ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОМПОНЕНТОВ НА КИНЕТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ЭФФЕКТИВНОСТЬ СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА 01.04. 07 - физика конденсированного состояния Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук Курск

Авторефераты по всем темам >> Авторефераты по разное

На правах рукописи

Марков Олег Иванович

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОМПОНЕНТОВ НА КИНЕТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ЭФФЕКТИВНОСТЬ СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА

01.04. 07 - физика конденсированного состояния

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени

доктора физико-математических наук

Курск - 2011

Работа выполнена на кафедре теоретической физики и математического моделирования Орловского государственного университета

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор, профессор кафедры физики низких температур и сверхпроводимости физического факультета Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (г. Москва)

Кульбачинский Владимир Анатольевич

доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики Государственного университета технологии и дизайна (г. Санкт-Петербург)

Иванов Константин Георгиевич

доктор физико-математических наук, профессор, директор ЦКП оборудованием Диагностика структуры и свойств наноматериалов НИУ Белгородский государственный университет (г. Белгород)

Иванов Олег Николаевич

Ведущая организация: Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН, лаборатория Физика термоэлементов (г. Санкт-Петербург).

Защита состоится л15 марта 2012 г. в 14.00 на заседании совета по защите докторских и кандидатских диссертаций Д 212.105.04 при Юго-западном государственном университете по адресу: 305040, г. Курск, ул. 50 лет Октября, 94, конференц-зал.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Юго-западного государственного университета по адресу: г. Курск, ул. 50 лет Октября, 94.

Автореферат разостлан л_____ _________________2012 г.

Ученый секретарь совета

по защите докторских и

кандидатских диссертаций Д 212.105.04,

кандидат физико-математических наук Рослякова Л. И.

Общая характеристика работы

Актуальность темы исследования. Совершенствование методов прямого преобразования энергии с использованием твердых тел является одной из прикладных задач физики конденсированного состояния. В последнее время значительно усилился интерес к широким возможностям термоэлектрического преобразования энергии. Единственным препятствием к более широкому распространению термоэлектрических преобразователей при практическом использовании является их сравнительно невысокая эффективность. Поэтому исследование материалов, обладающих высоким значением параметра термоэлектрической эффективности ( и - удельные электро - и теплопроводность, - дифференциальная термоэдс), в настоящее время особенно актуально.

В твердых растворах висмут-сурьма с изменением соотношения компонентов происходит плавная перестройка энергетического спектра. Сплавы висмут-сурьма в полупроводниковой области состояния являются одними из самых эффективных низкотемпературных термоэлектриков. Узкозонные полупроводники и полуметаллы, к которым относятся сплавы висмут-сурьма, отличает высокая чувствительность физических свойств к внешним воздействиям: изменению температуры, давления, магнитного поля. Все это делает их прекрасным модельным материалом, имеющим как фундаментальный, так и прикладной интерес. Еще одной возможностью широкого варьирования свойств сплавов висмут-сурьма является использование примесей. Легирование активными (донорными и акцепторными) примесями позволяет, изменяя уровень химического потенциала, делать актуальными те или иные группы носителей заряда и тем самым достичь оптимальной концентрации носителей с точки зрения максимальности термоэлектрической эффективности. Однако при введении этих примесей могут изменяться механизмы рассеяния носителей заряда, что сказывается на их подвижности, причем чаще всего это происходит нежелательным образом.

Можно предположить, что изменить соотношение вкладов различных групп носителей заряда, можно добавлением пассивных примесей, вносящих конкурирующий механизм рассеяния носителей. Введение, например, в полупроводник магнитных примесей повлияет на изменение подвижностей, вызывая спин - зависимое рассеяние. Кроме того, присутствие магнитных примесей приведет к тому, что зависимость свойств сплавов висмут-сурьма от внешних магнитных полей еще более усилится, это открывает еще один путь повышения термоэлектрической эффективности. Незаполненные d-оболочки переходных и f-оболочки редкоземельных элементов (РЗЭ) также могут вести себя как эффективные ловушки электронов проводимости, что тоже повлияет на вклады в перенос различных групп носителей заряда. Другой возможностью изменения механизма рассеяния является введение в матрицу наноразмерных дефектов, которые инициируют селективное рассеяние отдельных групп носителей заряда, изменяя их вклад в явления переноса. Практический интерес представляют воздействия примесей, приводящие к росту термоэлектрической эффективности. С целью исследования реализации этих идей было решено использовать добавки РЗЭ в твердых растворах висмут-сурьма. С момента начала работ, результаты которых представлены в настоящей диссертации, и по настоящее время проблема влияния примесей РЗЭ на кинетические, в том числе термоэлектрические свойства сплавов висмут-сурьма еще никем не разрабатывалась и, поэтому, такие исследования становятся актуальными, делающими их привлекательными как для фундаментальных исследований, так и практических приложений.

Понимание связей составЧэнергетическая структураЧсвойства открывает путь управления физическими характеристиками твердых растворов висмут-сурьма с помощью изменения состава сплава. В области гелиевых температур зонная структура сплавов висмут-сурьма в зависимости от состава исследована довольно подробно резонансными и осцилляционными методами. В результате движения зон с ростом температуры в узкозонных полупроводниках происходит значительная перестройка зонной структуры, которая исследована еще недостаточно. Имеются значительные разногласия в экспериментальных значениях величин подвижностей, концентраций и эффективных масс плотности состояний носителей заряда. Практически единственным методом изучения зонной структуры в интервале температур 77-300К является использование комплекса кинетических эффектов. Поэтому по-прежнему актуально исследование кинетических эффектов сплавов висмут-сурьма, уточнение параметров зонной структуры и характеристик носителей заряда и их изменений с температурой. Движение энергетических зон, вносящих основной вклад в явления переноса и положение уровня Ферми, в сплавах висмут-сурьма при изменении состава и температуры оказывает влияние на эффективность термоэлектрического преобразования энергии, что нуждается в дополнительном исследовании.

Другой аспект работы посвящен вычислительному эксперименту. Общепринятое использование в качестве критерия эффективности термоэлектрического преобразования параметра Z, предполагает его всемерное повышение. При таком подходе упускаются из виду собственно теплофизические процессы, происходящие при преобразовании энергии. С точки зрения практического использования необходимо эти процессы организовать (оптимизировать) так, чтобы достичь максимального эффекта (максимального перепада температур, максимального теплового потока, максимальной эффективности преобразования энергии и т. д.). Поэтому на первом этапе вычислительного эксперимента строится точная математическая модель теплофизических процессов, сопровождающих термоэлектрическое преобразование энергии. Она основана на решении граничной задачи, описывающей теплофизические процессы в термоэлектрике с распределенными источниками тепла (эффекты Пельтье, Джоуля, Томсона и распределенный или объемный эффект Пельтье). Такая модель позволяет выделить парциальные вклады отдельных эффектов и проанализировать их взаимное влияние. На втором этапе модель подвергается оптимизационному исследованию, для чего устанавливаются количественный критерий, на основе которого проводится анализ вариантов с целью выявления наилучшего (в данном случае максимального) и производится выбор переменных. Одной из простейших задач является определение максимального перепада температур в термоэлектрике с конкретными температурными зависимостями кинетических коэффициентов. В этой модели характеристическим критерием является перепад температур, независимой переменной - величина электрического тока. Более сложная модель используется для нахождения оптимальной концентрации носителей заряда, при этом добавляется новая переменная. Такая модель использует кинетические коэффициенты, рассчитываемые методами теории переноса. При расчете можно пользоваться как классической, так и квантовой статистикой носителей заряда с различными законами дисперсии, учесть трансформацию зонной структуры термоэлектрика, вызванную изменением состава и температуры и т.д. Проведенный вычислительный эксперимент делает данную работу логически завершенной и практически полезной. Используемые модели позволяют перейти от общепринятого лоценочного метода расчета термоэлектрической эффективности термоэлектрика на основе полуклассических выражений к строгим математическим процедурам, допускающим формулирование количественно обоснованных заключений и провести оценку степени их достоверности. Степень разработанности проблемы численного моделирования и оптимизации теплофизических процессов при термоэлектрическом преобразовании энергии на базе решения граничной задачи крайне низка. Непосредственно по проблеме численного моделирования термоэлектрического преобразования энергии в полупроводнике на базе уравнения теплового баланса известно небольшое число публикаций (Иванова К.Ф. и Ривкин А.С., Тахистов Ф.Ю.). В частности, в работах Ивановой и Ривкина используется линеаризированное уравнение стационарной теплопроводности при слабой зависимости кинетических коэффициентов от температуры и, поэтому, не учитывается эффект Томсона, а статистика носителей заряда предполагается классической. В работах Тахистова рассчитывается температурное поле в термоэлектрике при протекании тока с учетом температурной зависимости коэффициентов. Таким образом, нельзя говорить о разработанности теоретической модели оптимизации термоэлектрических процессов. Другой аспект проблемы оптимизации процесса термоэлектрического преобразования энергии, связанный со статистикой носителей заряда и зонной структурой полупроводника вообще не обсуждался.

Предмет и объект исследования. Предметом исследования являются теплофизические явления при термоэлектрическом преобразовании энергии. Объектом - новые низкотемпературные полупроводниковые материалы - сплавы висмут-сурьма, легированные РЗЭ, градиентно-неоднородные и градиентно - варизонные сплавы висмут-сурьма.

Целью работы является поиск новых подходов повышения эффективности термоэлектрического преобразования энергии, состоящий в изучении:

а) влияния добавок неактивных примесей (на примере редкоземельных элементов) на явления переноса монокристаллов сплавов висмут-сурьма и их термоэлектрическую эффективность;

б) влияния перестройки зонной структуры в сплавах висмут-сурьма, вызванной градиентным изменением состава и/или температуры, на повышение термоэлектрической эффективности сплавов висмут-сурьма;

в) математической модели теплофизических процессов в термоэлектриках различной зонной структуры с учетом эффектов Пельтье, Джоуля, Томсона и распределенного эффекта Пельтье.

Задачи исследования:

Методом горизонтальной зонной перекристаллизации вырастить монокристаллы с добавками редкоземельных элементов: тройных Bi-Sb-Gd, Bi-Sb-Sm и четверных сплавов Bi-Sb-Gd-Te, Bi-Sb-Gd-Sn.
С помощью измерения угловых зависимостей эффекта Шубникова-де - Гааза определить параметры поверхности Ферми монокристаллов сплавов с добавками гадолиния.
Определить элементный состав выращенных сплавов висмут-сурьма с различными примесями и провести картирование элементов методом энергодисперсионного анализа.
Провести исследование морфологии поверхности скола монокристаллов с примесями РЗЭ методами оптической микроскопии, атомно-силовой микроскопии (АСМ) и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). Исследовать дефектность кристаллов.
Провести комплексное исследование температурных и магнито - полевых зависимостей кинетических коэффициентов в широком интервале температур и магнитных полей. На основе полученных данных определить параметры зонной структуры и носителей заряда (ширина запрещенной зоны, подвижность носителей тока, эффективная масса плотности состояний).
Провести математическое моделирование теплоэнергетических процессов, происходящих в термоэлектрике при прохождении тока, разработать расчетные схемы оптимизации кинетических процессов. Используя разработанную методику, выяснить возможности повышения термоэлектрической эффективности сплавов висмут-сурьма.
Провести оценки термоэлектрической эффективности для низкоразмерных систем на основе висмута с использованием кинетических коэффициентов, полученных решением кинетического уравнения Больцмана для носителей заряда.
Спроектировать и создать вакуумную установку для измерения электропроводности, теплопроводности, термоэдс и эффекта Холла монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма с добавками РЗЭ в интервале температур Т=77-300К и магнитных полей В=0-1Тл.
Дать физическое обоснование и проведением прямых экспериментальных исследований доказать увеличение термоэлектрической эффективности монокристаллов сплавов висмут-сурьма с использованием добавок РЗЭ, градиентно-неоднородных и градиентно - варизонных составов.

Научная новизна:

Методом горизонтальной зонной перекристаллизации выращены мононкринсталлы сплавов висмут-сурьма с добавками РЗЭ следующих составов: , ,,,,,,,,,. Методом энергондиспернсионного рентгеновского флуоресцентного анализа установлено наличие добавок РЗЭ в полученных сплавах. Впервые наблюдались микро - и нановыделения в сплавах висмут-сурьма при введении добавок РЗЭ в количестве, не превышающем 0,1 ат.%.
Определены параметры поверхности Ферми монокристаллов сплавов методом измерения угловых зависимостей экстремальных сечений поверхности Ферми с помощью эффекта Шубникова-де - Гааза. Установлено, что добавки гадолиния не оказывают существенного влияния на параметры зонной структуры сплавов висмут-сурьма. В рамках моделей закона дисперсии Лэкса и Макклюра рассчитаны энергии Ферми и концентрации носителей заряда четверных сплавов .
В интервале температур 77-300аК и магнитных полей 0-1 Тл изучено влияние примесей редкоземельных элементов на гальваномагнитные, термоэлектрические и термомагнитные свойства монокристаллов Bi-Sb-Gd, Bi-Sb-Sm, Bi-Sb-Gd-Te, Bi-Sb-Gd-Sn. Показано, что добавки гадолиния и самария приводят к увенличению модуля дифференциальной термоэдс области азотных температур. Добавка 0,1 ат.%Gd увеличивает модуль дифференциальной термоэдс (со значения до ). В магнитном поле 0,4Тл модуль дифференциальнной термоэдс сплава увеличивается почти в два раза.
Показано, что добавки гадолиния и самария в количестве 0,01 ат.% приводят к увеличению термоэлектрической эффективности n-типа. Установлено, что добавка 0,1 ат.%Gd увеличивает термоэлектрическую эффективность до значения. В магнитном поле эффективность возрастает до значений при В=0,05 Тл ив поле В=0,4 Тл при Т=80К.
В рамках модели Лэкса проведено численное моделирование температурной перестройки зонной структуры сплавов и расчет температурной зависимости подвижности носителей заряда. Показано, что в интервале температур 77-120 К ширина запрещенной зоны уменьшается с 12 мэВ до 11 мэВ.
Изучены физические возможности повышения термоэлектрической эффективности градиентно - варизонных сплавов за счет перестройки энергетического спектра носителей тока. Установлено, что термоэлектрическая эффективность градиентно - варизонных сплавов (12х16 ат.%) возрастает на 17%, что подтверждается экспериментальными исследованиями.
На основании теоретического анализа и компьютерного моделирования полупроводниковых систем пониженной размерности изучены возможности повышения термоэлектрической эффективности висмута вследствие перестройки зонной структуры при размерном квантовании носителей заряда с квадратичным законом дисперсии. Показано, что компонента тензора термоэлектрической эффективности может достигать значения при азотной температуре.
Разработана методика численного расчета термоэлектрической эффективности полупроводника, основанная на математической модели, описывающей теплофизические процессы при термоэлектрическом преобразовании энергии в единичном объеме полупроводника. Математическая модель включает эффекты Пельтье, Джоуля, Томсона распределенный эффект Пельтье и позволяет использовать экспериментальные температурные и концентрационные зависимости кинетических коэффициентов.
Моделирование теплофизических процессов в полупроводнике при термоэлектрическом преобразовании энергии (включая объемный эффект Пельтье и эффект Томсона) основывалось на вычислениях кинетических коэффициентов с использованием квантовой статистики носителей заряда, с учетом температурной зависимости подвижности носителей заряда и решеточной составляющей теплопроводности термоэлектрика. В качестве характеристических критериев использовались перепад температур и тепловой поток, которые необходимо было максимизировать. Проведенная оптимизация теплофизических процессов позволила определить оптимальные значения концентрации носителей заряда, оптимальные значения электрического тока, характерные для каждого теплового режима.
Математическая модель теплофизических процессов в комбинированном (составном) термоэлектрике, состоящем из двух последовательно соединенных полупроводников одного типа проводимости, но различной термоэффективности, позволила выявить физические причины роста термоэлектрической эффективности и найти оптимальное соотношение длин термоэлектриков. Для комбинированного термоэлектрика, низкотемпературная, часть которого из термоэлектрика а высокотемпературная из теллурида висмута, оптимальное соотношение длин составляет приблизительно 4: 1.
На основе анализа математической модели теплофизических процессов в градиентно - неоднородном полупроводнике при термоэлектрическом преобразовании энергии показана возможность роста термоэлектрической эффективности по сравнению с однородным термоэлектриком. Определены оптимальные градиенты концентраций носителей заряда, необходимые для достижения максимального перепада температур. Установленные физические закономерности показывают и пассивной железной ветвью, что линейное распределение концентрации носителей заряда не является оптимальным, как это считалось ранее. Физически обоснована возможность повышения термоэлектрической эффективности материалов с концентрацией носителей, меняющейся вдоль направления тока по экспоненциальной зависимости.

Теоретическая и практическая значимость.

В работе впервые предложены и выращены трехкомпонентные сплавы висмут-сурьма с добавками РЗЭ и четырехкомпонентные с добавками РЗЭ, а также активных примесей теллура и олова. Решена научная задача физики конденсированного состояния: развиты новые представления о механизмах влияния структуры твердых тел на термоэлектрические процессы (повышение термоэлектрической эффективности с помощью неактивных примесей; оптимизации свойств термоэлектриков с использованием представлений о зонной структуре и теплофизических процессов в термоэлектриках). Внесен существенный вклад в исследование физических свойств низкотемпературных градиентно - неоднородных термоэлектриков висмут-сурьма. Разработан подход к решению оптимизационной задачи повышения эффективности термоэлектрического преобразования энергии на базе стационарного уравнения теплопроводности с распределенными источниками теплоты (эффекты Пельтье, Джоуля, Томсона, распределенный эффект Пельтье).

Практическая значимость результатов диссертационного исследования заключается в разработке метода влияния структуры термоэлектриков на термоэлектрические процессы, а также способов получения высокоэффективных термоэлектриков. Реализация полученных в работе результатов позволяет осуществлять выращивание монокристаллов термоэлектриков с оптимальными свойствами. Такой комплексный подход в создании термоэлектриков высокой эффективности должен включать в себя поэтапно: исследование зонной структуры термоэлектрика; оптимизацию термоэлектрических свойств с учетом перестройки зонной структуры при изменении состава и температуры и, наконец, программируемое выращивание монокристалла уже с оптимальным распределением примесей и компонентов состава.

Рассмотренные в работе термоэлектрики и физические аспекты работы низкотемпературных термоэлектрических преобразователей могут представлять интерес в связи с потребностью в низкотемпературных охлаждаемых приемниках излучения, используемых во внеатмосферной астрономии, при зондировании в ИК-диапазоне поверхности Земли и других планет.

Научные результаты, выносимые на защиту:

Примеси РЗЭ в количестве до 0,01 ат.% не оказывают заметного влияния на качество осцилляций Шубникова-де Гааза и параметры зонной структуры сплавов , что позволяет моделировать кинетические эффекты с использованием зонной структуры сплавов .
Примеси гадолиния и самария в сплавах висмут-сурьма не проявляют ни донорные, ни акцепторные свойства, поскольку они лишь незначительно уменьшают удельное сопротивление и модуль постоянной Холла сплавов . Примеси Gd и Sm образуют в межслоевом пространстве кристаллической решетки висмут-сурьма кластеры размером 50-150 нм.
Примеси РЗЭ влияют на кинетические эффекты сплавов , ,,, , . Наблюдаемый рост модуля дифференциальной термоэдс (на 25% при 78К) в монокристаллах сплавов , при T<120K обусловлен изменением соотношения парциальных вкладов электронов и дырок в полную термоэдс. Уменьшение удельного сопротивления и увеличение модуля дифференциальной термоэдс в сплавах по сравнению с приводят к значительному росту термоэлектрической эффективности n-типа (с до при Т=80К).
В монокристаллах сплавов и в области азотных температур наблюдается аномальный рост модуля дифференциальной термоэдс в магнитном поле по сравнению со сплавами . Уменьшение удельного сопротивления и увеличение модуля дифференциальной термоэдс при азотной температуре приводят к значительному росту термоэлектрической эффективности в магнитном поле сплавов с примесями гадолиния и самария. Максимальная термоэлектрическая эффективность сплава возрастает до значений в поле 0,05 Тл при Т=80К.
Каждому тепловому режиму с соответствующим температурным полем в однородном полупроводнике в процессе термоэлектрического преобразования энергии отвечает определенная концентрация носителей заряда, определяемая распределением температуры. Поэтому оптимальное значение концентрации носителей заряда следует определять не из максимума параметра термоэлектрической эффективности Z в данном интервале температур (как это обычно делается), а непосредственной оптимизацией теплофизических процессов при решении граничной задачи по расчету температурного поля в термоэлектрике. При одном и том же перепаде температур, но отличающихся распределениях температуры оптимальная концентрация носителей заряда может отличаться в 2 и более раз.
Распределенный (объемный) эффект Пельтье в градиентно-неоднородных полупроводниках в процессах термоэлектрического преобразования энергии позволяет, управляя тепловым потоком, регулировать температурное поле. Установленные физические закономерности объясняют причины того, что линейное распределение концентрации носителей заряда не является оптимальным для эффективного преобразования энергии. Физически обосновано, что экспоненциальное распределение концентрации носителей позволяет повысить эффективность термоэлектрического охлаждения (численный эксперимент показывает увеличение максимального перепада температур в 1,2-1,5 раза).
Анализ математической модели комбинированного (составного) термоэлектрика, состоящего из двух или более последовательно соединенных полупроводников одного типа проводимости, но разной эффективности, расположенных так, что в каждом интервале температур достигается максимум термоэлектрической эффективности расположенного в этой области полупроводника, позволил выявить физические причины повышения термоэлектрической эффективности по сравнению с однородным термоэлектриком. Для комбинированного термоэлектрика на основе сплава висмут-сурьма и теллурида висмута вычислительный эксперимент устанавливает увеличение эффективности на 15-35% в зависимости от температуры при соотношении длин 4: 1.
На базе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма получены градиентно - варизонные структуры с изменяющейся вдоль одного направления шириной запрещенной зоны, формирующие градиент концентрации носителей заряда. Физически обоснована причина увеличения эффективности термоэлектрического преобразования энергии в градиентно - варизонных структурах. Вычислительный эксперимент показал рост термоэлектрической эффективности на 17% при использовании градиентно - варизонного полупроводника на основе сплавов , . Повышение термоэлектрической эффективности градиентно - варизонных сплавов подтверждено экспериментально.

Достоверность и обоснованность результатов, полученных в данной работе, обеспечивается применением многократно проверенной методики исследования кинетических свойств низкотемпературных термоэлектриков, использованием высококачественных монокристаллов висмут-сурьма и воспроизводимостью экспериментальных данных. Полученные результаты соответствуют экспериментальным данным и теоретическим моделям, опубликованным в литературе. Точность результатов, полученных в ходе математического моделирования, определяется тем, что в основу положены уравнения теплопереноса, полученные на основе закона сохранения энергии, а также сопоставлениями результатов теоретических и экспериментальных исследований, показавшими удовлетворительное согласие теории и эксперимента.

ичный вклад автора. Основные результаты диссертации получены лично автором. При этом диссертанту принадлежит постановка задачи исследования и осуществление эксперимента по измерению кинетических эффектов в широком интервале температур и магнитных полей. Выращивание высококачественных монокристаллов сплавов висмут-сурьма, легированных донорными и акцепторными примесями теллура и олова и редкоземельными элементами и измерение явлений переноса осуществлялось автором в лаборатории полуметаллов РГПУ им. А.И.Герцена. Проведение исследований осцилляций Шубникова-де Гааза реализовывалось автором на установке, находящейся на кафедре Физики низких температур и сверхпроводимости МГУ им. М.В.Ломоносова. Автором осуществлена разработка оптимизирующей математической модели теплофизических процессов при термоэлектрическом преобразовании энергии, сделан выбор методов ее решения и выполнено ее исследование.

Соответствие диссертации паспорту научной специальности. Диссертанционное исследование соответствует п. 1 Теоретическое и экспериментальное изучение физической природы свойств металлов и их сплавов, неорганических и органических соединений, диэлектриков и в том числе материалов световодов, как в твердом, так и в аморфном состоянии в зависимости от их химического, изотопного состава, температуры и давления, поскольку проведено экспериментальное изучение физических свойств сплавов висмут-сурьма в зависимости от химического состава и температуры; п.5 Разработка математических моделей построения фазовых диаграмм состояния и прогнозирование изменения физических свойств конденсированных веществ в зависимости от внешних условий их нахождения, т.к. в рамках математической модели теплофизических процессов при термоэлектрическом преобразовании энергии и проведено прогнозирование изменения физических свойств термоэлектриков в зависимости от температуры и магнитного поля; п.6 Разработка экспериментальных методов изучения физических свойств и создание физических основ промышленной технологии получения материалов с определенными свойствами (в соответствии которому разработаны физические основы технологии получения термоэлектриков с определенными термоэлектрическими свойствами) паспорта специальности 01.04.07 Ч Физика конденсированного состояния.

Апробация результатов работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на: IV Всесоюзном симпозиуме Полупроводники с узкой запрещенной зонной и полуметаллы (Львов, 1975), XIV-Международном форуме по термоэлектричеству (Москва, 2011), Международном семинаре Полупроводниковые мантериалы для термоэлектрических устройств и солнечной энергетики (Москва, 2002); VIII, IX, X,XI,XII Межгосударственных семинарах Термоэлектрики и их применения (Санкт - Петербург, 2002, 2004, 2006, 2008, 2010); V Международной конференции Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности (Москва, 2006); XIV Международном симпозиуме Тонкие пленки в оптике и электронике (Харьков, 2002); IX Международном симпозиуме Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы (Харьков, 2003); IV, V, VII, X Международных конференциях Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии (Кисловодск, 2004, 2005, 2007, Ставрополь, 2010); IV Международной научно-технической конференции Компьютерное моделирование 2003 (Санкт -Петербург, 2003 ); IX Международном симпозиуме Методы дискретных особенностей в задачах математической физики (Орел, 2000); III, IV, V Международных научно-практических конференциях Человек и космос (Днепропетровск, 2001, 2002, 2003); Международной научной конференции Современные методы физико-математических наук (Орел, 2006), 50 Международном симпозиуме л Актуальные проблемы прочности (Витебск, 2010), VI Международной научной конференции Прочность и разрушение материалов и конструкций (Оренбург, 2010), II Международной научно-практической конференции Актуальные проблемы химической науки, практики и образования (Курск, 2011), XI Международном семинаре МНТ-XI (Структурные основы модифицирования материалов) (Обнинск,2011), IX Международной конференции ВИТТ-2011 (Минск,2011), Всероссийской научной конференции Методы исследования состава и структуры функциональных материалов (Новосибирск, 2009), Всероссийской научной конференции Физика полупроводников и полуметаллов (Санкт-Петербург, 2002); III Всероссийской конференции Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения. (Махачкала, 2007), Всероссийской научно-практической конференции Физические явления в конденсированном состоянии вещества (Чита, 2009);), II Всероссийской научно-практическая конференция Системы обеспечения тепловых режимов преобразователей энергии и системы транспортировки теплоты. (Махачкала, 2010), IV Всероссийская конференция по наноматериалам (Москва, 2011), XLVII Всероссийская конференция по проблемам физики частиц, физики плазмы и конденсированных сред, оптоэлектроники (Москва, 2011), научно-технической конференции Перспективные материалы твердотельной электроники (Минск, 1990); 53 научной конференции МФТИ Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук. (Москва, 2010), III региональной научной конференции Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование (Благовещенск, 2002), Всероссийском межвузовском семинаре Неравновесные явления в узкозонных полупроводниках и полуметаллах (Елец, 2004); Всероссийской научно-практической конференции Неравновесные процессы в природе (Елец, 2009), XIII зимней школе по механике сплошных сред (Екатеринбург, 2003); Международных школах-семинарах Методы дискретных особенностей в задачах математической физики (Орел, 2002 - 2005, 2007, 2009, 2010), II, III региональных семинарах Компьютерное моделирование и проектирование микро - и наноэлектроники и микроэлектромеханических систем (Орел, 2010, 2011), ежегодных научно-практических конференциях в Орловском государственном университете с 1976 по 2011 гг.

Публикации. По результатам исследований автором опубликовано 70 работ, в том числе 21 статья в рецензируемых научных журналах, 49 публикаций в научных изданиях, сборниках материалов и тезисов докладов на Международных, Всесоюзных, Всероссийских и региональных конференциях.

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка цитированной литературы и 4 приложений. Материал изложен на 361 странице, содержит 171 рисунок и 4 таблицы. Список литературы содержит 338 наименований.

Краткое содержание работы

Во введении сформулированы цели и задачи работы, обоснованы методы исследования, сформулированы научная новизна и практическая значимость работы, представлены выносимые на защиту положения. Приведены аннотация работы, список конференций и семинаров, на которых апробировано содержание работы и список опубликованных работ.

Глава 1 содержит обзор литературы, посвященной физическим свойствам монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма. Представлены основные теоретические и экспериментальные данные о кристаллической структуре и ее симметрии, особенностях химической связи, структуре зоны Бриллюэна, энергетическом спектре носителей заряда кристаллов висмута и висмут-сурьма. Полуметаллические свойства висмута обусловлены малым отличием его кристаллической структуры от кубической. Для описания энергетического спектра носителей заряда в висмуте и его сплавах используется несколько моделей: эллипсоидально- параболическая, эллипсоидально- непараболическая и неэллипсоидально - непараболическая. Согласно модели Джонса-Шенберга электронная часть поверхность Ферми в висмуте содержит три сильновытянутых эллипсоида, центрированных в точках L зоны Бриллюэна, расположенных так, что их короткие оси совпадают с осью симметрии , а длинные отклонены от плоскости перпендикулярной тригональной оси симметрии на угол ~6 , переходящие друг в друга при повороте вокруг тригональной оси на угол 120 и тяжелых дырок один эллипсоид вращения вокруг тригональной оси с центром в точке Т. Исследования резонансных и осцилляционных эффектов показывают, что энергетический спектр электронов и дырок, расположенных в точках L зоны Бриллюэна, описывается моделью Макклюра. Однако при температурах выше азотной для описания L- электронов обычно пользуются эллипсоидально- непараболической моделью Лэкса

, (1)

где - ширина прямого зазора в точке L зоны Бриллюэна. Энергетический спектр тяжелых Т-дырок является квадратичным.

Особое внимание в обзоре уделяется зонной структуре сплавов висмут-сурьма. Изовалентная примесь сурьмы приводит к значительной перестройке зонной структуры висмута. Приведены экспериментальные данные по перестройке энергетического спектра висмута при добавлении сурьмы и схема перестройки энергетических зон сплавов висмут-сурьма при 4,2 К. В сплаве с 12 ат.% сурьмы актуальными являются экстремумы L- электронов и L-дырок. С повышением температуры в кинетические процессы начинает вносить все больший вклад Т - и Н- зоны тяжелых дырок.

В главе кратко изложены феноменологическая и электронная теории кристаллов класса . Приводятся выражения для расчетов гальвано - термомагнитных коэффициентов в рамках эллипсоидально-параболической и эллипсоидально-непараболической (модели Лэкса) моделей для различных механизмов рассеяния в приближении изотропного времени релаксации.

Малые концентрации примеси теллура и олова, образующие с висмутом и сплавами висмут-сурьма твердые растворы, увеличивают или уменьшают соответственно концентрацию электронов. Легирование этими примесями позволяет, изменяя положение уровня Ферми, исследовать зону проводимости и валентную зону вблизи их краев.

Основное практическое применение сплавы висмут-сурьма находят в области термоэлектрического преобразования энергии. Поэтому в обзоре большое внимание уделяется физическим принципам оптимизации свойств термоэлектрических материалов, обсуждаются основные известные методы повышения эффективности термоэлектриков.

Глава 2 посвящена описанию методов экспериментальных исследований. Описан процесс получения монокристаллов сплавов висмут-сурьма. Для приготовления сплавов висмут-сурьма, легированных теллуром, оловом, гадолинием и самарием использовался висмут марки Bи-000, сурьма марки Су-экстра (99,9999%) и спектрально чистые легирующие примеси. Перед употреблением висмут подвергался дополнительной зонной очистке, обезгаживанию и очистке от окислов. Растворение сурьмы и легирующих примесей в висмуте производилось в качающейся печи при температуре 350-400С под давлением мм рт. ст. Большое значение придавалось качеству выращиваемых сплавов висмут-сурьма. Монокристаллы выращены в лаборатории полуметаллов РГПУ им. А.И.Герцена методом зонной перекристаллизации с малыми скоростями прохода расплавленной зоны V0,5 мм/ ч, что необходимо для исключения концентрационного переохлаждения и дендритной ликвации. Использование малых градиентов температуры G 20 K/см необходимо для предотвращения неоднородностей, связанных с флуктуациями состава из-за конвекции в расплаве и для уменьшения плотности дислокаций. Кристаллы выращивались методом зонной перекристаллизации как в трубках диаметром 10-20 мм, так и в трубочках диаметром не более 5 мм с затравкой. Для предотвращения пластической деформации слитки монокристаллов извлекались путем растворения стекла плавиковой кислотой.

Описана технология подготовки образцов для измерения гальваномагнитных и термомагнитных эффектов. Для экспериментальных измерений применялись образцы размером 103.53.5 мм с осями бисекторной, бинарной и тригональной, параллельными ребрам параллелепипеда. Для предотвращения дефектообразования использовался электроискровой способ вырезания образцов из слитков. По плоскости совершенной спайности образцы скалывались после замораживания в жидком азоте. Образцы для измерений вырезались в форме параллелепипеда электроэрозионным способом, после чего они подвергались травлению для удаления окислов и разрушенного электроэррозией поверхностного слоя.

Степень совершенства кристаллов контролировалась с помощью металлографических методов, методами электронной и зондовой микроскопии. Состав монокристаллов по сурьме определялся методом рентгеновской дифракции с точностью до 0,2 ат.%. Кроме того, процент содержания сурьмы осуществлялся методом энергодисперсионного флуоресцентного анализа. Что касается определения концентрации теллура и олова, то влияние первого на свойства изучаемых материалов оценивалось по концентрации носителей тока, вычисленной по данным эффекта Холла в сильном магнитном поле, для контроля второй примеси использовались измерения диамагнитной восприимчивости.

Для измерения гальвано - термомагнитных эффектов в монокристаллах висмут-сурьма была разработана и смонтирована установка, которая позволяла измерять комплекс кинетических эффектов (удельное сопротивление, теплопроводность, термоэдс, эффект Холла, магнетосопротивление, продольный и поперечный эффекты Нернста - Эттингсгаузена, эффект Маджи - Риги - Ледюка) в интервале температур 77-300К в магнитных полях до 0,7 Тл. Обычные компенсационные методы при измерении кинетических свойств термоэлектриков оказываются в данном случае непригодными. В основу измерительной установки был положен метод разделения инерционных эффектов от неинерционных. Погрешности в определении температуры не превышали 0,5%, индукции магнитного поля 2,5%, удельного сопротивления 3%, магнетосопротивления и постоянной эффекта Холла - 5%, дифференциальной термоэдс 3%, удельной теплопроводности 7%.

Глава 3 посвящена результатам исследования качества и состава выращенных сплавов висмут-сурьма. Были проведены подробные металлографические исследования сколов выращенных монокристаллов. Металлографический анализ поверхности скола позволил определить дефектность выращенных монокристаллов. Выращенные указанным методом монокристаллы не обнаружили ни ячеистой, ни дендритной структуры. Плотность дислокаций при выращивании в ампулах, в тонких трубках уменьшалась до . Выявлены основные типы дислокаций и с помощью простой методики измерения параметров ямок травления определены индексы направлений наблюдаемых типов дислокаций.

Исследования качества кристаллов выполнены на плоскости скола (111) с помощью сканирующего электронного микроскопа JSM-6380LV. Высокое качество изображения сканирующего электронного микроскопа и большая глубина резкости позволяют получить четкое изображение особенностей поверхности. В главе описаны результаты исследований на электронном микроскопе морфологии и дефектной структуры поверхности скола по плоскости (111) монокристаллов. Электронно-микроскопическое исследование показало высокое качество выращенных монокристаллов. На поверхности монокристаллов обнаружены только дефекты, вносимые при его скалывании (рис.1). Практически на всех сколах по плоскости (111) виден веер линий (т.н. ручьевой узор), образованный расходящимися от источника разрушения ступеньками.

Состав полученных сплавов определялся энергодисперсионным анализом (EDX) на энергодисперсионной приставке INCA Energy-250. Предел обнаружения определяется интенсивностью пика в спектре и временем накопления спектра. Минимальная концентрацию, определяемая с помощью энергодисперсионного спектрометра оценивается на уровне 0,01 ат.%.

Рис.1. Изображение участка поверхности скола монокристалла сплава Bi-Sb-Gd

Рис.2. Типичные EDX-спектры кристаллов Bi-Sb-Gd и Bi-Sb-Sm

Рис.3.Карты распределения висмута и сурьмы в монокристаллах висмут-сурьма

На рис.2. приведены EDX- спектр фрагментов поверхности монокристаллов Bi-Sb-Gd и Bi-Sb-Sm, на которых обнаружено наличие добавок РЗЭ в количестве 0,68 и 1,5 ат.% соответственно. С помощью этой же приставки производилось элементное картирование участка образца, позволяющее провести анализ распределения элементов, содержащихся в образце по двум координатам с разрешением более чем 1 нм. Исследования (рис.3) показали, что полученные образцы однородны по распределению висмута и сурьмы.

Атомно-силовая микроскопия (АСМ) сколов монокристаллов висмут-сурьма позволяет в атмосферных условиях выявлять дефекты в виде топографических особенностей. Висмут в чистом виде и его сплавы с сурьмой образуют ковалентные связи только в тригональной плоскости, и его чистую атомно-ровную поверхность можно приготовить путем скалывания верхних слоев. Образцы висмута скалывались как при комнатной температуре, так и после замораживания в жидком азоте. Чистота поверхности монокристаллов на основе висмута сохраняется на воздухе в течение нескольких часов.

АСМ исследование позволило обнаружить сферические и овальные образования размерами 50-150 нм. На рис. 4 представлено АСМ - изображение участка поверхности кристалла, на котором видно одно из этих образований. К сожалению, из-за малости их размеров не удалось установить состав. Можно предположить, что эти образования представляют собой кластеры или выделения РЗЭ. Высокое качество скола по плоскости (111) позволяет заключить, что выделения РЗЭ находятся в межслоевом пространстве. Проведенный подсчет этих объектов и последующее усреднение по многочисленным участкам дал плотность , что соответствует среднему расстоянию между ними ~3 мкм. Образование таких объектов связано с эффектом самоочистки слоистых полупроводников, состоящем в выделении примеси в межслоевое пространство. Слоистое строение монокристаллов сплавов висмут-сурьма и малая растворимость в них РЗЭ, ведут к тому, эти примеси локализуются в кластерах и микровключениях.

Рис. 4. АСМ - скан участка поверхности монокристалла Bi-Sb-Gd

Глава 4 посвящена экспериментальным результатам исследования кинетических эффектов в сплавах , , , , ,,,,, в интервале температур 77-300 К и магнитных полей 0-1 Тл. Основное внимание уделено сплавам с 12 атомными процентами сурьмы, как наиболее практически интересным и наиболее исследованным, поскольку именно для этого состава можно более надежно выявить влияние добавок РЗЭ. Для определения ряда параметров зонной структуры использовался эффект Шубникова-де Гааза. В первую очередь необходимо было выяснить влияние добавок редкоземельных элементов на зонную структуру сплавов. С этой целью проводились измерения эффекта Шубникова-де Гааза. Шубниковские осцилляции магнетосопротивления записывались при вращении магнитного поля в бинарно - биссекторной и биссекторно - тригональной плоскостях, что позволило восстановить вид электронной поверхности Ферми в точке L зоны Бриллюэна. Величина малых сечений поверхности Ферми находилась из соотношения , где - частота шубниковских осцилляций в обратном магнитном поле. Приведенное соотношение можно использовать только при фиксированном значении энергии Ферми и непригодно для расчета максимального сечения поверхности Ферми. Для определения истинной частоты необходимо учитывать движение уровня Ферми с изменением магнитного поля. Расчеты движения уровня Ферми в магнитном поле при различной ориентации поля относительно кристаллографических осей выполнялись численными методами на базе полуэмпирического дисперсионного соотношения Смита, Барафа и Роуэлла. При расчете энергии Ферми использовалось условие постоянства концентрации носителей. В результате исследований установлено, что образцы сплавов висмут-сурьма с редкоземельными элементами хорошо осциллировали. Было установлено, что угловые зависимости экстремальных сечений поверхности Ферми в точке L для образцов n Цтипа находятся в согласии с трехэллипсоидальной моделью. Заметных отклонений от формы поверхности Ферми для чистых (без РЗЭ) сплавов обнаружено не было.

Исследование влияние примесей гадолиния на кинетические свойства сплавов висмут-сурьма проводилось на чистых сплавах (х=0,01;0,03;0,1 ат.%), сплавах легированных теллуром (y=0, 0,001, 0,003, 0,005, 0,01) и оловом (y = 0,001, 0,005, 0,01). Концентрация примесей РЗЭ при загрузке составнляла 0,01-0,1 ат.%. Измерения проводились на образцах с бинарной осью, направнленной вдоль образца, а тригональной вдоль одной из граней, а также тригональной осью, направленной вдоль образца, а ось симметрии второго порядка - одной из граней. Основнное внимание уделялось исследованию образцов первого типа, как обладающих большей механической прочностью. Измерялись дифференциальная термоэдс, удельное сопротивление, удельная теплопроводность, эффект Холла, магнитосопротивление, продольный эффект Нернста - Эттингсгаузена и эффект Маджи - Риги - Ледюка. Как показывают многочисленные исследования кинетинческие свойства, сплавы состава являются наиболее чувствительными к различного вида примесям. Это связано с тем, что подвижность носителей заряда для этих сплавов наинбольшая, а концентрация их наименьшая. Удельное сопротивление сплавов и так же как и сплавов при низких температурах имеет полупроводниковую температурную зависимость, которая с повышением температуры до 180К сменяется на металлическую. Компонента эффекта Холла во всех сплавах ,,и в температурном интервале 80-300К отрицательна и не столь значительно отличается от сплавов , что указывает на то, что добавки РЗЭ не обладают ни донорным, ни акцепторным действием.

Наиболее интересно воздействие примесей РЗЭ на термоэлектрические свойства сплавов висмут-сурьма. Дифференциальная термоэдс сплава висмута с 12 ат.% сурьмы при температуре кипения жидкого азота составляет около -160 мкВ/К. Добавка 0,01 ат.% Gd дает, добавка 0,01 ат. % Sm изменяет до . Дифференциальная термоэдс сплава Bi88Sb12 с добавкой 0,1аат.% Gd составляла при азотной температуре . Из формулы для дифференциальной термоэдс для двух типов носителей заряда

(1)

вытекает, что термоэдс растет за счет падения отношения парциальных электропроводнонстей . Анизотропия у чистых сплавов отсутствует, в то время как анизотронпия термоэдс составляет =0,88 при азотной температуре и практически исчезает при повышении температуры.

Поскольку введение донорной примеси теллура меняет положения уровня Ферми, большое внимание уделяется исследованию кинетических эффектов сплавов четверных . Легирование сплава донорной примесью Те в количестве 0,001, 0,003, 0,005 и 0,01 ат.% приводит к уменьшению удельного сопротивления в низкотемпературной области и к уменьшению модуля дифференциальной термоэдс. Для сплавов с концентрацией Те <0,003 ат.% во всем температурном интервале наблюдается смешанная проводимость. Значения кинетических коэффициентов с ростом температуры по абсолютной величине убывают. Постоянная Холла отрицательна во всем интервале температур и концентраций Те и снижается по модулю с увеличением концентрации теллура. В области температур вблизи точки кипения азота легирование сплавов теллуром в количестве >0,003 ат.% переводит сплавы в однозонное состояние, при котором расчеты параметров носителей заряда значительно упрощаются, так как в явлениях переноса принимают участие практически только электроны, находящиеся в вырожденном состоянии.

Рис.5. Полевая зависимость компоненты дифференциальной термоэдс при Т=80К для сплавов 1-, 2 - , 3 -,4 -

Олово по отношению к висмуту и сплавам висмут-сурьма действует как акцептор и поэтому введение олова понижает уровень химического потенциала. Аналогично действует олово и в сплавах Исследование сплавов и их термоэлектрические свойства представляет большой интерес с точки зрения возможности создания термоэлектрика р - типа. Были исследованы монокристаллы сплавов висмут-сурьма с 0,001, 0,005 и 0,01 ат. % олова. В сплавах с оловом почти во всем интервале температур имеет место смешанная проводимость. Сплав с 0,001 ат.% олова был еще полностью n-типа. В сплавах с концентрацией олова >0,005 ат.% термоэдс отрицательна при комнатных температурах с понижением температуры переходит через нулевые значения и становится положительной вблизи азотных температур. Доминирование дырочной проводимости ниже 88К для сплава, легированного 0,005 ат. % олова подтверждается положительным знаком эффекта Холла.

Сильное влияние оказывает магнитное поле на кинетические эффекты в сплавах с РЗЭ. Увеличение модуля дифференциальной термоэдс сплавов висмут-сурьма в магнитном поле отмечено еще ранее. Еще более сильный рост дифференциальной термоэдс наблюдается в сплавах с РЗЭ (рис.5). При этом изменяется характер полевой зависимости компоненты тензора дифференциальной термоэдс , которая с примесями РЗЭ в интервале магнитных полей 0-0,3 Тл быстро возрастает и далее стремится к насыщению. Компонента сплава , достигнув максимума в поле 0,1 Тл начинает спадать. Наибольшее влияние примеси РЗЭ достигается в сплаве с 0,1 ат.% гадолиния, где компонента увеличивается по модулю почти в два раза.

Глава 5 посвящена расчету и обсуждению полученных экспериментальных результатов. Ранними исследованиями разных авторов сплавов установлены ширина запрещенной зоны , ее температурный коэффициент , эффективные массы в зоне проводимости и валентной зоне , подвижности электронов и дырок при азотной температуре. Предполагалось, что величина прямого зазора уменьшается в интервале температур 78 -120 К до нуля. Этот вывод сделан на основании классической зависимости электропроводности от температуры. Найденное отношение для сплава позволило установить температурную зависимость подвижности вида в интервале 80-200 К. На основании экспериментально определенной зависимости удельного сопротивления от температуры была сделана оценка температурной зависимости термической ширины запрещенной зоны с учетом температурной зависимости подвижности. В сплавах висмут-сурьма при небольшой ширине запрещенной зоны необходимо использовать квантовую статистику и, поскольку актуальными являются L-экстремумы то нужно учесть неквадратичный закон дисперсии. Поэтому концентрация носителей заряда определяется следующей зависимостью

, (2)

где двухпараметрический интеграл Ферми, - параметр неквадратичности, - ширина энергетического зазора в точке L. Согласно расчетам с учетом неквадратичности закона дисперсии зависимость имеет вид (рис.6).

Рис.6. Температурная зависимость прямого зазора в сплаве , прямая линия характеризует величину тепловой энергии носителей заряда кТ

Как видно из графиков, выше 130 К тепловая энергия носителей заряда превышает рассчитанные значения термической ширины запрещенной зоны. Поэтому проведенный расчет дают лишь оценку верхней границы энергетического зазора. Действительный зазор может быть меньше этой верхней границы, либо отсутствовать совсем. Тепловая размазанность не позволяет столь сделать категоричный вывод об уменьшении зазора до нуля и дальнейшем возможном перекрытии энергетических зон.

Данная температурная зависимость согласуется по порядку величины со скоростью изменения зазора, связанной с тепловым расширением решетки. На основе результатов измерений коэффициентов Холла и термоэдс сделанными расчетами определена эффективная масса плотности состояний. На базе предложенной зонной перестройки сплавовв работе проведены расчеты подвижности и концентрации носителей заряда, рассчитаны параметр рассеяния, на основе которого определен механизм рассеяния носителей. Для собственных сплавов и проведены расчеты концентрации и подвижности носителей заряда с использованием закона Лэкса для L-зон и квадратичного закона для Н и Т-зон, согласно зонной схеме на рис.7.

Рис.7. Энергетическая схема сплава при температуре 80К

Концентрация L-электронов в одном эллипсоиде определялась по формуле

. (3)

Концентрация Н-дырок определяется формулой

. (4)

Аналогичной формулой определялась и концентрации Т-дырок.

Полная электропроводность является суммой вкладов отдельных зон

, (5)

где , , , .

Парциальные дифференциальные термоэдс L - электронов и L-дырок имеют следующий вид

. (6)

Парциальная термоэдс Н- дырок

(7)

и аналогично для Т-дырок.

Полная дифференциальная термоэдс определяется как среднее

. (8)

Расчет подвижностей L-электронов и L-дырок показал следующие результаты (рис.8). Как видно добавки Gd немного увеличивают подвижность электронов и сильно уменьшают подвижность дырок. Это может быть связано с тем, что электроны являются фермиевскими, а дырки образуют максвелловский газ (уровень химического потенциала в сплавах лежит в зоне проводимости) и это сказывается на характере рассеяния.

Рис.8. Температурная зависимость компоненты подвижности для сплавов (кривые 1 для L-электронов , 2 для L-дырок) и (кривые 3 для L-электронов, 4 для L-дырок)

В работе приведена полная картина изменения термоэлектрических параметров сплавов в широком интервале температур. Данные о концентранции носителей тока получены из измерений коэффициента Холла. Расчеты проведены при условии, что разность концентраций электронов и дырок не зависит от температуры. Комплекс измерений гальвано - термомагнитных эффектов позволил рассчитать показатель термоэффективности этих материалов и определить оптимальные условия, при которых он достигает максимального значения. Значительный рост дифференциальной термоэдс приводит к увеличению термоэлектрической эффективности сплавов висмут-сурьма с РЗЭ. Добавка 0,1 ат.% Gd повышает эффективность сплава Bi88Sb12 до (в чистых сплавах) при температуре жидкого азота. Магнитополевая зависимость термоэлектрической эффективности сплавов , и представлена на рис.9. Как видно из графиков, магнитотермонэлектрическая эффективность в сплавах растет по сравнению со сплавами и достигает максимальных значений в указанном интервале магнитных полей. Для сплава с добавкой 0,1 ат.% Gd компоненты тензора эффективности в магнитном поле с индукцией 0,05 Тл и в поле 0,4 Тл при 80 К. Эффект увеличения Z в Bi-Sb с помощью магнитного поля может быть объяснен привлечением представлений о структуре энергетических зон. Дифференциальная термоэдс для электронов из-за неквадратичности зоны проводимости сильно возрастает в магнитном поле. При этом нарастание идет быстро в слабых полях и достигает затем насыщения. В магнитном поле падает электропроводность в слабых полях по квадратичному закону. Однако в слабом поле эффект падения электропроводности и электроном и дырок значительно меньше, чем изменение парциальной термоэдс электронов в сторону увеличения. Поэтому из формулы для дифференциальной термоэдс для двух типов носителей заряда (8) вытекает, что слагаемое растет за счет преобладания роста парциальной термоэдс над падением парциальной электропроводности . Слагаемое падает монотонно за счет падения парциальной электропроводности . Данное объяснение не отражает всей сложности эффектов в узкозонных полупроводниках, т.к. не учитывается существование эквивалентных экстремумов, энергетических зон, лежащих выше и ниже экстремумов, изменения характера рассеяния носителей при понижении температуры, роли различных дефектов решетки и т.д.

Рис.9. Полевая зависимость термоэлектрической эффективности при Т=80К для сплавов 1-компонента , 2 - компонента , 3 - компонента ,4 - компонента , 5 - компонента

Слабое легирование оловом немного увеличивает термоэлектрическую эффективность в области низких температур, что обусловлено тем, что удельное сопротивление изменяется мало, а дифференциальная термоэдс возрастает по абсолютной величине. Наибольшей эффективностью n-типа обладают легированные сплавы с 0,001 ат. % олова. Далее с ростом концентрации олова эффективность сплавов в низкотемпературной области падает вследствие уменьшения абсолютного значения дифференциальной термоэдс. Сплавы висмут-сурьма с 12 ат.% сурьмы обладают оптимальными значениями ширины запрещенной зоны для низкотемпературного диапазона температур и высокими значениями подвижностей носителей тока. Однако, наряду с благоприятным комплексом электрофизических и физико-химических свойств, все эти сплавы не имеют сравнимой по величине эффективности р - типа, что делает малоэффективным применение их в термоэлектрических устройствах и приводит к необходимости дальнейшего исследования термоэлектрических свойств сплавов .

В главе проведены общие оценки влияния на термоэлектрическую эффективность механизмов рассеяния, параметра неквадратичности, величины эффективной массы. Поскольку сплавы висмут-сурьма имеют две близкорасположенные зоны электронов и дырок то были сделаны расчеты параметра термоэлектрической эффективности в рамках двухзонной модели с учетом температурной зависимости решеточной составляющей теплопроводности этих сплавов.

Висмут, являясь полуметаллом, не может быть по этой причине хорошим термоэлектриком. Понижение размерности полупроводника приводит к размерному квантованию энергетического спектра и, тем самым, возможно образование щели в энергетическом спектре. Это обстоятельство позволяет увеличить модуль дифференциальной термоэдс и тем самым появляется возможность повышения термоэлектрической эффективности. Математическое моделирование гетероструктур с использованием пленок висмута толщиной 14 нм способствует повышению термоэлектрической эффективности вдоль слоев структуры до при Т=80К.

Глава 6 посвящена математическому моделированию и оптимизации теплофизических процессов при термоэлектрическом преобразовании энергии. В начале главы обсуждается постановка задачи по новому подходу к расчету термоэлектрической эффективности полупроводника, используемого в качестве материала для термоэлектрических преобразователей. Обычно для характеристики термоэлектрической эффективности материала используется параметр . Поскольку практически каждый термоэлектрик используется в конечном интервале температур, то вычисляется параметр Z с усредненными по температурному интервалу кинетическими коэффициентами. Известно, что параметр Z, определяет максимальный перепад температуры , возникающий в термоэлектрика за счет эффекта Пельтье при прохождении электрического тока оптимальной величины. При расчете средних величин кинетических коэффициентов несущественны ни распределение температуры вдоль направления тока, ни температурная зависимость кинетических коэффициентов. Все определяется только температурным интервалом, по которому происходит усреднение температурной зависимости кинетических коэффициентов. В рамках такого подхода нельзя удовлетворительно учесть температурную зависимость кинетических коэффициентов, а так же влияние эффекта Томсона и распределенного эффекта Пельтье.

С целью выяснения возможностей повышения эффективности термоэлектрического преобразования энергии предложено проведение численного эксперимента, основанного на математической модели теплофизических процессов в термоэлектрике при протекании электрического тока. Геометрическая схема математической модели теплофизических процессов (лячейка Пельтье) представлена на рис.10. Правая грань =1 единичного кубического объема термоэлектрика термостатирована при температуре . Боковые грани, параллельные оси , адиабатически изолированы. При прохождении электрического тока вдоль оси в таком направлении, когда поток основных носителей тока направлен вправо, на левой грани поглощается теплота Пельтье, в результате чего температура левой грани ячейки понижается. Окончательно устанавливается температура , определяемая из энергетического баланса поглощаемой теплоты Пельтье, теплопритоков извне и из объема термоэлектрика в результате создавшегося перепада температур. Поскольку боковые потоки отсутствуют, то для описания теплофизических процессов в единичном объеме термоэлектрика при прохождении электрического тока используется граничная задача в виде:

(9)

, (10)

где - безразмерная переменная, , , -дифференциальная термоэдс, удельное сопротивление и удельная теплопроводность, - лудельный ток, - лудельный тепловой приток извне.

Обычно температурная зависимость кинетических коэффициентов, определяющих параметр термоэлектрической эффективности, рассматривается как негативный фактор, но при решении задачи о тепловом поле ветви термоэлемента в случае, когда кинетические коэффициенты являются функциями температуры, появляется возможность использования температурной зависимости кинетических коэффициентов для повышения термоэлектрической эффективности. Практический интерес представляют три случая: максимального перепада температуры при =0, максимального теплового потока на холодной грани и максимальной эффективности преобразования (отношение теплового притока на холодной грани к затраченной электрической мощности ).

Рис. 10. Схема математической модели теплофизических процессов в термоэлекнтрике (лячейка Пельтье) при термоэлектрическом преобразовании электрической энернгии в тепловую.- фиксированная температура грани =1, , -теплоприток извне, - поток основных носителей заряда

Очевидно, что для каждого отдельного случая нужно оптимизировать теплофизические процессы и это не может сводиться к максимизации только одного параметра эффективности Z. Для создания максимального перепада температуры необходимо достичь максимального превышения величины поглощаемой тепловой энергии в эффекте Пельтье на грани =0 над выделяемой в объеме теплотой Джоуля, одновременно нужно подавить тепловой поток с горячей грани, обнулив градиент температуры в точке =1. Максимальный теплоприток к холодной грани можно создать, повысив за счет роста тока поглощение Пельтье. Однако одновременно это вызовет и рост теплоты Джоуля, которая приведет к перегреву средней части термоэлектрика. Возникающую при этом теплоту Джоуля нужно частично перенаправить к горячей грани лячейки Пельтье. Для достижения максимальной эффективности преобразования нужно снизить мощность за счет уменьшения тока, что из-за линейной зависимости эффекта Пельтье приведет к небольшому падению.

Как показывают расчеты термоэлектрической эффективности с применением граничной задачи и с использованием усредненного по температуре параметра Z расхождения в результатах могут достигать 20% и более. Так, согласно расчетам, сплав , несмотря на очень высокие значения параметра термоэлектрической эффективности, не может дать предсказываемого методом средних параметров максимального снижения температуры в области низких температур (рис.11). Это обусловлено с одной стороны тем, что температурная зависимость удельного сопротивления имеет полупроводниковый характер и поэтому на холодном конце термоэлектрика выделяется бльшая часть теплоты Джоуля, с другой стороны температурная зависимость дифференциальной термоэдс такова, что теплота Томсона выделяется, а не поглощается. Наоборот, в области комнатных температур, благодаря металлическому характеру поведения удельного сопротивления максимальный перепад температур ожидается более высоким, чем это следует из традиционных расчетов. Большой интерес представляет интерес моделирование термоэлектрического преобразования энергии в сплавах , и в магнитном поле. Расчеты показывают, что традиционные расчеты могут давать результаты, отличающиеся на 10-20%.

Рис.11. Температурная зависимость максимального снижения температуры для сплавов , пунктирная кривая рассчитана методом средних параметров

Частично решить проблему температурной зависимости параметра Z позволяет использование составного термоэлектрика, геометрическая схема (комбинированная лячейка Пельтье) которого представлена на рис.12. Каждый отдельный участок составного термоэлектрика имеет максимум параметра Z в своем интервале температур. Для примера проведен расчет модели составного термоэлектрика, низкотемпературной - левая часть объема представлена сплавом , а высокотемпературная - правая соединением ( при температуре 100 К).

Рис. 12. Схема математической модели теплофизических процессов в комбинированном (составном) термоэлектрике при термоэлектрическом преобразовании электрической энергии в тепловую (комбинированная лячейка Пельтье).- фиксированная температура грани =1, , -теплоприток на холодную грань при температуре , -поток основных носителей заряда

Оптимизация теплофизических процессов в случае максимального перепада температур показала, что использование двух термоэлектриков более эффективно по сравнению с однородными составляющими (увеличение перепада температур на 16-28%). Определено оптимальное соотношение длин низкотемпературной и высокотемпературной составляющей комбинированной лячейки Пельтье, равное 0,8. На основании проведенных расчетов было дано более последовательное объяснение эффекта увеличения термоэлектрической эффективности составного термоэлектрика.

Одной из проблем термоэлектричества является поиск оптимального значения концентрации носителей тока, обеспечивающего максимальную эффективность преобразования. Такой расчет проведен на базе решения граничной задачи (9,10) для невырожденных носителей заряда в случае одного типа носителей с квадратичным законом дисперсии и классической статистикой. В случае рассеяния на акустических фононах кинетические коэффициенты имеют вид:

дифференциальная термоэдс

, (11)

электропроводность

(12)

теплопроводность

(13)

где - решеточная составляющая теплопроводности.

Параметры носителей заряда и решеточная теплопроводность соответствуют экспериментальным данным для соединения (с расчетным Z при температуре 300 К значением ~). Расчет проводится для случаев максимального перепада температуры, максимального теплопритока на холодной грани и максимальной эффективности (отношения теплопритока к приложенной электрической мощности W). Выяснилось, что каждому энергетическому режиму при одинаковой величине перепада температур соответствует свое значение оптимальной концентрации носителей заряда. Этот результат не согласуется с существующей методикой расчета оптимальной концентрации. Исходя из максимума Z , оптимальной концентрацией при комнатной температуре является . При нулевом перепаде температур в режиме максимального теплопритока оптимальной является концентрация . Для перепада температур 15К в режиме максимальной оптимальная концентрация , а в режиме максимальной эффективности . Т.е. оптимальная концентрация при одном и том же перепаде температур отличается почти в два раза, что с точки зрения метода средних параметров объяснить нельзя, поскольку усреднение проводится в одинаковых интервалах температур. Поэтому существующий метод расчета оптимальной концентрации носителей заряда, состоящий в достижении максимума параметра Z не позволяет оптимизировать энергетические процессы в разных тепловых режимах и определить величину оптимальной концентрации носителей заряда.

Впервые для расчета оптимального значения концентрации носителей тока при моделировании процессов термоэлектрического преобразования энергии в полупроводниках использована квантовая статистика носителей заряда. Кинетические коэффициенты , и связаны с концентрацией носителей заряда и последние два с их подвижностью. При температуре жидкого азота и несколько выше даже в сильно легированных полупроводниках преобладает рассеяние носителей заряда на колебаниях кристаллической решетки. Поэтому рассматривалось рассеяние носителей только на акустических фононах. Подвижность носителей заряда, теплопроводность и параметр рассеяния принимались не зависящими от концентрации носителей тока. Кинетические коэффициенты вычислялись согласно формулам:

дифференциальная термоэдс

, (14)

подвижность носителей

, (15)

удельная электропроводность

, (16)

удельная теплопроводность

(17)

и число Лоренца

, (18)

где - однопараметрические интегралы Ферми, - приведенный химический потенциал. Для нахождения положения приведенного химического потенциала использовалось выражение для концентрации носителей

. (19)

Расчет химического потенциала показывает, что для различных перепадов температур уровень химического потенциала лежит вблизи дна зоны проводимости, поэтому статистика носителей заряда в термоэлектриках не может быть классической.

Поскольку оптимальная концентрация носителей заряда зависит от температуры, то оптимизированный по температурному перепаду термоэлектрик должен быть градиентно-неоднородным. Решению этой задачи уделялось особое внимание многих исследователей, так как в градиентно-неоднородной ветви распределенный эффект Пельтье может существенно повысить эффективность термоэлектрического преобразования энергии. Применение столь мощного метода оптимизации, каковым является метод Понтрягина, требует линеаризации граничной задачи, которая изначально нелинейна. Поэтому проведено численное решение и численная оптимизация полученных решений. Рассмотрены режимы максимального падения температуры в условиях адиабатической изоляции и максимального теплопритока на холодную грань термоэлектрика. Для расчета использовалась как классическая, так и квантовая статистика. Результаты расчета распределения температуры при разных отношениях концентраций электронов в точках =0 и =1 на рис.13.

инейное распределение, действительно, по сравнению с однородным термоэлектриком увеличивает максимальный перепад температур, но одновременно создает градиент температуры вблизи горячей грани ячейки и тем самым увеличивает теплоприток с горячего термостата. Математическая модель позволяет рассчитать химический потенциал. Как показал расчет, линейное распределение концентрации электронов создает градиент химического потенциала вблизи горячей грани лячейки Пельтье, но это приводит только к дополнительному притоку теплоты с горячей грани. Поэтому линейное распределение носителей заряда не может быть оптимальным с точки зрения максимального перепада температуры. Использование экспоненциальной зависимости распределения концентрации электронов позволяет значительно снизить градиент химического потенциала в точке =1 и тем самым уменьшить теплоприток из горячего термостата, а это повышает эффективность термоэлектрического преобразования. Экспоненциальное распределение носителей заряда, представленное на рис.14 , позволяет увеличить перепад температуры в 1,5 раза.

Рис.13. Распределение температуры вдоль оси Т ( ) при = 300 К для линейного распределения концентрации носителей при разных отношениях

(1 - = 1, 2 - 2, 3 - 5)

Повышение термоэлектрической эффективности градиентно-неоднородного термоэлектрика продемонстрировано на примере сплавов . Однако, из-за технической сложности вырастить градиентно-неоднородный термоэлектрик с оптимальной неоднородностью несколько тысячных долей атомных процентов донорных и акцепторных примесей на 1 см не представляется возможным. В то же время твердые растворы висмут-сурьма допускают получение градиентно-неоднородных составов без применения легирующих примесей.

Рис. 14. Распределение приведенного химического потенциала вдоль оси () для случая = 300 К и отноншения = 5 при разных распределениях концентрации носителей (по линейному закону (/), по экспоненте (2). На вставке график распределения концентрации носителей заряда

Поскольку в твердых растворах этих сплавов происходит перестройка спектра с изменением ширины запрещенной зоны, то меняется и концентрация носителей заряда. Градиентно-неоднородный монокристалл с изменяющимся составом сплава (варизонный полупроводник) можно назвать градиентно - варизонным. Можно предложить два варианта градиентно - варизонных кристаллов: 5-12 ат.% и 12-18 ат.%. Второй вариант предпочтительнее, т.к. решеточная составляющая теплопроводности этого твердого раствора с большей концентрацией сурьмы будет ниже первого. Математическая модель градиентно - варизонного термоэлектрика с перепадом концентраций 12-18 ат.% сурьмы предсказала повышение на 17%, что качественно подтверждено экспериментально.

Рис.15. Схема математической модели теплофизических процессов в термоэлектрике при термоэлектрическом преобразовании тепловой энергии в электрическую (лячейка Зеебека), - фиксированная температура грани =0, - фиксированная температура грани =1, -поток основных носителей заряда

В случае, когда противоположные грани кубического объема термоэлектрика (лячейка Зеебека) (рис.15) поддерживаются при различных значениях температуры, на них возникает разность потенциалов вследствие эффекта Зеебека. Для моделирования процесса термоэлектрической генерации электрической энергии полупроводником также может быть использовано уравнение (9), но с фиксированными температурами и на противоположных гранях. Температурная зависимость термоэлектрических свойств полупроводникового генерирующего вещества играет еще бльшую роль, поскольку в этом случае рабочий температурный интервал значительно увеличивается, а максимум эффективности обычно лежит в узком интервале температур. Возможности математической модели в случае расчета и оптимизации энергетических процессов при термоэлектрической генерации энергии с использованием температурной зависимости кинетических коэффициентов иллюстрируются на примере n- PbTe. Рассматриваются два варианта модели генерирующего термоэлектрика: с максимальной полезной мощностью и максимальной эффективностью преобразования энергии. Расхождение с расчетом по методу средних параметров при перепаде температур 600К достигает 14,7% ,при перепаде 300К составляет 10%.

Математическая модель, позволяющая рассчитать оптимальное значение концентрации носителей тока для генерирующего термоэлектрика, построена на базе термоэлектрика PbTe с применением невырожденной статистики носителей заряда. При моделировании кинетических коэффициентов параметры носителей заряда были выбраны близкими к параметрам материала n-PbTe . Одновременно с численным решением граничной задачи осуществлялась оптимизация по концентрации носителей заряда энергетических процессов в случае получения максимальной мощности и максимальной эффективности преобразования. Расчет проведен в широком интервале температур (300-900К). Оптимальные значения концентрации носителей заряда для рассмотренных случаев сильно различаются между собой и с методом средних параметров. Это различие в оптимальных концентрациях для разных режимов тепловых процессов связано с тем, что оптимальный ток термоэлектрика, в режиме максимальной мощности больше, чем в режиме максимальной эффективности и, следовательно, снизить уровень выделения теплоты Джоуля можно, увеличив концентрацию носителей заряда (соответственно и электропроводность термоэлектрика). Поэтому при расчете эффективности генерирующих термоэлектриков необходимо проводить оптимизацию термоэлектрического преобразования энергии для каждого теплового режима.

В заключении приводятся основные результаты и выводы. Они сводятся к следующему:

Методом горизонтальной зонной перекристаллизации выращены монокристаллы тверндых растворов , , , , ,,,,,,. На основе проведенных исследований методами металлографического анализа, АСМ и СЭМ:

- показана возможность выращивания монокристаллов висмут-сурьма с добавками редкоземельных примесей методом зонной перекристаллизации высокого качества, однородных по основным компонентам;

- исследованы количество и ориентация дислокаций в монокристаллах сплавов висмут-сурьма, показано, что добавки РЗЭ в сплавы висмут-сурьма не приводят к увеличению плотности дислокаций, которая не превышала значения;

- установлено, что примеси РЗЭ в сплавах висмут-сурьма образуют кластеры или нано - и микровключения с латеральными размерами 50-150 нм, откладывающиеся обычно в слоистых кристаллах в вандерваальсовых щелях, что обусловлено их плохой растворимостью в сплавах висмут-сурьма;

В сплавах , , , ,,, проведено исслендование эффекта Шубникова-де Гааза, которое позволило определить вид поверхности Ферми, циклотронные эфнфективные массы электронов, коннцентрации носителей заряда, температуру Дингла. На основании полученных результатов:

-установлено, что добавки гадолиния не оказынвают существенного влияния на амплитуду осцилляций Шубникова-де Гааза, что объясняется высоким качеством монокристаллов;

- показано, что примеси гадолиния не влияют на параметры зонной структуры сплавов висмут-сурьма;

- показано, что концентрация носителей заряда определяется примесями теллура или олова, а не добавками гадолиния, что указывает на то, что гадолиний при гелиевых температурах не является ни донором, ни акцептором.

В результате проведенного комплексного исследования электропроводности, теплопроводности, термоэдс и эффекта Холла монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма с добавками РЗЭ в интервале температур Т=77-300К и магнитных полей В=0-1Тл:

- установлено, что примеси гадолиния и самария в сплавах висмут-сурьма в интервале температур Т=77-300К не проявляют ни донорные, ни акцепторные свойства:

- показано, что примеси РЗЭ оказывают сильное влияние на температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов монокристаллов сплавов Bi-Sb-Gd, Bi-Sb-Sm, Bi-Sb-Gd-Te, Bi-Sb-Gd-Sn в интервале 77-300К, что обусловлено появлением нового механизма рассеяния носителей заряда:

- определены параметры электронного спектра в интервале температур 77-120К, уменьшение ширины запрещенной зоны, вызванное тепловым расширением решетки:

- установлено, что добавки Gd и Sm значительно увеличивают модуль дифференциальной термоэдс монокристаллов и при температурах вблизи точки кипения жидкого азота (при 80К до 25%), что вызвано уменьшением парциального вклада дырок в полную термоэдс за счет уменьшения отношения подвижностей дырок и электронов:

- обнаружено аномальное повышение модуля дифференциальной термоэдс в монокристаллах при T=80K до значений ~400мкВ/К в магнитном поле 0,4 Тл, что связано с подавлением магнитным полем подвижности дырок.

Исследована возможность повышения термоэлектрической эффективности сплавов Bi-Sb в области низких температур с использованием добавок РЗЭ:

- показано, что добавка РЗЭ повышает термоэлектрическую эффективность сплавов висмут-сурьма, что обусловлено ростом модуля дифференциальной термоэдс и небольшим уменьшением удельного сопротивления, так добавка 0,1 ат.%Gd увеличинвает термоэлектрическую эффективность с до значенния:

- показана возможность значительного увеличения магнитотермоэлектрической эффективности сплавов висмут-сурьма, так в магнитном поле В=0,05 Тл термоэффективность возрастает до велинчины, а компонента до величины (ZT=1.11) в поле В=0,4 Тл, что обусловлено существенным ростом модуля дифференциальной термоэдс и умеренным ростом удельного сопротивления.

Исследована возможность создания эффективных термоэлектриков р- типа на базе сплавов висмут-сурьма с добавками РЗЭ. Показано, что добавки РЗЭ в четверных сплавах ,,не приводят к повышеннию термоэлектрической эффективности р - типа, что связано с уменьшением подвижности дынрок.
Математическое моделирование теплофизических процессов в однородном полупроводнике в процессе термоэлектрического преобразования энергии:

- показано, что рассчитанная оптимальная концентрация носителей заряда может отличаться в 2 и более раз от концентрации, определенной из условия максимального параметра термоэлектрической эффективности Z, потому, что зависит от распределения температуры в термоэлектрике, а не только от интервала температур, как принято считать;

- показано, что во всем рассматриваемом интервале температур 77-300К носители заряда являются вырожденными, поэтому при моделировании теплофизических процессов в термоэлектриках кинетические коэффициенты необходимо рассчитывать с помощью квантовой статистики.

Проведенное математическое моделирование комбинированного (составного) термоэлектрика позволило выявить физические закономерности, определяющие причины роста эффективности комбинированной системы по сравнению с эффективностью каждой из ее составляющих. Для низкотемпературного термоэлектрика и высокотемпературного на основе теллурида висмута оптимальное соотношение длин составляющих приблизительно равно 4: 1 , а рост термоэлектрической эффективности составляет 15-35% .
Анализ физических закономерностей влияния перестройки зонной структуры, связанной с изменением состава твердого раствора и температуры на термоэлектрическую эффективность сплавов висмут-сурьма показал возможность повышения термоэлектрической эффективности. В результате численного и экспериментального исследования теплофизических процессов, протекающих в градиентно-неоднородном сплаве (0y0,002) и градиентно - варизонном кристалле 12х16, показано, что использование такой ветви позволяет повысить ее термоэлектрическую эффективность сплавов на 17% за счет распределенного эффекта Пельтье.
Проведенное математическое моделирование теплофизических процессов, протекающих в градиентно-неоднородном полупроводнике в процессе термоэлектрического преобразования энергии, обнаружило физические закономерности того, что линейное распределение концентрации носителей заряда вдоль направления тока не является оптимальным, как это считалось ранее. Устранение этих причин в процессе вычислительного эксперимента показало, что экспоненциальное распределение носителей заряда приводит к значительно большему росту термоэлектрической эффективности.
Проведенный физический анализ и математическое моделирование влияния размерного квантования энергетического спектра висмута при понижении размерности до 2D термоэлектрического объекта показал появление в энергетическом спектре висмута энергетического зазора, что позволяет ожидать повышения термоэлектрической эффективности вдоль гетероструктуры из широкозонного полупроводника и висмута до при толщине слоя висмута 14 нм.
Проведенное математическое моделирование термоэлемента с активной n-ветвью на основе сплава висмут-сурьма:

- показано, что при отсутствии низкотемпературной p-ветви, она может быть заменена без заметного снижения термоэлектрической эффективности n-ветви пассивной сверхпроводящей ветвью на основе висмутовой керамики определенной длины. Термоэффективность может быть еще более увеличена, если вместо пассивной сверхпроводящей ветви использовать комбинированную сверхпроводник - термоэлектрик;

- показано, что при отсутствии низкотемпературной р - ветви она может быть заменена и пассивной железной ветвью эффективность такого термоэлемента в магнитном поле, может превышать эффективность термоэлементов, изготовленных из низкотемпературных соединений теллурида висмута.

Проведенное математическое моделирование низкотемпературного совмещенного термоэлемента типа генератор-холодильник, представляющего термоэлектрический холодильник, электропитание которого осуществлялось с помощью термоэлектрического генератора, показало возможность функционирования такой системы. Экспериментальные результаты исследования модели устройства генератор-холодильник находятся в удовлетворительном согласии с теоретическими выводами.

В приложениях к диссертации приведены примеры применения математического моделирования термоэлектрического преобразования энергии к расчету термоэлектрических элементов. Особенностью постановки задачи является то обстоятельство, что термоэлектрики n- и p-типов не работает отдельно вне термоэлемента. Ветви термоэлемента, оптимизированные по отдельности, не создают оптимизированного термоэлемента. При численном расчете для этого используется итерационная процедура.

Предлагаемая методика расчета может быть использована и при расчете термоэлементов, что иллюстрируется на трех примерах. В качестве первого примера проводится моделирование термоэлектрических процессов в термоэлементе с активной ветвью на основе сплава висмут-сурьма и с пассивной ветвью на основе высокотемпературного сверхпроводника. Данная задача позволяет выяснить предельные возможности низкотемпературного охлаждения. Другой возможностью пассивной ветви является ветвь из железа, ферромагнитные свойства которого позволяют использовать железную ветвь в качестве концентратора магнитного поле на активной ветви на базе сплава висмут-сурьма, повышая тем самым ее термоэлектрическую эффективность. В третьем примере рассмотрен совмещенный термоэлемент. Разработана модель расчета тепловых процессов для этого случая. Результаты расчетов удовлетворительно согласуются с экспериментальными результатами исследования низкотемпературного совмещенного термоэлемента.

Основные результаты опубликованы в работах:

статьи в рецензируемых научных журналах

1. Марков, О.И. Повышение эффективности ветви термоэлемента при линейном законе распределения концентрации носителей/ О.И. Марков // ЖТФ. 2004. Том 74. Вып.2. С.138Ц140.

2. Марков, О.И. Моделирование нагрузочных характеристик низкотемпературных термоэлектрических модулей/ О.И. Марков // Письма в ЖТФ. 2004. Том 30. Вып. 13. С.7Ц13.

3. Марков, О.И. Оптимизация ветви термоэлемента в режимах максимального перепада температуры и максимальной холодопроизводительности / О.И. Марков // Прикладная физика.2004. №4. С. 104-108.

4. Марков, О.И. Расчет термоэлектрической добротности полупроводника для низкотемпературного охладителя/ О.И. Марков // Прикладная физика. 2005. №1. С.121Ц124.

5. Марков, О.И. Зависимость эффективности ветви термоэлемента от распределения концентрации носителей / О.И. Марков // ЖТФ. 2005. Том 75. Вып. 2. С. 62Ц66.

6. Марков, О.И. Об оптимизации концентрации носителей заряда ветви охлаждающего термоэлемента / О.И. Марков // ЖТФ. 2005. Том 75.- Вып. 6. С. 132Ц133.

7. Марков, О.И. Оптимальная концентрация носителей заряда ветви термоэлемента в режимах максимальной холодопроизводительности и максимального холодильного коэффициента / О.И. Марков // Прикладная физика. 2006. №2. С. 126Ц130.

8. Марков, О.И. О составной ветви низкотемпературного термоэлемента / О.И. Марков // ЖТФ. 2006. Том 76. Вып.6. С. 140Ц142.

9. Марков, О.И. Неразрушающий контроль состава и качества монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма / О.И. Марков // Контроль. Диагностика. 2007. №2. С. 69Ц72.

10. Марков, О.И. Контроль качества ветвей термоэлементов на основе твердых растворов висмут-сурьма / О.И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2007. №6. С. 61Ц63.

11. Марков, О.И. Контроль состава ветвей термоэлементов на основе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма / О.И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2008. №4. С. 44Ц46.

12. Марков, О.И. Моделирование предельных возможностей низкотемпературного охлаждающего термоэлемента / О.И. Марков // Прикладная физика. 2008. №4. С.139Ц142.

13. Марков, О.И. Контроль концентрации донорной примеси в n-ветви термоэлемента на основе монокристаллов висмут-сурьма / О.И. Марков // Контроль. Диагностика. 2009. №1. С.39Ц42.

14. Марков, О.И. Численное моделирование предельных возможностей термоэлектрического охлаждения вблизи температуры кипения жидкого азота / О.И. Марков // Инженерная физика. 2009. №4. С.11Ц14.

15. Марков, О. И. Математическое моделирование работы низкотемпературных охлаждающих термоэлементов / О.И. Марков // Известия вузов. Приборостроение. 2009. №5. С.61Ц64.

16. Марков, О. И. Численное моделирование низкотемпературного термоэлемента с пассивной ветвью / О.И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2009. №5. С. 20Ц23.

17. Марков, О.И. Низкотемпературный совмещенный термоэлемент типа генератор-холодильник / О.И. Марков // Инженерная физика. 2009. №8. С.14Ц17.

18. Марков, О.И. Контроль концентрации донорной примеси в n-ветви термоэлемента на основе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма / О.И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2010. №3. С. 42Ц44.

19. Марков, О.И. Контроль поверхности кристалла висмута после технологической обработки / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2011. №8. С. 56Ц59.

20. Марков, О.И. Влияние добавок гадолиния на термоэлектрические свойства сплавов висмут-сурьма / О.И. Марков // Прикладная физика. 2011. №5. С.107Ц111.

21. Грибанов, Е.Н. Когда висмут становится полуметаллом? / Е.Н. Грибанов, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Российские нанотехнологии. 2011. Том 6. №9Ц10. С. 89Ц91.

статьи в научных изданиях, в трудах Международных, Всесоюзных, Всероссийских и региональных конференций

22. Иванов, Г.А., Влияние редкоземельных элементов на электрические свойства сплавов висмут-сурьма / Г.А. Иванов, О.И. Марков, В.И. Бочегов // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы IV Всесоюзного симпозиума. Ч.3. Львов: ЛГУ АН УССР. 1975. С.22.

23. Марков, О.И. Оптимизация градиента положения уровня Ферми в сплавах висмут-сурьма с целью повышения их термоэлектрической эффективности / О.И. Марков // Перспективные материалы твердотельной электроники: Тезисы научно-технической конференции. Минск. 1990. С. 32Ц33.

24. Марков, О.И. Общий подход к расчету термоэлектрических модулей / О.И. Марков // Физика полупроводников и полуметаллов: Тезисы докладов Всероссийской научной конференции. Санкт-Петербург: РГПУ. 2002. С. 180Ц181.

25. Марков, О.И. Расчет термоэлектрической эффективности n-ветви на основе сплавов висмут-сурьма / О.И. Марков, О.А. Мызникова // Полупроводниковые материалы для термоэлектрических устройств и солнечной энергетики: Тезисы докладов Международного семинара. Москва: ИМЕТ РАН. 2002. С.61.

26. Марков, О.И. Общее выражение для расчета параметра термоэлектрической эффективности / О.И. Марков // Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование: Тезисы третьей региональной научной конференции. Благовещенск: АмГУ. 2002. С. 58Ц60.

27. Марков, О.И. Оптимизация концентрации невырожденных носителей в полупроводниковой ветви термоэлемента / О.И. Марков, О.А. Мызникова // Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование: Тезисы третьей региональной научной конференции. Благовещенск: АмГУ. 2002. С. 60Ц63.

28. Мызникова, О.А. Влияние направленной неоднородности электропроводности на термоэлектрические свойства полупроводникового термоэлемента / О.А. Мызникова, О.И. Марков // Тонкие пленки в оптике и электронике: Сб. докладов 14-го Международного симпозиума. Часть 2. Харьков: НН - ХФТИ, ИП - Контраст. 2002. С. 239Ц41.

29. Марков, О.И. Численное моделирование термоэлемента / О.И. Марков, О.А. Мызникова // Термоэлектрики и их применения: Доклады VIII Межгосударственного семинара. Санкт-Петербург. 2002. С. 327Ц332.

30. Марков, О.И. Численное решение граничной задачи для теплового поля ветви термоэлемента / О.И. Марков // Методы дискретных особенностей в задачах математической физики: Труды Международных школ-семинаров. Орел. ОГУ. 2002. С. 56Ц59.

31. Марков, О.И., Мызникова О.А. Компьютерная модель физических процессов в термоэлементе / О.И. Марков, О.А. Мызникова // Компьютерное моделирование 2003: Труды 4-ой Международной научно-технической конференции. Санкт-Петербург: СПбГПУ. 2003. С. 172Ц173.

32. Марков, О.И. Влияние линейного распределения легирующих примесей на режимы работы ветви термоэлемента / О.И. Марков, О.А. Мызникова // Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы Харьковской научной ассамблеи: Сб. докладов 9-го Международного симпозиума. Харьков. 2003. С. 123Ц126.

33. Марков, О.И. Расчет температурного поля в полупроводниковом стержне с током / О.И. Марков, О.А. Мызникова // Зимняя школа по механике сплошных сред: Сб. докладов 9-го Международного симпозиума. Тезисы докладов. Екатеринбург: УрО РАН. 2003. С. 258.

34. Марков, О.И. О повышении эффективности ветви термоэлемента при линейном законе распределения концентрации носителей /О.И. Марков // Методы дискретных особенностей в задачах математической физики: Сб. докладов 9-го Международного симпозиума. Тезисы докладов. Вып. 2. Орел: ОГУ. 2003. С. 37Ц42.

35. Марков, О.И. Влияние линейно распределенной концентрации носителей на режимы работы ветви термоэлемента/ О.И. Марков // ИФЖ. 2003. Том 76. №6. С. 185Ц187.

36. Марков, О.И. Моделирование и оптимизация кинетических слабовырожденного полупроводника с целью повышения эффективности термоэлектрического охлаждения / О.И. Марков // Химия твердого тела и современные микро - и нанотехнологии: Сб. докладов IV Международной конференции. Кисловодск. 2004. С. 257Ц260.

37. Марков, О.И. Моделирование ветви охлаждающего термоэлемента для случая слабовырожденных носителей заряда / О.И. Марков // Термоэлектрики и их применения: Доклады IX Межгосударственного семинара. Санкт-Петербург. 2004. С. 365Ц370.

38. Марков, О.И. Влияние температурной зависимости кинетических коэффициентов на рабочие параметры ветви термоэлемента / О.И. Марков // Неравновесные явления в узкозонных полупроводниках и полуметаллах: Материалы Всероссийского межвузовского семинара. Елец: ЕГУ им. И.А.Бунина. 2004. С. 88Ц90.

39. Марков, О.И. Моделирование нагрузочных характеристик термоэлектрического охладителя / О.И. Марков // Методы дискретных особенностей в задачах математической физики: Труды Международных школ-семинаров. Вып.3. Орел: ОГУ. 2004. С. 34Ц37.

40. Марков, О.И. Расчет ветви солнечного термоэлектрического генератора с учетом температурной зависимости кинетических коэффициентов/ О.И. Марков // Гелиотехника. 2004. №2. С. 20Ц23.

41. Марков, О.И. Термоэлектрические свойства твердых растворов / О.И. Марков // Известия ТуГУ. Серия Физика. Вып.4. Тула: Изд-во ТуГУ. 2004. С. 81Ц86.

42. Марков, О.И. О выборе термоэлектрического материала для низкотемпературного охладителя / О.И. Марков // Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии: Сб. докладов V Международной конференции. Кисловодск. 2005. С. 286Ц287.

43. Марков, О.И. Элементарная теория составной ветви термоэлемента / О.И. Марков // Методы дискретных особенностей в задачах математической физики: Труды Международных школ-семинаров. Вып. 4. Орел: ОГУ. 2005. С. 70Ц73.

44. Марков, О.И. Влияние линейного распределения концентрации носителей вдоль ветви термоэлемента на режимы ее работы / О.И. Марков // ИФЖ. 2005. №1. С. 186Ц189.

45. Марков, О.И. Термоэлектрические свойства сплавов / О.И. Марков // Известия ТуГУ. Серия Физика. Вып. 5. Тула: Изд-во ТуГУ. 2005. С. 132Ц138.

46. Марков, О.И. Неразрушающий контроль содержания сурьмы в монокристаллах твердых растворов висмут-сурьма / О.И. Марков // Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности: Тезисы докладов 5-ой Международной конференции. Москва. 2006. С. 103.

47. Марков, О.И. Расчет характеристик носителей тока в сплавах / О.И. Марков // Современные методы физико-математических наук: Труды Международной конференции. Орел. ОГУ. 2006. С. 140Ц145.

48. Марков, О.И. Термоэлектрическая эффективность неоднородных и варизоных сплавов висмут-сурьма / О.И. Марков // Термоэлектрики и их применения: Доклады X Межгосударственного семинара. СПб. 2006. С. 155Ц160.

49. Марков, О.И. Влияние распределения концентрации слабовырожденных носителей на эффективность ветви термоэлемента/ О.И. Марков // ИФЖ. 2006. Том79. №1. С.167Ц172.

50. Марков, О.И. Оптимизация концентрации носителей заряда ветви солнечного термоэлектрического генератора / О.И. Марков // Гелиотехника. 2006. №2. С. 31Ц35.

51. Марков, О.И. Термоэлектрическая добротность вдоль слоев гетероструктуры / О.И. Марков // Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии: Сб. докладов VII Международной конференции. Кисловодск. 2007. С. 73Ц75.

52. Марков, О.И. Зависимость добротности от размерности термоэлектрика / О.И. Марков // Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения: Материалы III Всероссийской конференции. Махачкала. 2007. С. 17Ц18.

53. Марков, О.И. Математическое моделирование предельных возможностей низкотемпературного охлаждающего термоэлемента// Труды Международных школ-семинаров Методы дискретных особенностей в задачах математической физики, Вып. 5.- Орел. ОГУ. 2007.- С. 66-69.

54. Марков, О.И. Предельные возможности низкотемпературного термоэлектрического охлаждения / О.И. Марков // Термоэлектрики и их применения: Доклады XI Межгосударственного семинара. Санкт-Петербург. 2008. С. 363Ц368.

55. Марков, О.И. Возможности термоэлектрического охлаждения с активной ветвью на основе сплава висмут-сурьма и пассивной металлической ветвью / О.И. Марков // Физические явления в конденсированном состоянии вещества: Материалы Всероссийской научно-практической конференции. Чита. 2009. С. 28Ц31.

56. Марков, О.И. Диагностика структуры поверхности, полученной при электроискровой резке монокристаллов висмута / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Методы исследования состава и структуры функциональных материалов: Тезисы докладов I Всероссийской научной конференции. Новосибирск. 2009. С. 275.

57. Марков, О.И. Численное решение граничной задачи по расчету температурного поля термоэлемента с одной пассивной ветвью / О.И. Марков // Методы дискретных особенностей в задачах математической физики: Труды международных школ-семинаров. Вып. 7. Орел: ОГУ. 2009. С.70Ц73.

58. Марков, О.И. Разрушение монокристалла висмута посредством скола / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Актуальные проблемы прочности: Сборник материалов 50 Международного симпозиума. Ч.2. Витебск. 2010. С.47Ц49.

59. Хрипунов, Ю.В. Исследование модификации структуры слоев поверхности монокристалла висмута / Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков // Прочность и разрушение материалов и конструкций: Материалы VI Международной конференции. Оренбург: ОГУ. 2010. С. 395Ц401.

60. Марков, О.И. Численное моделирование тепловых процессов в совмещенном термоэлементе / О.И. Марков // Неравновесные процессы в природе: Материалы всероссийской научно-практической конференции. Елец: ЕГПУ. 2010. С. 34Ц37.

61. Марков, О.И. Влияние примесей редкоземельных элементов на термоэлектрические свойства сплавов висмут-сурьма / О.И. Марков // Термоэлектрики и их применения: Доклады XII Межгосударственного семинара. Санкт-Петербург. 2010. С. 303Ц308.

62. Марков, О.И. Температурная зависимость параметров носителей в сплавах висмут-сурьма / О.И. Марков // Ученые записки Орловского государственного университета. 2010. №2 (36). С. 43Ц49.

63. Марков, О.И. Кинетические свойства носителей заряда сплава Bi-Sb-Gd / О.И. Марков // Ученые записки Орловского государственного университета. 2010. №4(38). С. 20Ц26.

64. Марков, О.И. Некоторые аспекты металлографических исследований монокристаллов висмут-сурьма / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Ученые записки Орловского государственного университета. 2010. №4 (38). С. 27Ц32.

65. Марков, О.И. Компьютерное моделирование термоэлектрических преобразователей О.И. Марков // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. Орел: ОреГТУ. 2011. №1(285). С. 20Ц24.

66. Марков, О.И. АСМ - исследование поверхности кристалла висмута после технологической обработки / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Инженерная физика. 2011. №5. С. 20Ц24.

67. Корчагин, П.С. Автодеформационные дефекты монокристаллов висмут-сурьма / П.С. Корчагин, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Ученые записки Орловского государственного университета. 2011. №3 (41). С. 61Ц66.

68. Марков, О.И. Особенности структуры поверхности кристаллов висмута после химического травления / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов, Е.Н. Грибанов // Актуальные проблемы химической науки, практики и образования: Материалы конференции. Курск: ЮЗГУ. 2011. С.124Ц127.

69. Марков, О.И. Определение направлений дислокаций в монокристаллах висмута по ямкам травления / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Актуальные проблемы прочности: Материалы 51 Международной конференции. Харьков. 2011. С. 351.

70. Марков, О.И. Моделирование совмещенного термоэлемента / О.И. Марков // Системы обеспечения тепловых режимов преобразователей энергии и системы транспортировки теплоты: Труды II-Всероссийской научно-практической конференции. Ч.1. Махачкала. 2011. С. 39Ц44.

Подписано в печать _____ 2012. Формат 60х84 1/16. Печать офсетная.

Печатных листов 2,0. Тираж 100 экз. Заказ ____

Издательско-полиграфический центр

Авторефераты по всем темам >> Авторефераты по разное

Blog