Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

The influence of the doping with the Cu and Ag увеличивает удельное сопротивление и фоточувствиacceptor impurities of different 1, 3 and 5 at% concentration on тельность пленок. Это говорит о том, что при замещеthe luminescence and photoconductivity of the zinc oxide films нии атомов цинка в кристаллической решетке указанные has been investigated. The films with the predominant ultraviolet примеси являются довольно эффективными акцептораluminescence were obtained by electron beam evaporation method ми. При этом медь дает большее удельное сопротивin optimal conditions. It has been shown, that the copper doping ление по сравнению с серебром. Однако существует gives three types of CuZn(3d10), CuZn(3d9) and Cui point defects, проблема внедрения меди именно в виде дефектов but the silver doping gives one type of AgZn(3d10) point defects замещения Ч акцепторов CuZn, а не в виде межузельных in ZnO. The growth of the silver oxide phase at the maximal дефектов Ч доноров Cui. При большой концентрации impurity density was found. The impurity doping led to increase примеси меди она начинает компенсировать сама себя, in the film resistance and photosensitivity.

образуя точечные дефекты донорного и акцепторного типа.

Столь существенное различие в поведении примесей меди и серебра в ZnO можно объяснить разницей их ионных радиусов: Cu+ Ч 0.098 нм, Cu2+ Ч 0.080 нм и Ag+ Ч 0.113 нм [9]. Одновалентное состояние серебра обусловливает преобладание дефектов одного типа AgZn(3d10). Гораздо больший радиус иона серебра по сравнению с ионом цинка Zn2+ (0.083 нм) затрудняет его выход в междоузлия и вызывает напряжения в кристаллической решетке оксида цинка, которые компенсируются выделением второй фазы.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российской академии наук (программа ДНизкоразмерные квантовые структурыУ) и в рамках проекта ИНТАС (грант № 2002Ц0796).

Список литературы [1] T. Yamamoto, H. Katayama-Yoshida. Jap. J. Appl. Phys., 38, L166 (1999).

[2] M. Joseph, H. Tabata, T. Kawai. Jap. J. Appl. Phys., 38, L(1999).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам