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ


Тема 3.1. Микроэлектроника как этап развития
современной электроники

Физические, технологические и схемотехнические аспекты микроэлектроники. Основные определения. Функциональная сложность. Степень интеграции и плотность упаковки современных ИС.

Полупроводниковая электроника. Представление о биполярных и МОП- приборах и схемах. Тонкопленочная электроника как основа создания ГИС и БИС. Оптоэлектроника и функциональная микроэлектроника.


Тема 3.2. Полупроводники и полупроводниковые материалы

Получение полупроводниковых пластин. Подложки тонкопленочных и ГИМС. Диэлектрические и проводниковые материалы, основные требования при изготовлении полупроводниковых приборов и ИМС.


Тема 3.3. Основные технологические операции
при изготовлении полупроводниковых приборов и ИС

Диффузия, имплантация, эпитаксия.

Окисление и травление; получение тонких пленок.

Фотолитография.

Обобщенная схема технологического процесса ИС.


ЗАКЛЮЧЕНИЕ


Сложность специальности І-41 01 02 и роль уровня знаний в работе по специальности. Просмотр кинофильмов по технологии создания ИС.


ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ РЕФЕРАТОВ (ПО ВЫБОРУ)

1. История развития микроэлектроники.
   
2. Микроэлектроника и ее связь с другими науками.
   
3. Области применения микроэлектроники.
   
4. Тенденция развития микроэлектроники.
   
5. Микроэлектроника и современность.
   
6. Технологические особенности микроэлектроники.
   
7. Конструктивные особенности микроэлектроники.
   
8. Физические основы микроэлектроники.
   
9. Базовые процессы в микроэлектронике.
   
10. Полупроводниковая микроэлектроника.
    
11. Тонкопленочная микроэлектроника.
    
12. Толстопленочная микроэлектроника.
    
13. Функциональная микроэлектроника.
    
14. Оптоэлектроника.
    
15. Акустоэлектроника.
    
16. Магнетоэлектроника.
    
17. Методы получения толстых пленок.
    
18. Методы получения тонких пленок.
    
19. Способы получения диэлектрических пленок.
    
20. Электронно-лучевое напыление.
    
21. Способы получения формы элементов ИС.
    
22. Фотолитография.
    
23. Фотошаблоны.
    
24. Получение формы элементов с помощью масок.
    
25. Электронно-лучевая литография.
    
26. Подложки ИС и их очистка перед напылением.
    
27. Методы выращивания монокристаллов.
    
28. Методы очистки монокристаллов.
    
29. Химическая очистка поверхности полупроводниковых пластин.
    
30. Ионное травление полупроводниковых пластин.
    
31. Механическая обработка поверхности пластин.
    
32. Окисление поверхности пластин.
    
33. Окисление в парах воды.
    
34. Сухое окисление.
    
35. Выращивание монокристаллов из расплава.
    
36. Выращивание монокристаллов из раствора.
    
37. Выращивание монокристаллов из газовой фазы.
    
38. Эпитаксия.
    
39. Легирование
    
40. Имплантация.
    
41. Термическое напыление.
    
42. Катодное распыление.
    
43. Технология создания тонкопленочных ИС.
    
44. Методы изоляции элементов полупроводниковых ИС.
    
45. Элементы пленочных ИС.
    
46. Униполярные транзисторы.
    
47. Интегральные диоды.
    
48. Биполярные транзисторы.
    
49. Полупроводниковые резисторы.
    
50. Полупроводниковые конденсаторы.
    
51. Логические элементы на биполярных транзисторах.
    
52. Логические элементы на МДП-транзисторах.
    
53. Запоминающие устройства.
    
54. Операционные усилители.
    
55. Аналоговые устройства в микроэлектронике.
    
56. Логические операции в микроэлектронных устройствах.
    
57. Гибридные ИС.
    
58. Технологический процесс создания ИС на МОП-транзисторах.
    
59. Технологический процесс получения тонкопленочных ИС.
    
60. Технология получения толстопленочных ИС.
    
61. Технологический процесс создания ГИС.
    
62. Технологический процесс получения СБИС.
    
63. Технологический процесс создания БИС.
    
64. Технология полупроводниковых ИС на биполярных транзисторах.
    
65. Материалы для получения ИС.
    
66. Сборочные операции при создании ИС.
    
67. Свободные темы по вопросам МЭ (по согласованию с преподавателем).
    

ЛИТЕРАТУРА

ОСНОВНАЯ

1. Устав Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники. – Мн., 1995.
   
2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Сов. радио, 1980.
   
3. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1983.
   
4. Козырь И., Ефимов И.Е., Горбунов Ю.М. Микроэлектроника. – М.: Высш. шк., 1986.
   
5. Пасынков В.В. Материалы электронной техники. – М.: Высш. шк., 1980.
   
6. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных средств. – М: Радио и связь, 1991.
   

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ

1. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. –М.: Высш. шк., 1984.
   
2. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. –М.: Энергомашиздат, 1990.
   
3. Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы. –М.: Энергоатомиздат, 1983.
   
4. Расадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высш. шк., 1991.
   
5. Игулыюв Д.В., Королев Г.В., Громов И.С. Основы микроэлектроники. – М.: Высш. шк., 1991.
   
6. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Высш. шк., 1991.
   
7. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991.
   
8. Технология СБИС /Под ред. Ю.Д.Чистякова. – М.: Мир, 1986.
   
9. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Высш. шк., 1980.
   
10. Казанцев А.П. Электротехнические материалы. – М.: Дизайн ПРО, 1998, 2001.