Читайте данную работу прямо на сайте или скачайте

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

транзистора

Рис. 2. Структура сплавно-диффузионного p-n-p транзистора.

1,3 Ц выводы базы;

2 Ц рекристаллизационная область - эмиттер;

n Ц размеры кристалла;

c, d - размеры лунки;

h_кр Ц толщина кристалла;

R_э, R_б - радиусы выводов эмиттера и базы;

Задача: Определение величины I_kmax или P_kmax, также толщины кристалла - заготовки и других элементов кристаллической структуры.

1.    

Тепловое сопротивление R_T связывает перепад температур DT между коллекторным переходом и окружающей средой с мощностью, рассеиваемой в переходе Р_к:

DT = R_T Р_к = R_T U_к I_к (46).

Тепловое сопротивление корпуса R_Tк = 0.1 К/мВт.

Тепловое сопротивление транзисторной структуры R_TСТ:

R_T = R_TСТ + R_Tк (47).

R_T находим из формулы (46)

R_T = DT/ Р_к = 0,784 К/мВт.

DT = T_k.max Ц T_окр.ср = 70 - 25 = 45^о.

Из соотношения (47) находим R_TСТ:

R_TСТ = R_T - R_Tк = 0,68 К/мВт.

2.    

R_TСб = а(48),

R_TСб = 0,06578575_*4,16=0,2704 К/мВт.

R_т=R_TCT + R_ТК = 0,27+0,1=0,37 К/мВт.

9.  Список используемой литературы

1.     В.И. Торопчин, Расчет и проектирование маломощных биполярных транзисторов, Саратов, 1988г, 213с.

2.    

3.