Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

[3] Абдурахимов Д.Е., Верещагин В.Л., Калинушкин В.П. и пробоя. Однако, согласно оценкам, сделанным в [6], этот др. // Краткие сообщения по физике. 1991. № 6. С. 27Ц29.

фактор при использованном режиме облучения не играет [4] Kryshtab T.G., Lytvin P.M., Masin M.A., Prokopenko I.V. // существенной роли.

Metal Phys. and Adv. Technol. 1997. Vol. 19. N 3. P. 71Ц77.

3. Электродинамический, связанный с отклонением [5] Миленин В.В., Конакова Р.В., Статов В.А. и др. // электронной подсистемы полупроводника от термодиПисьма в ЖТФ. 1994. Т. 20. № 4. С. 32Ц34.

намического равновесия за счет возникновения горячих [6] Антипин В.В., Головицын В.А., Громов Д.В. и др. // носителей заряда в приповерхностном слое полупроЗарубежная радиоэлектроника. 1995. № 1. С. 37Ц53.

водника и обусловленного этим изменения примесно[7] Синищук И.К., Чайка Г.Е., Шишияну Ф.С. // ФТП. 1985.

дефектного состава этого слоя [7]. Близость электрофиТ. 19. Вып. 4. С. 674Ц677.

зических параметров поверхностно-барьерных структур, [8] Borkovskaya O.Ya., Dmitruk N.L., Konakova R.V. et al. // подвергнутых воздействиям СВЧ излучения и -квантов Submicron Devices (Proc. NATOAdv. Study Inst.) / Ed. A.-P.

Co (где заданный механизм является определяющим), Jauho, E.V. Buzaneva. Dordrecht: Kluwer Acad. Publ., 1996.

указывает на его доминирующую роль в процессах P. 386Ц389.

[9] Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 8.

структурно-примесной перестройки дефектов при микроС. 1495Ц1496.

волновых воздействиях [8].

[10] Беляев А.Е., Беляев А.А., Венгер Е.Ф. и др. // VI 4. Возникновение нестационарных градиентов упруМеждунар. Крымская конф. ФСВЧ техника и телекомгих напряжений, вызванных практически мгновенным муникационные технологииФ. Севастополь: Вебер, 1967.

разогревом неупорядоченных областей полупроводниС. 71Ц89.

ка, возникающих в процессе формирования контактной Журнал технической физики, 1998, том 68, № Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам