Природные шунгиты представляют собой силикатные 1. Методика эксперимента образования, содержащие естественный стеклоуглерод Использовались образцы шунгита-I из одной партии с в количествах от единиц до 99.6% в некоторых образхарактерными размерами в несколько mm и удельным цах. Эти неупорядоченные структуры характеризуются весом 1.85 g / cm3. Измерения проводились в геометрии разнообразием состава и наряду с углеродом содержат рассеяния назад. Спектры возбуждались 5145 -линией кварц, окислы металлов, алюмосиликаты, слюду и т. д.
Ar+-лазера при мощностях падающего на образцы изВсе составляющие ФперемешаныФ удивительно однородлучения от 5 до 30 mW. Размеры области возбуждения но [1Ц3].
находились в пределах 20-50 m. Для сканирования поИз данных по рентгеноструктурному анализу известверхности образцов использовалась микрометрическая но, что области когерентного рассеяния рентгеновских приставка с шагом 50 m. Измерялись как исходные, лучей представляют собой микрокристаллиты, содержатак и подвергнутые температурной обработке образцы щие 3Ц6 искаженных и сильнодефектных графитоподоб- при 500, 1000, 2000 и 2700C. Для предотвращения ных атомных слоев с количеством ароматических колец окисления образцов температурную обработку проводив слое на порядок больше. Электронографические иссле- ли в атмосфере аргона в специальной СВЧ-печи. После нагрева образец в течение 5Ц10 минут выдерживался дования [1] и рамановские спектры [4] дают практически одинаковую величину размеров графитоподобных микро- при заданной температуре, затем печь выключалась, и образец медленно охлаждался вместе с ней до комнатной кристаллитов для углерода шунгитов-I (c наибольшим температуры, при которой и проводились измерения. Разсодержанием углерода Ч до 98%), равную 25.
меры микрокристаллитов вычислены путем сравнения Одной из особенностей природного стеклоуглерода интегральных интенсивностей соответствующих полос шунгитов является его стойкость к графитации вплоть до рассеяния [6], предварительно обработанных по специтемператур около 3000C. В различных типах шунгитов альной программе для выделения контуров.
процесс частичного графитирования заканчивается при разных температурах в диапазоне от 2200 до 2800C [2], 2. Экспериментальные результаты но до конца его провести не удается. По мнению авторов [2], это объясняется присутствием углерода в На рис. 1 представлены спектры КРС исходных (крицепочечном виде, который характеризуется устойчивывая 1) и прошедших предварительную температурную ми связями типа -CC- и =C=C=, являющимися обработку образцов (кривые 2Ц5). Вид спектров образглавным препятствием графитации шунгитов. Авторы [5] цов шунгита аналогичен спектрам большинства других основной причиной неграфитируемости считают присутуглеродных неупорядоченных структур. Наибольшей инствие гетероатомов в шунгитовом веществе.
тенсивностью обладают две основные наблюдаемые поВ настоящей работе методом комбинационного расселосы с центрами при 1355 и 1580-1590 cm-1, отвечаюяния света (КРС) исследуются структурные изменения щие A1g- иE2g2-модам колебаний атомов кристаллическошунгитового углерода, подвергнутого температурным го графита соответственно. Первая запрещена правилами обработкам. отбора и проявляется в аморфной фазе углерода. ПоОсобенности структуры и температурная стойкость шунгитового углерода к графитации вая 4). Наиболее сильные изменения наблюдаются в образцах, подвергнутых нагреву до 2700C (кривая 5):
высокочастотная полоса заметно превышает по интенсивности низкочастотную, что указывает на несколько большую упорядоченность структуры углерода, т. е. на его частичное графитирование.
С целью проверки того, относится ли данный эффект ко всему объему образца или только к его приповерхностной области, были проведены дополнительные измерения сколов образцов. Оказалось, что до 2000C включительно спектры КРС от поверхности и объема практически не отличаются. При 2700C степень графитации поверхности существенно выше (кривая 1 на рис. 2) чем объемных областей (кривые 2, 3). В связи с этим на кривой 5 рис. 1 показан спектр КРС объемной области образца.
Рис. 1. Спектры КРС шунгита-I после отжига в инертной ат мосфере при различных температурах. T C: 1 Ч 20, 2 Ч 500, 3 Ч 1000, 4 Ч 2000, 5 Ч 2700. Для удобства кривые смещены 3. Обсуждение результатов по вертикальной оси.
Процесс графитации в углеродных материалах обычно идет по следующей схеме. При температурах 1000-2000C увеличивается диаметр слоев La путем слияния соседних сеток и присоединения неупорядоченных атомов углерода. Межплоскостные расстояния d практически не меняются. При температурах свыше 2000C рост сеток замедляется, а величина d значительно уменьшается, при этом происходит азимутальное упорядочение слоев по отношению друг к другу. Далее происходит упаковка гексагональных сеток в параллельные слои с образованием пакетов различной толщины [8].
На рис. 3 показана зависимость размера микрокристаллитов La от температуры отжига, соответствующая данным рис. 1. Видно, что наблюдается монотонный рост, и если в исходном образце La 24, то после термообработок La увеличивается более чем в 2 раза.
Для образца, соответствующего кривой 1 на рис. 2, La 162. Межслоевое расстояние d в шунгитах уменьРис. 2. Спектры КРС шунгита-I после отжига при 2700C в шается незначительно и при 2800C может стать равным, инертной атмосфере. 1 Ч от приповерхностной области, 2 и например, d = 3.436 при исходном d = 3.497 [2].
3 Ч объем образца от разных точек скола.
Последняя величина близка к средней для шунгитов.
Напомним, что у кристаллического графита d = 3.355.
Представленные экспериментальные данные подтверждают, что в высокоуглеродистых шунгитах после высоложение, полуширины и соотношение интенсивностей этих полос для кривой 1 практически совпадают как с данными, приведенными в [4], так и с аналогичными особенностями спектров КРС так называемой ФлуковичнойФ формы углерода [7].
Температурная обработка образцов приводит к тому, что в спектрах наблюдаются некоторые изменения, наиболее характерным из которых является изменение соотношения интенсивностей основных полос рассеяния света. При увеличении температуры отжига это соотношение несколько изменяется в пользу более высокочастотной полосы (кривые 2, 3), и для температуры Рис. 3. Зависимость размеров микрокристаллитов шунгита-I 2000C полосы примерно равны по амплитуде (кри- от температуры отжига образцов.
Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 1414 С.В. Холодкевич, В.И. Березкин, В.Ю. Давыдов котемпературных обработок полная графитация образ- то время как для первого наиболее характерны велицов не наблюдается ни в объеме, ни на поверхности. В чины 1.79-1.85 g / cm3 [1], что находится на уровне выпротивном случае полоса при 1355 cm-1 должна была сококачественных монокристаллических промышленных бы полностью исчезать. Причины тому следует искать, графитов и превышает уровень других известных форм по-видимому, в особенностях структуры и состава шун- природного аморфного углерода.
гитов.
По данным электронно-микроскопических исследоваШунгиты имеют сложный минералогический состав. ний, основным элементом строения шунгитового вещеДаже в высокоуглеродистых шунгитах-I самые разно- ства является глобула, представляющая собой предпообразные примеси могут присутствовать в количестве до ложительно пустотелую частицу, по форме близкую к нескольких процентов. Однако примесные атомы, на наш шаровой, с размерами 100 и с многослойной обовзгляд, не только не могут служить препятствием графи- лочкой [11]. Области когерентного рассеяния рентгеновтации шунгитов, а, наоборот, должны содействовать ей. ских лучей представляют собой наиболее протяженные Дело в том, что целый ряд металлов, а также кремний, плоские стенки глобулы, т. е. области однотипного распокак хорошо известно [9], обладает каталитическим дей- ложения слоев атомов углерода. Между глобулами нахоствием на процесс графитации углеродных материалов. дится углерод, обеспечивающий связь между ними [12].
Интенсификация процесса происходит через карбидо- Он, по-видимому, наименее организован и представляет образование и возникновение эвтектических расплавов собой углерод случайной сетки. Такая структура подобна типа MeЦMeC, MeCЦC (где Me Ч атом металла или ФлуковичнойФ форме углерода, образующейся при темпекремния), когда чередующиеся акты синтеза-разложения ратуре 1000C в результате структурного фазового пекарбидов ведут к образованию графита. Примеси, не рехода алмазЦграфит на поверхности 40 -кластеров участвующие в карбидообразовании, т. е. не являющиеся алмаза, полученных методом детонационного синтеза из катализаторами, существенного влияния на процесс не углерода взрывчатых веществ [7]. Здесь глобула не оказывают [8,9]. В шунгитах подавляющее большинство пустотелая, а содержит алмазный нанокластер. Что канеуглеродных составляющих обладают каталитическим сается шунгитов, то при термообработках уменьшается действием. кривизна слоев вследствие слияния глобул и образования относительно более крупных полых частиц [12].
Что касается цепочечного углерода, то он может присутствовать как в базовых плоскостях, так и осуще- Увеличение эллиптичности также даст наблюдаемый рост видимых размеров микрокристаллитов.
ствлять жесткую связь между ними. Считается, что в шунгитах-I на 5-6 атомов в слое может приходиться Известно, что в неграфитирующихся углеродных ма1-2 атома углерода, имеющего прочную связь с сосед- териалах структура остается несовершенной даже после ней плоскостью [1,2]. При столь высокой концентрации длительных обработок при очень высоких температуатомов цепочечного углерода их присутствие в структу- рах, и если имеются глобулы, то они не изменяют ре шунгитового вещества можно было бы, на наш взгляд, своей морфологии вплоть до температур сублимации фиксировать прямыми методами, такими, как например углерода [13]. Если процесс графитации рассматривать ИК-поглощение или КРС в области 2100-2300 cm-1, как превращение двумерной структуры в трехмерную, характерной для линейных углеродных цепочек [10]. то в шунгитах на фоне видимого укрупнения микроОднако к настоящему времени зафиксировать эти осо- кристаллитов их общая взаимная ориентация остается бенности в шунгитах не удалось. С другой стороны, хаотической. Здесь можно отметить, что эффективность если иметь в виду, что соседние углеродные слои как графитирования, например, промышленных саж убывает в продольном, так и в поперечном направлениях могут с уменьшением размера сферических сажевых частиц объединяться за счет дефектов структуры, например из-за влияния возрастающей кривизны их поверхности, винтовых и краевых дислокаций, то вводить допущение и наиболее дисперсные сажи, канальные, с размерао линейных молекулах углерода нет необходимости [8]. ми частиц 100-400 не графитируются [14]. Таким образом, шунгитовые микрокристаллиты, объединенные Шунгит по степени разупорядоченности является, в глобулы, не способны к полному взаимному слиянию вероятно, одим из крайних членов в ряду твердого вследствие их малого размера и отсутствия взаимной углерода, так как отсутствие на его рентгенограммах ориентации. Иными словами, свойство неграфитируемотрехмерных рефлексов типа (hkl) не дает оснований представлять шунгитовый углерод как мелкодисперс- сти изначально задано самой структурой шунгитового вещества.
ный или плохо кристаллизованный графит. Структура шунгитов-I должна существенно отличаться также и от В связи с вышеизложенным становится понятно, поструктуры синтетического стеклоуглерода (для которого чему процесс графитации на поверхности образцов прохарактерны жесткие перекрещивающиеся кратные угле- ходит гораздо глубже. В объемных областях подавляюродные связи, связи графитоалмазного типа и мостико- щее большинство глобул остается неразрушенным вследвый кислород [9]), так как при примерно одинаковых ствие их плотной упаковки, и микрокристаллиты не имеLa, содержании углерода и пористости удельный вес ют возможностей к выравниванию взаимной ориентации.
второго обычно составляет величину 1.4-1.5g/ cm3, в Напротив, на поверхности благодаря дополнительной Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. Особенности структуры и температурная стойкость шунгитового углерода к графитации поверхностной энергии могут разрываться связи, ста- [10] М.Б. Гусева, В.Г. Бабаев, В.М. Бабина, Н.Д. Новиков, В.В. Хвостов. В кн.: Аморфные и микрокристаллические бильные в объемных областях образца, и глобулы, теряя полупроводники. Тез. докл. Всерос. симпоз. СПб (1998).
замкнутость, могут разрушаться на микрокристаллитные С. 55.
фрагменты более интенсивно, чем в объеме, создавая [11] V.V. Kovalevski, N.N. Rozhkova, A.Z. Zaidenberg, дополнительные условия для укладки углеродных слоев A.N. Yermolin. Molec. Mater. 4, 1Ц3, 77 (1994), в регулярную кристаллическую решетку. Однако процесс [12] В.В. Ковалевский. ЖНХ 39, 1, 31 (1994).
графитации и на поверхности не проходит до конца, так [13] А.С. Фиалков. Углеграфитовые материалы. Энергия, М.
как исходная структура ограничивает пределы укрупне(1979). 320 с.
ния микрокристаллитов и разрушения глобул, т. е. само [14] В.Б. Фенелонов. Пористый углерод. Изд-во ин-та катализа шунгитовое вещество и после термообработок предСО РАН, Новосибирск (1995). 518 с.
ставляет собой в высокой степени разупорядоченный материал.
Анализ полученных в настоящей работе результатов позволяет сделать следующие выводы.
Pages: | 1 | 2 | Книги по разным темам