Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

Наиболее яркое влияние полярищации на фотоактив[2] Солнечная энергетика, под ред. Ю.Н. Малевского и ное поглощение в структурах ITO/Si отразилось в спекМ.М. Колтуна (М., Мир, 1979) с. 375.

тральной зависимости коэффициента наведенного фото[3] О.П. Агнихатри, Б.К. Гупта. Селективные поверхности плеохроизма (рис. 4, кривая 3). В ней отчетливо виден солнечных установок (М., Мир, 1984) с. 312.

осциллирующий характер фотоплеохроизма. Миниму[4] А.И. Малик, В.А. Баранюк, В.А. Манассон. Гелиотехника, мы фотоплеохроизма соответствуют области сближения №1, 3 (1980).

в спектральных зависимостях p( ) и s( ), тогда [5] N. Mardesich. In: Rec. 15th IEEE Photovolt. Spec. Conf., как максимумы PI отвечают максимумам в зависимости Kissimee, 1981 (N.Y., IEEE, 1981) p. 446.

[6] Н.В. Суйковская. Химические методы получения тонp( ) и минимумам s( ). Поэтому есть основания ких прозрачных пленок (Л., Химия, 1971) с. 198.

заключить, что спектральную зависимость наведенного [7] П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полуфотоплеохроизма можно в последующем применять для проводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук.

контроля величины и спектрального положения эффекта думка, 1975) с. 240.

просветления. Ясно, что эффект максимален в миниму[8] Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, №8, 67 (1986).

мах спектральной зависимости наведенного фотоплео[9] G.A. Medvedkin, Yu.V. RudТ. Phys. St. Sol., A67, 333 (1981).

хроизма при PI 0. Поскольку при условии PI = 0 вы[10] Н.Н. Константинова, М.А. Магомедов, В.Ю. Рудь, полняется равенство фототоков ip = is, можно считать, Ю.В. Рудь. ФТП, 26, 1861 (1992).

что при этом обеспечивается просветление для волн [11] S.G. Konnikov, V.Yu. RudТ, Yu.V. RudТ, D. Melebaev, обеих поляризаций. В то же время и при достижении A. Berkeliev, M. Serginov, S. Tilevov. Jap. J. Appl. Phys., 32-3, максимумов в зависимостях PI( ) также происходит 515 (1993).

[12] В.Ю. Рудь. Автореф. канд. дис. (ФТИ РАН, Спб., 1995) просветление. Однако поскольку при этом ip > is, можно с. 17.

утверждать, что просветление обеспечивается только для [13] Г.С. Ландсберг. Оптика (М., 1976) с. 927.

волны E ПП, тогда как для поляризации E ПП [14] Р. Аззам, М. Башара. Эллипсометрия и поляризованный преобладает отражение, что и вызывает спад is относисвет (М., 1981) с. 584.

тельно ip.

Если значения наведенного фотоплеохроизма в макРедактор В.В. Чалдышев симумах зависимости PI( ) соединить прямой (рис. 4, кривая 4), тогда налицо слабая зависимость PI от энергии фотонов, как и предсказывает теоретический анализ наведенного фотоплеохроизма [9]. Тогда имеющиеся ФпровалыФ экспериментальной зависимости PI( ) (кривая 3) относительно экстраполированной по ее максиФизика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Поляризационная фоточувствительность кремниевых солнечных элементов... Polarization photosensitivity of silicon solar cells with indium-tin-oxide anti-reflection coatings Ж V.M. Botnaryuk, A.V. Coval, V.Yu. RudТ, Yu.V. RudТ, A.V. Simashkevich, D.A. Sherban State University of Moldova, Kishinev, Moldova Ж State Technical University, 195251 St.Petersburg, Russia A.F.Ioffe Physicotechnical Institute, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

The photoelectric properties of ITO/n-Si solar cells have been studied. A polarization photosensitivity and an increase in the arbitrary quantum efficiency of photoconversion were observed when the reflection losses were reduced as a result of oblique incidence of linearly polarized light on a solar cells from ITO film side. The induced photopleochroism coefficient PI increased with increasing angle of incidence in accordance with the law PI 2. The polarization photosensitivity of solar cells was found to depend on the photon energy of the band gaps of the two materials in contact. The results indicated that the investigated solar cells could be used as selective polarimetric photosensors.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам