Geum.ru

Xiv симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»

Вид материалаДокументы

Содержание


Формат симпозиума, официальные языки
Публикация материалов
Место проведения, условия проживания
Оплата за участие в Симпозиуме
Подобный материал:

XIV Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»

Глубокоуважаемые господа! Приглашаем вас и ваших коллег принять участие в XIV Симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника».



Симпозиум будет проводиться 22-27 марта 2010 года.

Организаторы

Институт физики микроструктур РАН

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Нижегородский фонд содействия образованию и исследованиям

Сопредседатели Симпозиума

С.В.Гапонов, ИФМ РАН

З.Ф.Красильник, ИФМ РАНПрограммный комитет


А.Л.Асеев, ИФП СО РАН, Новосибирск;

В.А.Бушуев, МГУ, Москва;

В.А.Быков, ЗАО «НТ-МДТ», Москва;

В.И.Гавриленко, ИФМ РАН, Н. Новгород;

К.Н.Ельцов, ИОФ им. А. М. Прохорова РАН, Москва;

С.В.Иванов, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург;

В.В.Кведер, ИФТТ РАН, Черноголовка;

М.В.Ковальчук, ИК РАН, Москва;

А.С.Мельников, ИФМ РАН, Н. Новгород;

В.Л.Миронов, ИФМ РАН, Н. Новгород;

Д.В.Рощупкин, ИПТМ РАН, Черноголовка;

Н.Н.Салащенко, ИФМ РАН, Н. Новгород;

М.В.Сапожников, ИФМ РАН, ученый секретарь Симпозиума;

А.А.Саранин, ИАПУ ДВО РАН, Владивосток;

А.А.Снигирев, ESRF, Франция;

Р.А.Сурис, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург;

В.Б.Тимофеев, ИФТТ РАН, Черноголовка;

В.В.Устинов, ИФМ УрО АН, Екатеринбург;

А.А.Фраерман, ИФМ РАН, Н. Новгород;

Е.В.Чупрунов, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород;

Основные разделы программы

  1. Сверхпроводящие наносистемы
  2. Магнитные наноструктуры
  3. Полупроводниковые структуры: электронные, оптические свойства, методы формирования
  4. Общие свойства наноструктур и аналитические методы исследования поверхности
  5. Многослойная и кристаллическая рентгеновская оптика

Формат симпозиума, официальные языки


Будут представлены 15 пленарных докладов, приглашенные, устные и стендовые доклады.

Основной язык Симпозиума — русский, представление докладов возможно так же на английском языке.

Публикация материалов


К началу работы будет издан сборник докладов участников.

Часть докладов планируется опубликовать в журналах «Известия РАН. Серия Физическая», «Физика и техника полупроводников» и «Поверхность».

Правила представления материалов будут приведены во 2-м извещении.

Важные даты

  • 15.11.2009 — Окончание регистрации;
  • 20.12.2009 — Второе извещение, информация о принятых докладах;
  • 20.01.2010 — Представление материалов для публикации в сборнике;
  • 22.03.2010 — Начало Симпозиума.

Регистрация


Для заявки участия в совещании необходимо в срок до 15 ноября 2009 года заполнить форму на нашем сайте. Форма будет доступна через несколько дней. Обращаем внимание, что это единственный способ регистрации.

После регистрации вам будет выслан персональный пароль для дальнейшей работы с сайтом.

Решение Программного комитета об отобранных и отклоненных докладах будет разослано со вторым информационным извещением 20 декабря 2009 года.

Место проведения, условия проживания


Симпозиум будет проводиться в доме отдыха вблизи Нижнего Новгорода.

Размещение предполагается в одно- и двухместных номерах.

Будет организовано трехразовое питание и кофейные столы в перерывах между заседаниями.

Оплата за участие в Симпозиуме


Основные расходы по участию в Симпозиуме будут включены в оргвзнос. Порядок оплаты оргвзноса будет разъяснен во втором извещении.


Оргкомитет старается изыскать возможности для дополнительной финансовой поддержки участия в работе симпозиума молодых ученых до 33 лет. Молодые ученые, заинтересованные в получении такой поддержки должны указать это при регистрации.

Контакты


Институт физики микроструктур РАН
603950, Нижний Новгород, ГСП-105, Россия

Максим Викторович Сапожников, Елена Сергеевна Мотова,
тел: (831) 4385120, (831) 4385226+240,
факс: (831) 4385553,
e-mail: symp@ipm.sci-nnov.ru