Программируемый генератор синусоидальных колебаний
Рязанская государственная радиотехническая академия
Кафедра ИИБМТ
Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине: «Электроника и микропроцессорная техника» на тему:
«ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ГЕНЕРАТОР СИНУСОИДАЛЬНЫХ КОЛЕБАНИЙ»
Выполнил:
студент гр. 234
Киреев А. А.
Проверил:
Струтинский Ю. А.
Оглавление
Техническое задание............................................................................................................. 3 Введение.................................................................................................................................4 Обзор литературы..................................................................................................................5 Разработка структурной и функциональной схемы стройства....................................... 7 Разработка принципиальной схемы и выбор элементной базы........................................ 9 Разработка аналоговой части..........................................................................................9 Генератор.................................................................................................................... 9 Выходной каскад......................................................................................................11 Расчёт генератора с выходным каскадом.............................................................. 12 Расчёт элементов моста Винна............................................................................... 13 Разработка цифровой части.......................................................................................... 14 Разработка программного обеспечения............................................................................ 19 Основной цикл............................................................................................................... 19 Подпрограмма становки RC-матрицы....................................................................... 21 Заключение.......................................................................................................................... 22 Список литературы..............................................................................................................23 Приложения......................................................................................................................... 24 Пречень элементов........................................................................................................ 24 Список сокращений....................................................................................................... 26Техническое задание
Разработать программируемый генератор синусоидального сигнала со следующими характеристиками:
Диапазон частот:................................................................................... Δf, Гц...................... 20..20 Относительная погрешность в пределах частотного диапазона:..... δотн........................... 2% Сопротивление нагрузки:..................................................................... Rнагр не менее, Ом..5
Введение
Колебания синусоидальной формы являются одним из наиболее распространённых в радиоэлектронике видов колебаний. Генераторы синусоидальных колебаний используются в радиотехнике для настройки и калибровки различных цепей и стройств, также могут применяться при их синтезе и непосредственно быть составными частями радиоэлектронной аппаратуры. Получение сигналов синусоидальной формы с высокой точностью очень важно при анализе и оценке характеристик нелинейностей квазилинейных стройств, таких как силители. Столь же важно получать синусоидальные колебания с высокой точностью по частоте, например, для избирательных силителей или средств измерения частоты.
В зависимости от области применения, генераторы можно разделить на высокочастотные и низкочастотные. В техническом задании описан низкочастотный генератор, более того, его диапазон лежит области звуковых частот. При синтезе низкочастотных генераторов важно учитывать то, что прежде всего необходимо получить сигнал с высокой точностью формы. Это требование обусловлено тем, что данные генераторы используются для настройки и измерения искажений в силителях, фильтрах и измерительных каналах (невысокого быстродействия).
Существует множество стройств на различных активных элементах (транзисторы, операционные силители). Генератор можно получить, охватив обычный силитель положительной обратной связью (ОС), как показано на рисунке 1. Принцип работы таких генераторов
Обзор литературы
1. Алексенко А. Г., Коломбет Е. А., Стародуб Г. И.
«Применение прецизионных аналоговых микросхем» В книге описаны основные конструкции генераторов. Основное внимание авторы деляют вопросам применения операционных силителей (ОУ). Рассматриваются схемотехника прецизионных аналоговых микросхем и их применение в радиоэлектронной аппаратуре. Основное внимание деляется принципам построения и типовым каскадам аналоговых микросхем общего применения: операционным силителям, компараторам и перемножителям напряжения, таймерам, интегральным стабилизаторам, цифро-аналоговым и аналого-цифровым преобразователям. Излагаются словия достижения
предельных параметров аналоговых микросхем и схемотехнические способы лучшения их характеристик. В книге приведён ряд конструктивных решений, связанных с пояснением общих принципов построения
генераторов на ОУ, также несколько конструкций конкретных стройств. В частности, из книги были заимствованы генераторы синусоидальных колебаний:
- на мосте Винна,
- на Т-образном мосте,
- со стабилизацией частоты кварцевым кристаллом,
• с программируемым значением частоты. Также из книги заимствованы расчётные формулы и, в отдельных случаях, номиналы элементов.
2. Гутников В. С.
«Интегральная электроника в измерительных стройствах» Рассматриваются серийные микросхемы в электронных функциональных злах и стройствах, особенности операционных силителей, компараторов, множителей, сведения о распространённых
цифровых интегральных схемах, примеры функциональных злов на отечественных микросхемах. Введены разделы о микропроцессорных схемах, АЦП и ЦАП. Использованы следующие материалы книги:
- схемы и элементы расчёта RC-генераторов на ОУ,
- расчёт цепей, содержащих ОУ,
- справочные данные ОУ, аналоговых ключей и коммутаторов.
3. Королев Г. В.
«Электронные стройства автоматики» В книге изложены основы проектирования и расчёта электронных стройств автоматики: силителей, выпрямителей, стабилизаторов, релейных и избирательных схем, в качестве элементной базы рассмотренных стройств использованы в основном биполярные и полевые транзисторы, большое
внимание делено вопросам микроминиатюризации электронных стройств, в частности рассмотрены возможности построения электронных стройств на основе интегральных микросхем. Использованы материалы книги:
- принципы построения генераторов,
- расчёт генератора низкой частоты,
- генератор с мостом Винна в цепи ОС
4. Хоровиц П., Хилл У.
«Искусство схемотехники» Книга содержит основные теоретические сведения о злах и элементах современной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Приводятся методы построения злов РЭА и рекомендации по их применению. В книге также рассмотрены основные «классические» схемы электроники с пояснениями принципов их
работы. Все предложенные стройства собраны, в основном на биполярных и полевых транзисторах. Наряду с этим, в книге рассмотрен ряд «удачных» схем. Использованы материалы книги:
• мостовой генератор Винна
5. Найдеров В. З., Голованов А. И., Юсупов З. Ф., Гетман В. П., Гальперин Е. И.
«Функциональные стройства на микросхемах» Излагаются особенности построения и расчёта функциональных стройств аналоговых микросборок. Рассмотрены силители и частотно-преобразовательные стройства, генераторы и формирователи гармонических и импульсных сигналов, аналоговые перемножители и компараторы напряжений,
способы лучшения их параметров. Большое внимание делено вопросам применения и совершенствования таймеров и построения многофазных генераторов импульсов мостовой структуры. Из книги заимствован, в качестве справочного, материал об анализе свойств дифференциальных
каскадов.
6. Акулов И. И., Баржин В. Я., Валитов Р. А., Гармаш Е. Н., Кучин Л. Ф., Найдеров В. З., Пуценко В. В., Семеновский В. К., Симонов Ю. Л., Тарасов В. Л., Терехов И. К., Шевырталов Ю. Б., Юнденко И. Н.
«Теория и расчёт основных радиотехнических схем на транзисторах» Рассматриваются теория работы транзисторов и стройств (узлов РЭА) на их основе. Приведены типовые схемы злов РЭА на транзисторах и методы их расчёта. Рассмотрены такие злы РЭА, как силители звуковых частот, постоянного тока, высокой частоты, промежуточной частоты,
видеоусилители, амплитудные детекторы системы автоматической регулировки силения (АРУ), преобразователи частоты, автогенераторы и т. п. Использованы следующие материалы книги:
- энергетический расчёт автогенераторов,
- расчёт двухтактного каскада силителя мощности звуковых частот.
7. Шкритек П.
«Справочное руководство по звуковой схемотехнике» Книга специалиста из ФРГ, в которой изложен обширный материал по схемотехнике и электронным компонентам для звуковой аппаратуры. Анализируются характеристики звуковых систем, методы снижения ровня искажений и шумов. Большое внимание деляется традиционной аналоговой
схемотехнике. В то же время, значительная часть книги посвящена цифровым методам, применяемым в звуковой технике. Рассматриваются цифровые методы правления, цифровая передача звука. Использованы следующие материалы книги:
• эмиттерный и истоковый повторители на симметричной паре комплементарных транзисторов.
8. Боборыкин А. В., Липовецкий Г. Я., Литвинский Г. В., Оксинь О. Н., Прохорчик С. В., Проценко Л. В., Петренко Н. В., Сергеев А. А., Сивобород П. В.
«Однокристальные микроЭВМ» Приведено подробное техническое описание однокристальных микроЭВМ семейств МК48, МК51 и UPI-42. Рассмотрены зарубежные аналоги описанных микросхем. Рассматриваются технические характеристики, структурные схемы, система команд и их синтаксис. Все описания снабжены примерами. Использованы материалы по однокристальным микроЭВМ семейства МК51.
9. Лебедев О. Н.
«Микросхемы памяти и их применение» Рассмотрены стройство, режимы работы, функциональные возможности и электрические характеристики микросхем оперативных и постоянных запоминающих стройств. Приведены рекомендации по выбору микросхем памяти для практических разработок, по реализации режимов
управления микросхемами всех видов при записи, хранении и считывании информации. Даны развёрнутые примеры применения микросхем памяти в стройствах различного назначения. Использованы справочные данные на микросхемы серии К573.
10. Шило В. Л.
«Популярные цифровые микросхемы» Приведены сведения о трех самых распространенных в радиолюбительской практике видах цифровых микросхем: ТТЛ, КМОП и ЭСЛ. Кратко рассмотрены основы их схемотехники, показаны структуры, цоколёвки и дано описание работы более 300 типов массовых цифровых микросхем: логических
элементов, триггеров, регистров, счётчиков, мультиплексоров, арифметических и др. Даны рекомендации по их применению. Использованы справочные данные на микросхемы серии К1533.
Разработка структурной и функциональной схемы стройства
Прежде всего, в схеме должен присутствовать сам генератор, а, поскольку в техническом задании (ТЗ) был описан генератор, обеспечивающий выход на низкоомную нагрузку, то необходимо к выходу генератора подключить силитель (тока), и только потом нагрузку. Это связано с низкой нагрузочной способностью прецизионных ОУ.
Кроме того, ТЗ требует осуществлять регулирование частоты генерации с помощью микроконтроллера. Было бы логично снабдить стройство правления, представленное микроконтроллером, добными для экспериментатора средствами ввода требуемой частоты.
Разработка принципиальной схемы и выбор элементной базы
Разработка аналоговой части
Генератор
Как же говорилось, колебания на выходе генератора можно получить, охватив обычный силитель положительной ОС. Незатухающие колебания в силителе с ОС возникают при выполнении словий: R1
Выходной каскад
В данном случае рационально применять в качестве выходного силителя тока двухтактный каскад
C1
с общим коллектором, схема которого показана на рисунке 9. Каскад собран по схеме, соответствующей режиму A. Напряжение смещения получено с помощью Рис.8. Генератор с мостом Винна. диодов VD1и VD2 [7]. Нагрузочная способность ОУ
составляет 10 кОм, если честь, что максимум выходного напряжения составляет более 10 В, то нагрузочный ток составляет около 1 мА. Следовательно при значении выходного напряжения стройства порядка 10 В и выходного сопротивления порядка 5 Ом, необходим выходной каскад с β≈2103, что обеспечить сложно. Значение выходного напряжения определяется падением напряжения на стабилитронах VD1и VD2 в цепи АРУ на рисунке 8. Если взять стабилитроны с напряжением стабилизации 3,3 В, то выходное напряжение будет достигать 4 В. В этом случае, выходной ток стройства будет достигать 800 мА, для выходного каскада можно положить β≈800, что могут обеспечить составные транзисторы.
Тем не менее, чтобы снизить выходное напряжение, заменим последовательное соединение стабилитронов параллельным соединением диодов (рисунок 10), что обеспечит падение напряжения на этом частке цепи не более 1 В и соответствующее значение выходного напряжения генератора (1 В). Это же вполне приемлемо, т. к. ток (амплитуда тока) нагрузки будет составлять 200 мА и для выходного каскада β≈200.
Расчёт генератора с выходным каскадом
На рисунке 10 изображе-на схема генератора с выходным каскадом; на этой схеме нанесе-ны номиналы элементов. Далее следует обосновать выбор значе-ний сопротивлений и мощностей резисторов.
Прежде всего, резисторы R10 и R11. Наличие этих резисторов обусловлено несимметричностью относи-тельно комплементарных транзисторов VT1и VT2. Основное словие
Расчёт элементов моста Винна
Весь диапазон частот генерации следует разбить на три поддиапазона.
- 20 Гц..200 Гц,
- 200 Гц..2 кГц,
- 2 кГц.. 20 кГц,
Чтобы обеспечить погрешность задания частоты в 2%, необходимо для моста Винна иметь отклонения конденсаторов и резисторов порядка 1%, например отклонения конденсатора и резистора составляют +1% от номинала, тогда отклонение частоты составит
1 1 0,98 f 0− f 0
; f =⋅100 %=2 %
f 0 = 2 πC R1 ⋅0,949 2 π⋅1,01 C⋅1,01 R1 ⋅0,949 ≈0,98 f 0; ⇒ δ f = f 0
налогично при отрицательном отклонении. Отечественная промышленность выпускает конденсаторы с соответствующим отклонением типов: К10-43а (1%) и К10-47а (5%). Для трёх поддиапазонов будут использоваться три пары конденсаторов в соответствии с таблицей
| Элемент | Частоты поддиапазонов, Гц | |||
|---|---|---|---|---|
| 20..200 | 200...2 | 2..2 | ||
| C1=C2, н | 221* | 22,1 | 2,21 | |
| R1=R2=R3, кОм | 36..3,6 | 36..3,6 | 36..3,6 |
Номиналы конденсаторов взяты из стандартного ряда номинальных значений Е96 для группы температурной стабильности МП0; значения сопротивлений резисторов вычислены по формуле (1.13). Конденсаторы ёмкостью 22,1 н и 2,21 н типа К10-43а (1%); конденсаторы с номиналом 221 н типа К10-47а (5%); следует выбрать три конденсатора с отклонением 1% и номиналами в 0,1 мк (2 шт.) и 0,01 мк для параллельного соединения.
Ток через резисторы не будет превышать 1 мА, рассеиваемая на них мощность составит менее 3,6 мВт, следовательно, возможно использование разисторов по 0,125 Вт.
Разработка цифровой части
В качестве электронного стройства коммутации можно использовать аналоговые ключи на МОП-транзисторах. правляются такие ключи дискретными сигналами, переключают непрерывные сигналы. В открытом состоянии МОП-транзисторы могут пропускать ток в обоих направлениях, при этом цепь правления МОП-транзистора электрически изолирована от сигнальной цепи.
В данном случае рационально применять интегральные МОП-ключи серии К590, в частности К59КН12 — ключ с параллельным регистром-защёлкой на входе правления. Цоколёвка и эквивалентная
12
14
16
18
схема приведены на рисунке 11. Характеристики можно свести в таблицу:
8
| R0, Ом макс. (тип) | tВКЛ, нс макс. (тип) | iУТ, нА макс. (тип) | UВХ, В (IВХ, мА) | UПИТ, В (выводы) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 50 (30) | 300 (150) | 50 (0,5) | ±15 (±20) | +15 (2) | 0 (3) | –15 (11) |
4
5
6
7
Входы регистра ТТЛ-совместимы, основное требование здесь 10 состоит в том, чтобы напряжение на правляющих входах не превышало напряжения питания. Если запитывать микросхемы ±15 В, то эта проблема снимается автоматически. Ток течки пренебрежимо мал, так 
Разработка программного обеспечения
Основной цикл
Разработку программного обеспечения микроконтроллера следует начать с разработки блок-схемы основного цикла работы. Этот цикл должен быть замкнутым и бесконечным. На рисунке 18 показан такой цикл; в этом цикле подпрограммы-обработчики событий выделены как действия. Главный цикл должен осуществлять следующие действия:
- обеспечивать начальные становки;
- проверять события клавиатуры и частотомера (порт P0);
• проверять события таймеров (T1— таймер перезапуска частотомера, T2— таймер мерцания индикаторов).
Подпрограмма выполнения начальных становок изображена более развёрнуто на рисунке 19. Суть этой программы состоит в том, чтобы подготовить порт P1 для чтения с него низких ровней нажатых кнопок или сигнала с частотомера, следовательно в порт изначально можно записать единицы (FFh), что необязательно (т. к. имеется шунт кнопок резисторами R55 – R61).
Также подпрограмма начальных становок должна становить в единицы регистры всех полевых ключей, что соответствует их разомкнутому состоянию. Рис.18. Основной цикл. Кроме того, в начальных становках следует записать нули в регистры индикаторов, что будет отображаться на цифровом табло как «00,00», светодиоды множителя частоты, готовности и режима автоподстройки будут потушены.
Подпрограмма становки RC-матрицы
Подпрограмма должна получить код становки резисторов и конденсаторов в матрице, пакованный в регистры A и B. Этот код формируется подпрограммой, получающей значение кода текущей частоты выходных колебаний и её множителя, и преобразующей этот код в значение периода колебаний и соответствующую комбинацию резисторов и конденсаторов.
Код пакован так:
| Рег. | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Бит | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | ||
| Код | Rx.8 | Rx.7 | Rx.6 | Rx.5 | Rx.4 | Rx.3 | Rx.2 | Rx.1 | Rx.10 | Rx.9 | Cx.1 | Cx.2 | Cx.3 |
Здесь нулевое значение бита означает, что надо замкнуть накоротко резистор с номером RX.Y, где Y — номер резистора в ряду. Например, становка в «0» 2-ого бита регистра A, будет означать замыкание резисторов R1.3, R2.3 и R3.3 в матрице. Аналогично: нулевые значения трёх младших бит регистра B будут расценены как требование подсоединить один из конденсаторов.
Следующий код является реализацией подпрограммы становки RC-матрицы:
| Следует | что | для | подпрограммы | коррекции | частоты | не | нужно | менять | диапазон | частот |
|---|
(множитель, определяется конденсаторами) и высокоомные резисторы (старшие разряды 10-битного кода резисторов), достаточно поменять только низкоомные. Для этого случая предусмотрим специальную подпрограмму становки RC-матрицы:
proc_RCOC: push A ; сохраняем содержимое регистра A
mov P0, A ; выведем мл. разряды кода резисторов на шину данных mov A, #04h ; обратимся к регистру хранения мл. разрядов кода резисторов mov P3, A ; зафиксируем его адрес mov A, #FFh ; mov P3, A ; закроем демультиплексор
pop A ; вернём в исходное состояние аккумулятор
Заключение
В процессе проектирования стройства были выявлены основные недостатки калиброванного генератора синусоидальных колебаний на основе моста Винна, основным из которых является недостаточная температурная стабильность. величить температурную стабильность частоты далось с помощью несложного цифрового частотомера погрешность которого составляет не более ±0,1% (на частоте 20 кГц). Микроконтроллер, в свою очередь, должен по результатам измерения частоты (измерение проводится автоматически по истечении заранее становленного пользователем интервала времени), должен подобрать другую комбинацию частотозависимых элементов в RC-матрице. Таким образом, за счёт подобной температурной коррекции даётся приблизиться по точности повторения калиброванной частоты к генераторам с кварцевым резонатором.
Применение быстродействующих ОУ и диодов позволило снизить искажения синусоидальных колебаний на выходе, вызванных немгновенной реакцией цепей ООС на превышение выходного напряжения над допустимым ровнем. Также следует отметить, что цепь ОС заведена с выхода генератора (после силения по току), что должно обеспечить высокую точность повторения синусоидальных колебаний на нагрузке при изменении её сопротивления в широких пределах, также исключить искажения в выходном каскаде.
Кроме того, прибор оснащён добными для оператора средствами ввода даных (кнопки) и добными для восприятия оператором средствами отображения (цифровой семисегментный индикатор и светодиодные единичные индикаторы).
Перечисленные выше достоинства позволяют использовать прибор как прецизионное измерительное средство или лабораторный генератор высокой точности. Однако, описанное стройство имеет ряд существенных недостатков:
- невысокая температурная стабильность выходного напряжения
- высокая стоимость
- сложность конструкции
Эти недостатки можно компенсировать, если перейти к другому принципу построения генератора, например, к синтезу частот. Тем не менее словия технического задания выполнены: погрешность становки частоты менее 2%, высокая нагрузочная способность (чуть менее 5 Ом), диапазон частот шире, чем 20..20 Гц, кроме того, существует полуторное перекрытие поддиапазонов.
Следует также отметить, что температурная автокоррекция может позволить получить погрешность задания частоты значительно ниже 1%.
Список литературы
Приложения
Пречень элементов Список сокращений
| Поз. обозначе-ние | Наименование | Кол. | Примечание | |
| Резисторы | ||||
| R1.1 – R3.1 | С2-14-0,125 — 50 Ом ±1% | 3 | ||
| R1.2 – R3.2 | С2-14-0,125 — 100 Ом ±1% | 3 | ||
| R1.3 – R3.3 | С2-14-0,125 — 200 Ом ±1% | 3 | ||
| R1.4 – R3.4 | С2-14-0,125 — 402 Ом ±1% | 3 | ||
| R1.5 – R3.5 | С2-14-0,125 — 806 Ом ±1% | 3 | ||
| R1.6 – R3.6 | С2-14-0,125 — 1,6 кОм ±1% | 3 | ||
| R1.7 – R3.7 | С2-14-0,125 — 3,2 кОм ±1% | 3 | ||
| R1.8 – R3.8 | С2-14-0,125 — 6,42 кОм ±1% | 3 | ||
| R1.9 – R3.9 | С2-14-0,125 — 12,7 кОм ±1% | 3 | ||
| R1.10 – R3.10 | С2-14-0,125 — 25,5 кОм ±1% | 3 | ||
| R4, R5, R55 – R61 | МЛТ-0,125 — 100 кОм ±10% | 9 | ||
| R6 | МЛТ-0,125 — 1 кОм ±10% | 1 | ||
| R2.a | МЛТ-0,125 — 1 Ом ±10% | 1 | Заменяют подстроечный ре-зистор R2. | |
| R2.a | МЛТ-0,125 — 10 Ом ±10% | 1 | ||
| R7 | МЛТ-0,125 — 10 кОм ±10% | 1 | ||
| R8, R9 | МЛТ-0,125 — 33 кОм ±10% | 2 | ||
| R10, R11 | МЛТ-0,5 — 1 Ом ±10% | 4 | Попарно параллельное соедин. | |
| R12 – R32, R34 – R40, R46 | МЛТ-0,125 — 150 Ом ±10% | 19 | ||
| R33 R41 – R45 | МЛТ-0,125 — 330 Ом ±10% | 6 | ||
| R47, R48 | МЛТ-0,125 — 560 Ом ±10% | 2 | ||
| R49, R51 | МЛТ-0,125 — 8,2 кОм ±10% | 2 | ||
| R50 | МЛТ-0,125 — 82 Ом ±10% | 1 | ||
| R52 | СП3-19-0,5 — 3,3 кОм ±10% | 1 | ||
| R53 | МЛТ-0,125 — 3,3 кОм ±10% | 1 | ||
| R54 | МЛТ-0,125 — 2,2 кОм ±10% | 1 | ||
| Конденсаторы | ||||
| C1.1, C2.1 | К10-43а — 2,21 н ±1% | 2 | ||
| C1.2, C2.2 | К10-43а — 22,1 н ±1% | 2 | ||
| C1.3a, C2.3a, C1.3b, C2.3b | К10-47а — 0,1 мк ±5% | 4 | ||
| C1.3c, C2.3c | К10-47а — 0,01 мк ±5% | 2 | ||
| C3 | К10-17 — 18 п ±10% | 1 | ||
| C4 | КТ4-21 | 1 |
| Поз. обозначе-ние | Наименование | Кол. | Примечание |
| C5 | К50-6 — 10 мк -20% +80% | 1 | |
| Диоды полупроводниковые | |||
| VD1 – VD6 | Д52А | 6 | |
| VD7 – VD9, VD11 | АЛ30НМ | 4 | |
| VD10 | АЛ30КМ | 1 | |
| Пьезоэлементы | |||
| ZQ1 | 20 Гц | 1 | |
| Транзисторы | |||
| VT1 | КТ82А | Установить на радиатор | |
| VT2 | КТ85А | ||
| Интегральные микросхемы | |||
| DD1 | КР181ВЕ31 | 1 | |
| DD2 | КР55РР3 | 1 | |
| DD3, DD5, DD22, DD23 | КР153ИР33 | 4 | |
| DD4 | КР153ИД3 | 1 | |
| DD6 – DD9 | КР51ИД4 | 4 | |
| DD10, DD12 | КР153ЛН1 | 2 | |
| DD11 | К15ИД3 | 1 | |
| DD15, DD16 | КР153ИЕ6 | 2 | |
| DD17 | КР153ЛР13 | 1 | |
| DD13, DD14 | КР153ТМ2 | 2 | |
| DD18 – DD21 | КР153ИЕ7 | 4 | |
| DD24 | КР153ЛА3 | 1 | |
| DA1 | КР57УДБ | 1 | |
| DA2 – DA12 | К59КН12 | 11 | |
| DA13 | КР55СА3 | 1 | |
| Индикаторы семисегментные | |||
| HG1 – HG4 | АЛСА | 4 |
ТЗ — техническое задание ОС — обратная связь ОУ — операционный силитель
ЦП — аналого-цифровой преобразователь ЦАП — аналого-цифровой преобразователь РЭА — радиоэлектронная аппаратура АРУ — автоматическая регулировка силения (усилителя) ЭВМ — электронная вычислительная машина ТТЛ — транзисторно-транзисторная логика
КМОП — комплементарная МОП
МОП — металл-оксид-полупроводник ЭСЛ — эмиттерно-связная логика ПОС — положительная обратная связь ООС — отрицательная обратная связь
ИМС — интегральная микросхема ПЗУ — постоянное запоминающее стройство ОЗУ — оперативное запоминающее стройство
РПЗУ — репрограммируемое постоянное запоминающее стройство АЛУ — арифметико-логическое стройство