мален, а в нашем симметричном случае равен 0, так E-mail:eig@lure.gpi.ac.ru(Golant) что все электроны проходят сквозь ДБРТС. С ростом энергии модулирующего поля до величин, сравнимых и превосходящих ширину уровня, все меньшее время электронный поток облучает структуру в области с ненулевым коэффициентом прохождения и поэтому все меньшее число электронов проходит сквозь ДБРТС.
Данная работа поддерживается Российским фондом фундаментальных исследований (проект № 94-02-04449) и Научным советом по программе ФФизика твердотельных наноструктурФ (проект № 1-050).
Список литературы [1] M. Buttiker, R. Landauer. Phys. Rev. Lett., 49, 1739 (1982).
[2] M.J. Hagman. J. Appl. Phys., 78, 25 (1995).
[3] Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 797 (1971).
[4] L.C. West, S.J. Eglash. Appl. Phys. Lett., 46, 1156 (1985).
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Pages: | 1 | 2 | Книги по разным темам